CL 是指資料在延遲幾個clock 後出現如要計算DDR存取速度應該是看tRP 跟 tRAS4-4-4-12 是指 CL-4 , tRCD-4 , tRP-4 , tRAS -12而DDR 完整的作動一次是 tRAS + tRP要計算DDR的速度,最簡單的方式為(tRAS + tRP ) * cycle time(4 + 12) * 3ns = 48ns (667)(5+15 ) * 2.5ns = 50ns (800)理論上差距 2ns , 667 > 800但DDR 有個功能是burst read or write (連續讀或寫)比的就是 cycle time所以800(2.5ns) > 667( 3ns)個人是猜測也許在DMA 時啟動此功能我對CPU 作動不熟,無法確定以上供參考
運作頻率愈高愈快。CL 愈小與快。我了解的實際運作如前一篇所言。關鍵是: 存取記憶體通常並不是每次只存取一個 word 而已,因此,連續 burst 時,第一個 word 要等好幾個 cycle, 但後面的就可以連續讀出。因此,總效果要看平均的 burst 長度。印象中,以往 SDRAM 年代的測試顯示 CL2 CL3 的實際效果差異測試結果約在 2~3%。
同意樓上,CPU跟記憶體要資料可以是(位址, 長度)的模式 (burst)此時只有第一個位址是需要CL的時間來定址(但有Hit與Miss的狀況), 後面的長度資料傳輸速度是靠頻寬Hz如果比較了解硬碟的話, 可以聯想把 CL想成Access Time把 頻寬想成Transfer Rate(但一般硬碟的Access Time和Transfer Rate差很大, 記憶體的CL與頻寬差距較小)結論還是得看你使用程式存取資料的方式。
swallowman wrote:FSB:DRAM=1...(恕刪) 學得滿快的麻~其實跑500*9 DDR2 1000 4 4 4 10 1:1效能才算是最好因為延遲低下面這兩篇文章應該能幫你解惑12
swallowman wrote:同樣2g的ram:1...(恕刪) 版主~根據我的DDR400實測~CL直沒什麼屁用~我的DDR頻率越高讀取越快~就算CL值變高也是一樣~頻率高還是比較快我的RAM 是DDR400 CL=2-2-2-5