fbi900121 wrote:
難得出現的好文
光這篇就將酸酸們的臉打到又紅又腫了
打臉 ?
一般隨身碟不會像手機如此讀取頻繁
耗損平均技術我早在先前就有說過了.且提過不止一次
也因為此技術的原因讓壽命提升
讓TLC不會在保固內損壞，沒那麼容易
這技術早就在SSD上行之有年，MLC技術早就成熟
控制晶片再怎麼爛，也爛不過剛發展的TLC控制晶片
蘋果真的能有效掌控TLC特性讓控制晶片發揮到最大功用嗎 ?
很遺憾的是，可能還在慢慢修正中
但再怎麼提升，也提升不到MLC的壽命值
簡單而言，MLC就算用爛控制晶片，技術早就成熟
基本壽命就比TLC+好晶片更長命
而每寫一次，TLC無論控制多優良，還是會逐步損壞
控制晶片到後來也只好標記此區塊
畢竟先天性就比較容易壞
[分享] 【TLC=TCL=太差了】廉價TLC為何不耐用及TLC原理
這裡有更詳盡的工作原理
引用重要內容如下
"問題在於，閃存單元每次編程或擦除的電子穿越過程都會導致矽氧化物的損耗。這東西本來就只有區區10納米的厚度，每進行一次電子穿越就會變薄一些。也正因為如此，隨著半導體工藝的進步，矽氧化物越來越薄，耐用性自然就更差了。
矽氧化物損耗得差不多之後，原子鍵就會斷裂，部分電子可能會在穿越過程中被困在氧化物中，導致負電荷積累，使得閃存單元再次編程的時候抵消控制柵極的部分電壓。擦寫時間也會因此延長，因為在達到何時的電壓之前需要更長時間、更高的加壓。"
"【TLC壽命真的不夠用麼？】
完美的磨損均衡和寫入放大係數應該是1x， 250GB固態硬盤的終生寫入量就是256TB，編程/擦寫次數1000，只可惜完美是不存在的。得出確切的使用壽命是很難的，畢竟每個用戶的情況都不一樣，不過一般人平均每天寫入量不會超過10GB，那麼一年就是3.65TB，只相當於256TB寫入總量的1.4 ％。
當然了，NAND閃存寫入量實際要大於主控寫入量(這就是係數不同)，但即便寫入放大係數為10x，每年也就36.5TB，編程/擦寫次數大約143，算下來依然能用七年，即便是120GB型號也能用三年半。雖然這之後不如同類型MLC閃存硬盤的三分之一，但考慮到電子產品的更新換代頻率，一般來說也完全足夠用了，只不過壽命後期的性能會差一些。
三星也很明智地沒有提供60GB NAND型號，畢竟其理論使用壽命不會超過兩年，三星存儲產品質保時間可是三年呢。"
"記住，主控制器是無法改變編程和擦寫電壓的(部分可以後文再說)。如果原本設計的電壓值工作異常，主控就會嘗試不同的電壓，這自然需要時間，也會給矽氧化物帶來更多壓力。
簡單地說，SLC的電壓狀態最少，可以容忍電壓的更大變化，MLC的四種狀態也基本可以接受，TLC的八種就太多了，電壓可變餘地很小。在不清楚確切的所需電壓之時，就不得不將同樣的電壓分成八份(SLC、MLC分別只要兩份和四份)。在使用過程中，編程和擦寫一個TLC閃存單元所需要的時間也越來越長，最終達到嚴重影響性能、無法接受的地步，閃存區塊也就廢了。
另外，隨著閃存的磨損，所需要的ECC錯誤校驗也越來越多，因為錯誤的發生機率更高了。這對於TLC又是一個麻煩，因為需要糾正的數據比特多達三個。雖然如今的ECC引擎都很強大了，但到使用後期，與其費勁糾正錯誤，還不如直接廢了整個區塊。"
為什麼當初SLC被MLC取代時，反對聲音並沒現在用TLC取代那麼大
光是技術層面就可以發現，TLC無論怎麼優化，原設計就是比較容易壞這是事實
控制晶片技術再優良，還是改變不了底層就是爛芭樂的問題
為什麼64GB的iPhone還有MCL版本
因為經由上述文章換算，其64GB TLC理論壽命基本上就是兩年
(請記住，這是隨時隨地讀寫的手機，而不是久久寫入一次的隨身碟)
64GB蘋果敢全面採用TLC嗎 ? 很明顯就是不敢..事實勝於雄辯! 不敢就是不敢
不像128GB TLC就是全面採用，因為理論壽命64GB相對低上很多
既然64GB還有MLC可以買
我不懂，當各位詳細看完本文引用連結文章後，還會覺得64GB TLC是好貨沒關係
但如果蘋果開放隨意更換
那我想很多人願意拿64GB TLC去換64GB MLC...
包括支持TLC的這些人 (身體往往是誠實的)
)
