中國記憶體大廠長鑫存儲宣布新一代DRAM架構取得重大突破，計畫年底前推出新款伺服器記憶體產品，消息一出震撼全球市場，不僅美股記憶體族群應聲走弱，台股記憶體與儲存類股今（13）日也全面慘跌，成為盤面最大重災區。
根據《南華早報》報導，長鑫存儲總裁曹侃宇週末在上海一場產業活動上宣布，公司預計於今年底前推出結合「4F平方」架構與混合鍵合等先進技術的新一代伺服器記憶體產品。目前業界主流仍為6F平方架構，而4F平方設計能將每個記憶體儲存單元面積進一步縮小，使同面積內的儲存密度大幅提升30%至50%。
長鑫存儲指出，這項技術的核心在於自主研發的垂直環繞閘極（Vertical Surrounding Gate，VSG）電晶體。透過垂直閘極架構，不僅能改善隨著製程微縮帶來的漏電與短溝道效應問題，更能大幅縮小單元面積，象徵DRAM技術正從傳統二維微縮逐步邁向三維集成的新階段。
ailaug2 wrote:
長鑫DRAM傳大突破!
【財訊快報／陳孟朔】中國記憶體大廠--長鑫存儲(CXMT)宣布下一代4F² DRAM儲存單元架構取得進展，引發市場對記憶體競爭與供給擴張的疑慮。全球首富馬斯克(Elon Musk)在社群平台X回應相關討論時表示，中國一旦掌握產品製造方法，規模化能力往往超過全球其他地區總和，並以鋰電池與太陽能產業為例。他認為，中國正快速攻克LPDDR5、LPDDR6等通用標準記憶體，但更先進的HBM及立體堆疊技術仍具挑戰。長鑫存儲總裁曹堪宇(Kanyu Cao)傳放話，公司計劃2026年底前推出採用4F²架構的DDR5伺服器記憶體，並透過專有垂直環繞閘極電晶體抑制漏電。相較傳統6F²架構，4F²設計可縮小儲存單元面積，提高晶片密度並降低每位元成本。不過，架構突破能否轉化為穩定良率、可靠產品及大規模供應，仍須經量產與客戶驗證。
週一美股記憶體與儲存股普遍下跌，美光(Micron Technology，MU)跌3.88%，收989.04美元，失守1,000美元；閃迪(Sandisk，SNDK)跌5.97%，收1,487.33美元；SK海力士美國存託股票(SK hynix，SKHY)跌4.02%，收162.23美元；希捷科技(Seagate Technology，STX)跌3.80%，收753.25美元。市場擔心中國業者若以更低成本擴大供應，可能壓縮既有廠商的價格與獲利空間。
不過，AI分析師Melvin認為，市場反應過於超前，技術宣布與大規模良率提升並非同一回事，長鑫仍須證明價格、可靠性與產量的綜合競爭力。他並指出，此次產品瞄準一般伺服器DDR5，並非AI加速器使用的高頻寬記憶體(HBM)，而閃迪主營NAND快閃記憶體，也非直接競爭對手。這場爭論凸顯，短期AI記憶體需求與中長期中國供給擴張風險，正成為市場評價的兩股拉力。
ailaug2 wrote:
長鑫DRAM傳大突破! 記憶體血流成河 南亞科、華邦電重挫逾7%!
中國記憶體大廠長鑫存儲宣布新一代DRAM架構取得重大突破，計畫年底前推出新款伺服器記憶體產品，消息一出震撼全球市場，不僅美股記憶體族群應聲走弱，台股記憶體與儲存類股今（13）日也全面慘跌，成為盤面最大重災區。
根據《南華早報》報導，長鑫存儲總裁曹侃宇週末在上海一場產業活動上宣布，公司預計於今年底前推出結合「4F平方」架構與混合鍵合等先進技術的新一代伺服器記憶體產品。目前業界主流仍為6F平方架構，而4F平方設計能將每個記憶體儲存單元面積進一步縮小，使同面積內的儲存密度大幅提升30%至50%。
長鑫存儲指出，這項技術的核心在於自主研發的垂直環繞閘極（Vertical Surrounding Gate，VSG）電晶體。透過垂直閘極架構，不僅能改善隨著製程微縮帶來的漏電與短溝道效應問題，更能大幅縮小單元面積，象徵DRAM技術正從傳統二維微縮逐步邁向三維集成的新階段。
長鑫存儲偷技術就偷技術，還要騙人說是自主研發，當沒人知道技術來源唷?
我懂了，原來是自主研發偷技術的竅門、手段。
密度增加30~50%又怎樣?
也不過就是從單條最大能做到24gb變成32gb。
南亞科 會重跌7%很正常，因為他目前的技術只能做到 ddr5 單條 16gb。
果然不知羞恥的中共國偷東西都一副明正言順、理所當然的厚臉皮死樣子。
目前全球3大廠把資源、資金、人力都集中在hbm、ddr6上，
ddr5的技術研發全面放緩，甚至終止。
如果美國沒有下hbm禁令，中共國會積極發展ddr5的技術嗎?
長鑫偷了人家認定非當下重點的技術，然後全力投入人力和資金，
偷了人家驗證過可行卻暫緩的技術，抄作業抄出心得了所以沾沾自喜?
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