晶片漏電與產生過熱問題..


先進製程微縮目的 常見有兩個:
1. 增進速度 (Speed)
2. 減少耗電 (Power)

通常都是先微縮之後, 測試效能, 再去解決麻煩的漏電問題..
當這兩個問題都解決之後, 隨著良率提升, 才能稱可量產的"完全-成熟-產品". 將其賣到消費者的手上..


[28nm to 20nm 速度與耗電比較]
晶片漏電與產生過熱問題..


[20nm to 16nm 速度與耗電比較]
晶片漏電與產生過熱問題..


[20nm to 14nm 速度與耗電比較]
晶片漏電與產生過熱問題..

28->20: Speed: +35%, Power: -50%
20->16: Speed: +35%, Power: -55%
20->14: Speed: +20%, Power: -35%

發現上面數據好像有亮點..
不過這只能參考, 只是網路上公布的數據
畢竟同一世代製程也分有很多種類,
而且產品最後用哪一種製程細項我們也不會知道的...
最後仍必須以官方產品發布的為準...


英特爾新製程 晶片漏電問題獲重大突破
裡面當中有一句話:
最新電腦晶片製程常有電晶體的電流漏電,進而減損電池壽命產生過熱等問題,半導體產業主管警告,若不能有效改善此一問題,產業追求電路微小化的步調勢必會放緩,不利電子產業降低成本及經營績效。


也許, 台積電,只是盡到該做好的本分而已:
負責任的 將"完全-成熟-產品" 交給消費者使用..

晶片的訂價與付出的辛勞與成果當然要成正比才合理...

隨便砍價晶片做殺價競爭, 除了是否定自家員工付出之外,
是不是也否定了自己產品能力?!

不知道大家有沒有一種感覺, 自從使用iPhone6之後, 似乎很少使用行動電源了?

不知道這與 iPhone6 的A8晶片全部都是台積電代工的有沒有關係?

iPhone6拆機證實:台積電擠走三星代工A8晶片

以後產品註記上[TSMC Inside] 不知道是否有加分作用?
2015-10-12 21:18 發佈
文章關鍵字 晶片漏電 問題


幾十年前看到 Intel inside 那種領導者的驕傲與霸氣
AMD 表示 ........


能標 tsmc inside 當然是國人之光


畢節望族後裔
193 IMM 之後
接下來是 3D IC 的競爭
簡單來說 就是利用晶片層的堆疊來減緩IC中擁擠的程度,其中包括
1.電晶體堆疊
2.封裝層次的堆疊
3.裸晶堆疊/晶圓片堆疊
這已經不是什麼新的構想,這種想法在業界至少已經有30年的時間。
但是,過去一直可以在平面製程或設計工具上努力,達到摩爾定律的需求。

2011年,Intel 為了延續摩爾定律,
推出所謂的三閘極(Tri-gate)的3D電晶體。
對於這個製程,Intel 早在 2002 年就已經發展,暗示著未來電晶體發展將會朝著 擺脫二維(2D)平面電晶體結構 這個方向運行
但是,這個三個面的電晶體結構並不是3D IC,頂多只是3D電晶體。
按這裡檢視外部影片 (按這裡在新視窗中開啟影片)


有人考慮到利用第三維來創造3D IC,也就是透過高度的堆疊來整合不同的IC。
不同於3D封裝裡面的元件是離散的,
都是在元件的周邊利用 Bonding Wire 相接,
3D IC則是一個獨立的IC
透過垂直與水平整合來大量提高整合密度。
按這裡檢視外部影片 (按這裡在新視窗中開啟影片)

台積能夠有好的製程 因為有許多厲害的RD
在 2D 的競爭時代拿到霸王的頭銜 因為他們有好的設計
接下來 3D IC 才是另一項挑戰的開始
摩爾定律能不能繼續由台積來驗證
真心希望台積加油
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