1年半前利用機會，特地衝了4支DDR3 1600 4G模組，把RAM擴增到8GB。坦白說，8GB記憶體應用VMware、Ramdisk軟體，我覺得不是不夠用，就剛剛好夠用，反正是小心一點開吃大量記憶體軟體。
看到站上好幾篇討論或有些大大分享購入的新DDR3 4G模組，對我而言，現在DDR3 1333 4G模組就沒吸引力，比較在意是DDR3 1600 4G模組，我接受兩種記憶體的價差。
心癢許久後決定，管它現在DDR3記憶體的買點高或低，鄉民的名言：早買早享受，晚買享折扣，特地上網拍衝了4支國產elixir DDR3 1600 4G模組。
打算一次插滿Z68AP-D3主機板，把RAM擴增到16GB。在這記憶體低迷時空下，這樣行為應該算是愛國表現之一。
M.I.T製，由廣穎做終身保固
4支模組是同型號、規格
記憶體模組用標準高度散熱片，這樣的好處是裝機時，保證不跟那種很威的塔式散熱器打架
這4支國產elixir DDR3 1600 4G模組型號為M2X4G64CB8HG9N-DG
這次下訂前，網拍賣家回答這組記憶體支援Intel XMP，在INTEL平台可以選擇自動讀取記憶體模組中的SPD來執行DDR3-1866。等東西收到後，拍了幾張照片就放上Z68AP-D3測看看。
CPU：Intel Core i7 2600K預設3.40 GHz,8M Cache
主機板：Z68AP-D3
記憶體：elixir M2X4G64CB8HG9N-DG x4
硬碟：WD1002FAEX
顯示：GV-R685D5-1GD
作業系統：Windows 7 Ultimate SP1 64-bit
Z68AP-D3插滿elixir M2X4G64CB8HG9N-DG記憶體，這次有16GB記憶體可以用了。elixir M2X4G64CB8HG9N-DG只有標準高度散熱片，搭上V6這種塔式散熱器，完全相處愉快。
上機簡測時，我無視DDR3-1600規格以下，直接是標準的DDR3-1600。
BIOS畫面選擇Disable，這組記憶體模組實際的工作時脈是標準的DDR3-1600，記憶體模組電壓設定為標準1.5 V，vtt電壓設定為1.05 V。
標準的DDR3-1600工作時脈下，時序設定值11-11-11-28 2T，對比記憶體模組SPD值，Z68AP-D3作了些微的調整，tRAS的欄位由30加快為28。
作業系統裝了16GB記憶體，看看WIN7評估記憶體分數。
答案是7.8分，只是差了0.1分到頂，而且5個項目中冠軍，我滿意了。
ADIA64 V2.00.1709 beta
記憶體讀取 - 18209 MB/s
記憶體寫入 - 19326 MB/s
記憶體複製 - 21066 MB/s
記憶體潛伏 - 50 ns
Sandra 2012 (18.10)
總體記憶體性能 - 21 GB/s
MaxxMEM² - PreView
Memory Copy - 20886 MB/s
Memory Read - 18885 MB/s
Memory Write - 18465 MB/s
Reached memory score - 18.68 GB/sec
Memory Latency - 59.1 ns
BIOS畫面選擇Profile1，這組記憶體模組實際的工作時脈是X.M.P的DDR3-1600，記憶體模組電壓設定為標準1.5 V，vtt電壓設定為1.5 V。
X.M.P的DDR3-1600工作時脈下，時序設定值9-9-9-28 2T，對比記憶體模組SPD值相同。
HWiNFO64軟體檢測記憶體電壓為1.536 V。
ADIA64 V2.00.1709 beta
記憶體讀取 - 18731 MB/s
記憶體寫入 - 19304 MB/s
記憶體複製 - 20946 MB/s
記憶體潛伏 - 46.8 ns
Sandra 2012 (18.10)
總體記憶體性能 - 21 .3 GB/s
MaxxMEM² - PreView
Memory Copy - 21556 MB/s
Memory Read - 19840 MB/s
Memory Write - 18804 MB/s
Reached memory score - 19.32 GB/sec
Memory Latency - 54.2 ns
BIOS畫面選擇Profile2，這組記憶體模組實際的工作時脈是X.M.P的DDR3-1866，記憶體模組電壓增加為1.65 V，連vtt電壓設定也增加為1.65 V。
X.M.P的DDR3-1866工作時脈下，時序設定值11-11-11-32 2T，對比記憶體模組SPD值，Z68AP-D3作了些微的調整，tRAS的欄位由43加快為32，command Rate(CR)欄位由3T加快為2T。
HWiNFO64軟體檢測記憶體電壓為1.656 V。
ADIA64 V2.00.1709 beta
記憶體讀取 - 20146 MB/s
記憶體寫入 - 19748 MB/s
記憶體複製 - 22858 MB/s
記憶體潛伏 - 45 ns
Sandra 2012 (18.10)
總體記憶體性能 - 24.36 GB/s
MaxxMEM² - PreView
Memory Copy - 22063 MB/s
Memory Read - 21407 MB/s
Memory Write - 19150 MB/s
Reached memory score - 20.28 GB/sec
Memory Latency - 53.1 ns
DDR3-1600、X.M.P DDR3-1600、X.M.P DDR3-1866自動設定的效能評測
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手調的樂趣(一)：低電壓低功耗達成DDR3-1600、X.M.P DDR3-1600
這年頭，什麼都要環保減碳，連記憶體也來參一腳，市面上就標榜「低電壓」DDR3記憶體。以目前主流DDR3-1333或1600記憶體的標準電壓是1.5 V，這類「低電壓」DDR3記憶體可以不需這麼高電壓。
elixir M2X4G64CB8HG9N-DG是標準電壓的DDR3-1600記憶體，想要低電壓低功耗就只能手調。
花了幾天不斷嘗試，整理DDR3-1600、X.M.P DDR3-1600環境下的結果，總結
出這組記憶體可以只需電壓1.36 V穩跑，兩組工作時脈只更動CR值加快為1T。
標準的DDR3-1600工作時脈下，時序設定值11-11-11-28 1T，HWiNFO64軟體檢測記憶體電壓為1.356 V。
ADIA64 V2.00.1709 beta
記憶體讀取 - 18037MB/s
記憶體寫入 - 18967 MB/s
記憶體複製 - 20591 MB/s
記憶體潛伏 - 49.8ns
Sandra 2012 (18.10)
總體記憶體性能 - 21.1 GB/s
MaxxMEM² - PreView
Memory Copy - 20610 MB/s
Memory Read - 18902 MB/s
Memory Write - 17831 MB/s
Reached memory score - 18.37 GB/sec
Memory Latency - 59.3ns
X.M.P的DDR3-1600工作時脈下，時序設定值9-9-9-28 1T，HWiNFO64軟體檢測記憶體電壓為1.356 V。
ADIA64 V2.00.1709 beta
記憶體讀取 - 18936MB/s
記憶體寫入 - 19304 MB/s
記憶體複製 - 20935 MB/s
記憶體潛伏 - 45.5 ns
Sandra 2012 (18.10)
總體記憶體性能 - 21.47 GB/s
MaxxMEM² - PreView
Memory Copy - 21458 MB/s
Memory Read - 20171 MB/s
Memory Write - 18803 MB/s
Reached memory score - 19.49 GB/sec
Memory Latency - 53.2 ns
低電壓低功耗達成DDR3-1600、X.M.P DDR3-1600
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手調的樂趣(二)：尋找X.M.P DDR3-1866更低時序與低電壓
想要記憶體獲得更多效能，只能往更高工作時脈與更低一點延遲嘗試。
因為Sandy Bridge處理器的外頻可超幅度不高，記憶體工作時脈可玩性受限，換成X58或更早P55平台，甚至是AMD平台，記憶體工作時脈的調整彈性較高。
一路玩下來這組記憶體，在i7 2600K搭 Z68AP-D3平台上，不論是放寬CL值或增加工作電壓到1.7 V，再上一級的DDR3-2133工作時脈就是吃不到。那只能試試X.M.P的DDR3-1866有沒有更低一點延遲，獲得記憶體更多一點整體效能。
同樣到BIOS畫面選擇Profile2，使得這組記憶體模組實際的工作時脈是X.M.P的DDR3-1866，記憶體模組電壓增加為1.65 V，連vtt電壓設定也增加為1.65 V。
接著在Z68AP-D3主機板提供的記憶體各項時序設定逐一調整。每次調整設定後，還要LinX 0.6.4來判定高時脈低時序下的穩定性。
經過失敗好多次，總算試出這組記憶體模組在X.M.P的DDR3-1866工作時脈下還是有更低時序，由原來11-11-11-32 2T來到9-10-9-32 1T。
搞定記憶體時序後，著手逐一降低記憶體模組電壓，沒有更動vtt電壓。一路由1.65 V調至1.6 V，HWiNFO64軟體檢測記憶體電壓為1.596 V，可以通過LinX 0.6.4穩定測試。
ADIA64 V2.00.1709 beta
記憶體讀取 - 20908MB/s
記憶體寫入 - 19766 MB/s
記憶體複製 - 22796 MB/s
記憶體潛伏 - 41.3 ns
Sandra 2012 (18.10)
總體記憶體性能 - 24.89 GB/s
MaxxMEM² - PreView
Memory Copy - 22377 MB/s
Memory Read - 22281 MB/s
Memory Write - 19158 MB/s
Reached memory score - 20.72 GB/sec
Memory Latency - 49.3 ns
再次降低記憶體模組電壓，由1.6 V調至1.5 V，HWiNFO64軟體檢測記憶體電壓為1.524 V。
可惜是無法通過LinX 0.6.4穩定測試，在測試最後出現錯誤。
小小心得：
一路玩下來的感覺，這組記憶體時序設定值很鬆，或許是為了相容性。對於追求更快記憶體工作時脈的人，這組記憶體極限應該就是落在加電壓上DDR3-1866，再上更快速度的空間有限。
人家說記憶體體質比較好，才能低電壓穩定運作，有錯請更正。那這組也能算是低電壓記憶體，DDR3-1600可以在1.36 V運作，跟其他人分享過的低電壓記憶體很接近，看測試知道電壓低一點也不影響記憶體效能。
