YUN12345 wrote:
3年內穩當？那等於...(恕刪)
「3年內穩當」應該是指撐3年沒問題吧！？何況IPHONE就算加保也只保2年而已，屆時那堆IPHONE6過半都已過保了，會有啥成本？況且用戶也不一定有辦法證明手機不穩是TLC的錯啊
打死不承認就好了啊，打官司也是要時間的，有多少消費者會為了殘值沒多少的手機打官司？？
對APPLE而言怎樣算都不賠啊
小弟本身是iPhone 6 Plus 128GB 的使用者, 官網開放訂購日當天早上7:03分的訂單, 目前已經使用了17個月.
當時看到很多先進的分析, 覺得可能我的iPhone命不長了, 最後決定忘掉TCL, 好好享受我的iPhone, 等壞了再說吧.
一直到昨天看到這篇關於TLC的文章, 猛然發現好像我的手機也用一段時間了, 目前依然健在, 每天上01也沒有看到大規模的死機災情, 所以才覺得好奇, 並不是因為擔心手機壞掉之類的.
謝謝各位熱心回覆, 也希望不管是推測或是正確資訊, 大家都可以良性發文討論, 讓有些現在才進來蘋果版的新朋友有新訊息可以閱讀, 否則他們看到的TLC文章都是一面倒罵蘋果, 相信這也不是喜愛蘋果的大家所樂意見到的.
cheonglee wrote:
三年內穩當，不代表三年後有大量問題，
只是說三年內有問題的機會率低得很。
而按照現在一般iOS 設備每天寫入量來計，5GB很多了...(恕刪)
很多系統問題不是實驗室數據可以唬過去的
最重要的是系統實際在運行是整個磁碟不可能平均寫入
ios或硬體為了TLC來搞全磁碟平均寫入
那系統會變慢
耗電量也會激增
因為就得一直消耗系統效能去補強
尤其是有些磁碟區塊是OS的暫存區
每天讀寫的次數會超級多
這些區快會很快就壞了
就算使用平均寫入技術
只要磁碟空間使用很多
就會更拖慢速度
如果要提升效能就要犧牲壽命
因此重點在於不可能以實驗室的數據來進行全磁碟耐用性推估
那只是理想值
實際上系統要不變得很慢或壞的多(壞的多然後容量變少就更慢了)
因為OS相關使用的區塊每天肯定會大量讀寫
所以實際使用時磁碟讀寫極度的不平均才是常態
為了改善因此就得額外的做許多軟硬體上的修補
因此要不就是慢要不就犧牲壽命二選一
只有實驗室才有可能進行完美的平均讀寫的測試
別再濫用專業去騙一般人了
MLC就是沒這樣的缺點
TLC則是省錢的爛料
我就不懂蘋果明明就是定位在高質感的精品
就偏偏為了貪婪要省這種錢
就好像強調品牌價值的包包卻用塑膠拉鍊
不只不耐用還用不順手
只能說這間公司的貪婪也不是第一次了
歷史不斷的重演
同一間公司失敗的歷史能演兩次也是難得了
sonic172 wrote:
很多系統問題不是實...(恕刪)
連Micro SD Card 入面的主控都有ARM微電路做 wear leveling
。五六年前的32bit ARM CPU 都己經有專門電路做NAND的最佳化以配合使用的NAND了。
Apple幾年前就收構了一間專門研究主控的以色列公司，有專利技術做芯片電壓級效正伺服級用主控軟件。
Apple專利技術達到利用NAND上的溫度差和電壓差來檢測NAND有沒有問題
而技術都己經應用到所有Apple產品，如最新的MAC SSD上。
iPhone 6s 走的PCIE+NVMe，比太多的桌面機還要先進
寫入300次是說OS本身能寫入量，寫到NAND當然更多，所以本身NAND是能頂受1000次，當寫入放大約三倍。
還有現在的NAND做甚麼全磁碟重組，觀念還停在三四年前沒有Trim主控陽春的年代，那時才興用甚麼怪招全再寫入來所謂復活，那是主控缺陷（強迫証到硬要回復當初買回來做檢測時的Benchmark分數），但更多是沒事拿來做，NAND是越零碎越好，幾年前的M4就基本不用到這所謂的怪招。
NAND就是很簡單人類科技，完全能在實驗室評估到效能和壽命性，現在會突死，百分之九十九都不關NAND事，是主控問題較多。
TLC慢是另一回事，TLC一定比MLC慢，但加持了Cache mode 一般用戶大部份時間無感就是了，因為在IOS大部份檔寫入卡在USB接口速度上，日常使用緩存給RAM Cache消化掉，影響沒大。
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