【請益】DDR3速度與CL的抉擇???

shihyuan73
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樓主

2010-02-17 22:52

目前有相中芝奇的兩款超頻記憶體 :

1) 芝奇 DDR3-1600 6GB (2GB*3) CL6 Trident GSkill TD

2) 芝奇 DDR3-2000 6GB (2GB*3) CL9 Trident GSkill TD

請問以上兩款效能誰比較優???

最大效能差異是在哪邊呀???

一直搞不清楚該如何抉擇高頻率還是低延遲??? (以處理器可以上200外頻為例)

這是我從DDR2以來的問題所在, 以前是在考慮 DDR2-800 CL4 或 DDR2-1000 CL5...

希望有高手可以指點迷津!!!並給我建立觀念!!!

在此感謝~~~

2010-02-17 22:52 發佈

文章關鍵字請益抉擇 DDR3 速度 CL

victorlin11

victorlin11
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2樓

2010-02-18 1:26

shihyuan73 wrote:
目前有相中芝奇的兩款...(恕刪)

時脈優先..........

累積太多的Galgame玩不完啦~~~!

shihyuan73

shihyuan73
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樓主

2010-02-18 12:50

victorlin11 wrote:
時脈優先.........(恕刪)

上網找的測試圖:

DDR3-1600 CL6

DDR3-2000 CL9

看起來好像高時脈還是比較吃香!!!

是不是這樣呢???

筆的蓋子

筆的蓋子
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4樓

2010-02-19 19:31

個人猜測此兩組記憶体顆粒應該差不多
真要選的話 2000那組
理由是在製程一樣的顆粒,頻率愈高,体質愈好
看起來像是硬撐上去的
CR=3 不常見(通常為1或2)

shihyuan73

shihyuan73
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樓主

2010-02-19 20:23

筆的蓋子 wrote:
個人猜測此兩組記憶体...(恕刪)

對呀~

您也注意到跑CR3了

這是不是意味著無法跑1T呀???

csha

csha
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6樓

2010-02-19 20:38

目前 CPU, 北橋晶片等在 Memory 控制介面皆有數個 "word" (1word = 16bits) 的 buffer, 當 DDR CL (CAS Latency) 時間一到, 即第一筆資料出來後面的的資料是接著用 burst 來, 將 buffer 填滿. CL 是第一筆等待時間.

故此 DDR3-2000 雖然 CL 稍長, 但 burst 全開後資料立即送出到 buffer, 晶片 buffer 滿了, 才會再發下一筆資料需求指令, 所以靠 bit rate 優勢仍然傳送較多資料, 如下表: