http://chinese.engadget.com/2011/09/24/samsung-opens-most-advanced-20nm-class-flash-memory-production/
三星啟用業界最大規模的 20nm 快閃記憶體生產線
這條消息解讀起來還真的是有點故事。簡單講，三星電子有一條新的半導體生產線竣工投產，官方將其定義為全球最大規模，最先進的半導體生產線，主要產品為 20 奈米級 NAND 快閃記憶體，同時基於此，三星將實現 20 奈米級 DDR3 記憶體的量產，同時生產效率將提升，能量消耗會降低。實際上，在三星和蘋果交惡之後，蘋果開始轉移一部分 DRAM 和 NAND 快閃記憶體訂單到日本，比如東芝和爾必達（Elpida Memory），三星在這個時刻放出這條消息，顯然是為了告訴業界，其還是 NAND 快閃記憶體製造界的老大。按照這個技術規格來講的話，明年會有 20nm 工藝最大單條 32GB 記憶體出現，好大啊，可惜我們的錢包貌似沒跟著變大...
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反正，台灣廠在繼續白爛下去嘛，之後生產的已經不是DDR3 4G了，而是直接跳上去更大容量了，還減產救市呢？
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