lichcen wrote:中國西安變電所爆炸 據強國報導目前三星西安廠是以100%產能利用率(每個月10萬片)的規劃投片生產,全數為先進製程的3D-NAND Flash,主要終端應用需求面為固態硬盤(SSD)。根據我們的評估,在事發後一日內部分產能已恢復生產的進度來看,對於三星整體長期NAND Flash產能佈局影響有限既然是用在SSD,根本影響不到一般組裝零售部分,實際DRAM需求還是需要看新機及升級新應用需求,但是市況並不好,所以說就此要漲可能還說太早,我看小反彈而已要說價格已經落底我認為不可能,股價都沒預先反應了,靠零售價哄抬想改變趨勢是很難的
騙不了我的DDR4新製程3DS 堆疊(跌)式已經出來且三星、海力士的單條128G都出一陣子了,只剩美光技術落後..假設韓廠採用1Gb封裝 而美廠採用512Mb封裝同樣的產能,當然是韓廠比較有利潤依我看法除非是美光退出DRAM市場否則後續DDR4一定是跌多漲少DDR3持平或小跌