Komii Toy Reviews wrote:
M1 Max 的 code...(恕刪)
如果了解dicing saw製程，就知道這是不太可能的
為什麼?
對準pitch，沿著切割道切下去，就是由左到右一刀到底通透，沒法中間停下來讓一讓的
lfjadsflk wrote:
這樣有個好處，就是你能夠事先確認要封裝在一起的晶片都是良品的，提升封裝良率～（畢竟晶片面積越大，良率就會下降）
再加上Apple 的UltraFusion 專利，可以達到低延遲，低功耗，高速傳輸，穩定供電，強化散熱，提升良率降低封裝成本...的成效～（ 更詳細的內容請自行參閱專利文件 ）
這部分邏輯我能理解。
我那段話的意思是：依照影片說能夠在 die 裡面進行切割的狀況下，他自己後面提到 M1 Ultra 的做法顯然就不合邏輯。因為我只要先切出一整塊「兩個把訊號集中在邊界的晶片」，測測看這整顆能不能跑，不能跑我再切開來測就好。但我本身就不覺得 die 可以直接這樣切割，所以我覺得影片後面幾乎都在亂說話，專利大概也不是那樣解讀的。
我底下回覆的那位大大的說法我就可以理解(姑且不論是不是真的是專利裡面說的做法，因為我也沒能力確認)：實際上相連的部分是後面多一層的，那這樣影片最後面講 M1 Ultra 怎麼做的邏輯才會順。
但問題是，我不覺得影片是這個意思......
jhlien wrote:
台積電應該是在12" wafer上先做出 M1 Max.....經過測試後就知道哪些 Die 是 Good Die
然後用另一片wafer 做出Silicon Interposer (其實就是類似長metal導線而已, 當然最表面要長銅柱), 接下來將好的 M1 Max Die放上Silicon Interposer wafer上(此時M1 Max已經兩兩相聯了)
之後整片Silicon Interposer wafer拿去再次測試, 此時就知道哪些兩兩一組的M1 Die是好的可以用作Ultra.....其他連結上不好的, 從Interposer上切割下來包成M1 Max來賣
ps: 因為此時M1 Max Die已經黏在Silicon Interposer wafer, 與其把M1 Max Die取下, 還不如直接跟著分割切下的Silicon Interposer wafer一起包進substrate內
因此有人說 M1 Max上可以看到一半的 Interposer 在底部
依照目前的說法來看，這樣好像就挺合理的！
原來一開始就一層 interposer 做好都接通，之後再裁切就好了。而且這樣 interposer 自己一層，長度應該也可以到 mm 等級，也符合了我目前查到資料說能切割的粒度。
不過還蠻好奇，原來晶圓製造中是有辦法確保切割下來的 die 可以在這麼小的尺度上對齊到底下要連結的電路嗎？
可愛的卡比 wrote:
不過還蠻好奇，原來晶圓製造中是有辦法確保切割下來的 die 可以在這麼小的尺度上對齊到底下要連結的電路嗎？
這在現有的半導體封裝上不是難度啊？
晶圓上Die的 Pad在四周, 這樣要作上下連結的封裝確實有難度, 因為Pad跟相鄰的 Pad 間距太小且Pad面積也小
但是一般都是作RDL+Bump.......把Die's Pad重新re-layout線路到晶片中間例如排成20X20整整齊齊的矩陣Pad, 之後長上 Bump後, 就可以跟其他東西封裝連結在一起了
Inperposer wafer放Die的地方也是先RDL把接點做好20X20的矩陣Pad與M1 Max Die's bump連結就可以了, 這樣用目前的bumping封裝製程就不是很困難了(已經接近mm等級了)
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