DDR3-1600 CL11的記憶體裝在主機板最高是DDR-1333上面的時候, 就是相當於DDR3-1333 CL9嗎?

有人能回答我, 以下我這樣的理解對嗎?

DDR3-1600 CL11, 就是說, 延遲時間要 11 個cycle. 考慮速度是1600, 所以延遲時間是 11/1600
但是延遲時間是記憶體準備的時間, 跟外部頻率應該無關.

所以, 如果裝在1333的主機板上, 因為速度是1333, 在同樣時間需要延遲的cycle數是 11/1600*1333 = 9.164375
大約是9.

也就是說, DDR3-1600, CL11 與 DDR3-1333, CL9 的延遲時間相當, 11/1600 ~= 9/1333.

我在想, 這就是之前最常見的DDR3-1333記憶體是CL9, 而DDR3-1666記憶體, 最常見的則是CL11, 就是這個緣故嗎?
(意思是說, 記憶體外頻雖然有進步, 內部架構是差不多的, 延遲時間還是跟以前一樣).
2016-08-12 11:31 發佈
robinh3123 wrote:
有人能回答我, 以...(恕刪)


您的理解
大概是對的

公規DRAM的延遲一直沒有太大的進步
(當然也有所謂的超頻顆粒...不是指超外頻)

每進一代都是以外頻提升與容量提升為主
所以DDR4-2133的CL又更大
因為換算回來的絕對時間(us)其實一樣

但是
CL並不是一般您用軟體測到的"延遲"
實際上用軟體測到的"延遲"
是一堆DRAM timing組合以後的結果
比方說一般DRAM規格timing都是至少列三位
11-11-11這樣
有的會列五位

DRAM一直提升外頻最明顯上來的是大資料的max. throughput
拿一篇原文的說明給你了解

CL:

To know the difference, you have to know what CL means. The CAS latency is the time between accessing memory and being able to read the memory from the output, so 8 is faster than 9 is faster than 10. BUT and this is a huge BUT. Notice the all caps. Sometimes a higher CAS is faster because the memory operates at different speeds. For instance a DDR3 1333 module runs at 666mhz and ha a cycle time of 1.5ns. With a CL of 6 that means it takes 9ns for the memory to be available on the output. However a DDR3 1600 module runs at 800 and has a cycle time 1.25ns. With a CL of 7 it takes 8.75ns. As you can see, even though the CL is higher, it is still faster because the mhz jump increases the cycle time enough to give it a little boost. Going further, DDR3 2000 is just as fast at CL9 as the 1333 is at CL6.

1333vs1600:

You're not going to notice anything different. the only time you would notice, is if you are running one of AMD's new APU processors. It was shown that faster memory did speed up the gaming experience for the integrated GPU.
Better to go for 1600mhz cl9.

你的觀念是錯的喔,我就不翻譯了,看不懂就查字典

robinh3123 wrote:
考慮速度是1600
Hello !! I'm Jones ^^ 賴:Jones.Lee.Info 歡迎找我聊天喝茶
Jones Lee wrote:
拿一篇原文的說明給...(恕刪)
你的觀念是錯的喔,我就不翻譯了,看不懂就查字典


這篇文章跟"你的觀念是錯的喔"
的連結是?

我怎麼看都只是"方向"的問題
(也可以說是定義的問題)
樓主走的是反證路線

JEDEC定義的是tCAS的"絕對時間"
(我就不翻譯了,看不懂就查JEDEC)

nCL是用tCAS對頻率換算然後round up
公式大概長這樣
nCL = tCAS/MHz + 0.5

以您提供的例子
6CL ~= 9ns @ 1333
5CL ~= 7.5ns @ 1333
7CL = 8.75ns @ 1600
6CL = 7.5ns @ 1600
這表示實際上
例子中DRAM tCAS應該是 7.6 ~ 8.75ns之間
1333是刻度比較大又被round up
所以看起來反而比1600難看
"As you can see, even though the CL is higher, it is still faster because the mhz jump increases the cycle time enough to give it a little boost."
這個little boost就是好運而已

實際上"主流"的DDR3顆粒timing不是這個例子裡面的數據
應該是樓主的
9CL ~= 13.5ns @ 1333
11CL = 13.75ns @ 1600
刻度或round up都要算了才知道

tCAS越小的DRAM顆粒表示延遲越小
也就是一般認知performance越好

如果要反證
就是拿"同樣"顆粒DRAM的timing spec
多算幾組timing(可以一路算回800)
也可以歸納出上面的結果
其實最近我想要加買一支DDR3 配我原來的那支DDR3, 來跑我的雙通道. 系統(主機板)最高支援1333MHz. 選擇有二: 1) 新的DDR3-1600, CL=11, 2) 二手DDR3-1333, CL=9, 而且型號跟我原來那支是一樣的. 兩支價錢差不多, (二手的還貴一點). 因為型號已經停產, 所以沒有新的可買.

選1的話, 我想最壞情形是變成, 1333-CL11, 也還好.
選2的話, 就怕是有問題的貨.

可以建議一下嗎?
謝謝您的建議, 還好有做功課, 沒有被"舊電腦救星-DDR3"的廣告詞給騙了.

robinh3123 wrote:
謝謝您的建議, 還好...(恕刪)


看到"舊電腦救星".....

我覺得要討論單面跟雙面的問題....

小時候老師給我講「帥哥」的定義,我百思不得其解,後來同學給我拿出了一面鏡子。喔啊!突然間我明白了..
我要講的是

CL11 就是 CL11

1600 拿到 1333 會被強制降速

所以反而會變得比 1333 還要慢
而不是 相等
因為 1600 在 1333 並不會用 1600 跑

但如果他能 用 1600 跑的話
會因為速度提高,就算是 CL11
結果也會因為速度提高而比 CL9 的 1333 還要快

如果要講得這麼白話的話

簡單說,主機板限制就是限制
商人都會騙人,拿 1600 沒有比較好,而是看運氣會不會
因為晶片速度快,看能不能讓 CL11 變成 CL9
如果不會,搞不好連原本的 CL9 都變成 CL11 了

但建議去找 1333 CL更低的好RAM 會比較好嗎??? ,答案是不會

因為你是加記憶體,所以就算裝快一點的 CL7
也會被主機板強制同步,結果就算你裝 CL7 的 1333
也會因為你原本裝 CL9 而強制同步成 CL9

所以為什麼一堆人一開始選好一點的主機板,多個幾百元
除了買心安,也是買效能

還有更慘的是 1600 的他因為偷料沒有配 666 的運作模組而是配 533 跟 800 的模組
所以,放到 1333 的主板,反而偵測不到而不能用 666,反而讓原本的 1333 降速 變成 1066 跑

所以,好的記憶體貴不是沒有原因的

kevinciou wrote:
這篇文章跟"你的觀念...(恕刪)
Hello !! I'm Jones ^^ 賴:Jones.Lee.Info 歡迎找我聊天喝茶
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