小弟5S已更新至10.2.1，原本不敢更新，深怕執行APP速度會很慢，沒想到更新後反倒正常
電量部分也是正常，沒有異常耗電現象。
只是耳機插進去沒有反應，以往插耳機後會顯示畫面...
就這點比較麻煩
WOLFLE wrote:
MLC很爛，SLC才...(恕刪)
好吧，數字會說話。
ＳＬＣ：（單階儲存單元）
SLC快閃記憶體的優點是傳輸速度更快，
功率消耗更低和儲存單元的壽命更長。
缺點是生產成本高！所以消費市場已少見，
常用於惡劣環境下！太空用、軍用、工業用、商用。
這是『夢幻逸品』！
舊製程可承受十萬次抹寫
新製程可承受六萬次抹寫
ＭＬＣ：（多階儲存單元／雙階儲存單元）
相對於SLC，MLC擁有價格優勢！
MLC快閃記憶體可降低生產成本，
但比起SLC快閃記憶體，其傳輸速度較慢，
功率消耗較高和儲存單元的壽命較低，
好的主控，可進一步減緩MLC壽命降低。
目前的消費市場主流，但有機會新一代的TLC取代。
舊製程可承受一萬次抹寫
新製程可承受三千次抹寫
ＴＬＣ：（三階儲存單元） 主導者：三星
這是最新科技，只有新制程，
TLC的寫入速度比SLC和MLC慢，
最頂級的可承受一千次抹寫。
因為壽命短，所以目前較常被稱為3bit MLC來混珠摸魚。
對於主控的要求較MLC嚴格許多。
新製程可承受一千次抹寫（頂級，一般了不起800次)
ＱＬＣ：（四階儲存單元） 主導者：TOSHIBA
比TLC更新的技術！
容量是TLC兩倍！
可是壽命更短，可抹寫次數只剩下150次(頂級)，
單位生產成本更低，但主控的要求相對更嚴格！
新製程可承受150抹寫（頂級)
建議支持TLC的用戶挑選最新科技ＱＬＣ！
俺就挑最舊的科技ＳＬＣ，這樣偶就滿足了！
因為資料無價！
可惜，SLC…可遇不可求…
市場上太少見了…
就算品質最差的SLC顆粒，也都比最好的MLC顆粒來的耐用許多。。。
PS：筆者目前主要採用SLC SSD。爽爽用！XD
但，更期待IBM的Phase Change Memory(相變化存儲器)，
IBM根據相變化存儲器(Phase Change Memory)修正後開發的新型態儲存裝置，這項技術還可通過減少在疊代之間讀取數據時導致的延遲開銷，大大提高採用大型數據集的機器學習算法的速度。IBM則表示其開發的PCM在讀取和寫入速度方面比NAND Flash快上數百倍，預計可進行1,000萬次讀取循。
相變化存儲器(Phase Change Memory)與DRAM不同，在斷電時不會丟失數據，並且這種技術可實現至少1000萬次重複擦寫次數，而普通的USB快閃記憶體記憶棒(U盤)最多只能重複擦寫3000次。另外，相變化存儲器(Phase Change Memory)存儲器可以獨立使用，或者用作混合應用設備的一部分，此類混合應用設備整合了相變化存儲器(Phase Change Memory)和快閃記憶體，以相變化存儲器(Phase Change Memory)作為速度極快的高速緩衝存儲器(Cache)。在消費領域，手機的作業系統可儲存在相變化存儲器(Phase Change Memory)中，使手機可在幾秒鐘內開機。在企業領域，整個資料庫都可儲存在PCM中，可為時間要求苛刻的在線應用(例如金融交易)提供超快的查詢處理。
不知有生之年…看的到嗎？
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