JHHC2006 wrote:
說到軍規，我還是忍不...(恕刪)
這個才屌....相對msi的軍規就鳥鳥的....
微星主打的軍規用料主要是這幾個：Hi-c CAP（高導聚合物電容）、SSC（固態電感）、Solid Cap（固態電容）
DrMos
先說DrMos技術是什麼好了，其實這項技術不是微星獨創，也不是什麼新發展出來的技術，在十年前Intel就已經跟各大板廠宣傳DrMos這項技術，只是這個技術成本高昂多出好幾倍。
他是將以往控制傳統電感相位的三種MOSFET晶片整合在一個晶片裡，製程也從原本的0.25微米進步到65奈米，他的負載流量比起其他板廠的MOSFET晶片高出許多，也提升了有效轉換率，可以讓晶片的溫度更低，壽命也因此可以更長。除此之外，由於整合於同一個QFN封裝內使On/Off Timing可以更精準，使得穩定性也大幅提升。
一般的供電模組設計，每一相位都會有 MOSFET Driver 、 High-side MOSFET 及 low-side MOSFET，DrMOS 晶片整合了這三種晶片於同一個QFN封裝中
所以可以看到，同個價位的主機板，像是華碩就有十幾個電感，可是微星頂多六個、七個，幾乎只有一半，但是實際使用的時候，也發現雖然只有六、七個電感但真正用到的可能只有三、四個，要全部使用除非開啟燒機軟體才能做到。
Hi-c CAP
再來是Hi-c CAP高導聚合物電容，用的是鉭質核心這種稀少金屬用料，介質是伴化鋁或氧化鉭，負極是則是固態高導電聚合物，優點是體積小，但是擁有跟一般傳統電容一樣的電容量，所以都會被使用在筆記型電腦上，但是這種電容相對於一般的傳統電容成本較高，而且有較低的電阻，而且比過去的鉭質電容在漣波電流、損失角等各方面的特性表現更好。
要知道電容漏電會導致供電系統供電不足，從而會影響芯片的運作穩定度。一般傳統固態電容的漏電值約在1200μA，Hi-c CAP只有85μA，穩定度跟電源效率都有提升。
一般電容的阻抗值會因工作頻率不同而大幅度提升，而 Hi-c CAP 電容則可以在各種不同的工作頻率下，依然保有低阻抗的特性表現，進一步提升處理器電源的轉換效率。至於耐久性方面也提升不少，但是數字都很唬爛，隨便官方怎麼講啦。
我都盡量避開一些測試出來的數據，像是效能提升了2.5倍或是壽命延長10倍這種「理論」的數字....很多都只是為了廣告效果，要知道到底好不好，還是要深入去研究這個「物質」是什麼。
SSC
電感的作用就是穩壓啦，用來輸出電流。 依據負載狀況，處理器隨時會需要必要的電流量，當超頻且高負載運作時，所需的電流量就會瞬間拉高，SSC就是為了保持最高質量與穩定度。
先來了解一下電感的內部構造，普通電感其實就是小型的電磁鐵，藉由磁電共生的原理，將電流轉為磁力儲存下來，有需要時再由磁力轉回電流。 因此其內部就是線圈和金屬棒所構成，電流通過線圈之後產生磁場，磁力被儲存在金屬棒內，不通電時，金屬棒的磁力就會轉成線圈上的電流。
傳統電感有一個很大的缺點就是高頻噪音。 當處理器需要極高的電流量時，線圈或金屬棒都處於滿載的狀態，而產生的磁力讓兩者互相干擾而震動，此震動速度非常快，因而產生極高頻的噪音。小則聽不見，大則讓人受不了。
SSC固態電感本身是一體成型的設計，線圈整個是埋在鐵塊裡，就像大樓裡的鋼筋和水泥，跟一般傳統電感不同的是一般電感是金屬棒與線圈的分離式設計。 電流量再高，SSC也不會震動，因此也不會發出擾人的高頻噪音，一體成型的設計也比傳統電感來的堅固，在防突波的能力上也較高。
Solid Cap
其實這個沒什麼好介紹的，因為跟其他的板廠都一樣，現在好像不是全固態電容就不能拿出來賣了 @@"
貼個圖，耶！
(網路爬文分享 ^^)
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