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請問一下觀念:記憶體是cl越低越快還是頻寬越大越快?


你看那邊 wrote:

Cudacke D...(恕刪)


感謝告知,
偶還一直以為雙通道指的就是 DDR,
原來不是. :P
CL 是指資料在延遲幾個clock 後出現
如要計算DDR存取速度
應該是看tRP 跟 tRAS

4-4-4-12 是指 CL-4 , tRCD-4 , tRP-4 , tRAS -12
而DDR 完整的作動一次是 tRAS + tRP
要計算DDR的速度,最簡單的方式為
(tRAS + tRP ) * cycle time
(4 + 12) * 3ns = 48ns (667)
(5+15 ) * 2.5ns = 50ns (800)

理論上差距 2ns , 667 > 800

但DDR 有個功能是burst read or write (連續讀或寫)
比的就是 cycle time
所以800(2.5ns) > 667( 3ns)
個人是猜測也許在DMA 時啟動此功能
我對CPU 作動不熟,無法確定

以上供參考
運作頻率愈高愈快。
CL 愈小與快。

我了解的實際運作如前一篇所言。

關鍵是: 存取記憶體通常並不是每次只存取一個 word 而已,因此,連續 burst 時,第一個 word 要等好幾個 cycle, 但後面的就可以連續讀出。

因此,總效果要看平均的 burst 長度。

印象中,以往 SDRAM 年代的測試顯示 CL2 CL3 的實際效果差異測試結果約在 2~3%。
同意樓上,
CPU跟記憶體要資料可以是(位址, 長度)的模式 (burst)
此時只有第一個位址是需要CL的時間來定址(但有Hit與Miss的狀況), 後面的長度資料傳輸速度是靠頻寬Hz

如果比較了解硬碟的話, 可以聯想
把 CL想成Access Time
把 頻寬想成Transfer Rate
(但一般硬碟的Access Time和Transfer Rate差很大, 記憶體的CL與頻寬差距較小)

結論還是得看你使用程式存取資料的方式。
swallowman wrote:
FSB:DRAM=1...(恕刪)




學得滿快的麻~

其實跑500*9 DDR2 1000 4 4 4 10 1:1效能才算是最好

因為延遲低

下面這兩篇文章應該能幫你解惑

1

2
小弟也上了一課!以前只知道cl越小越好頻率越大越好,現在才知道為什麼?感謝大家解惑^^!~
VC66-C Mi Max3
誠實的肉團 wrote:
除頻還要跑1:1像我...(恕刪)

那是跑 1:1 比較快還是跑 1:2 比較快?
挖~長知識勒

原來Mhz高不一定快呀~~~
Change your mind, also change your life
swallowman wrote:
同樣2g的ram:1...(恕刪)



版主~根據我的DDR400實測~CL直沒什麼屁用~我的DDR頻率越高讀取越快~就算CL值變高也是一樣~頻率高還是比較快


我的RAM 是DDR400 CL=2-2-2-5
誠實的肉團 wrote:
學得滿快的麻~其實跑...(恕刪)

那麼在下的CPU外頻333 (超不上去了)=FSB 1333
RAM外頻500 = DDR2 1000
這樣對性能有幫助嗎?
我不想當男子漢, 我只想要我的小毛毯
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