結果都沒有拿出實際論點來
果然紙上談兵比較容易
ianwang1 wrote:
淺水的路過...食品...(恕刪)
我覺得一直拿HTC出來批真的不太公平
客觀看一下兩年前的ONE S事件
1.國際發表會是公布S4 CPU規格
2.後因TSMC良率跟不上，除了歐洲少數地區的LTE機種維持S4規格，其餘國家全部降為S3 CPU
3.規格表全都有清楚標示細項規格
但看看網路至今仍拿HTC出來鞭的理由是什麼?
1."偷"換心? A:規格寫得清清楚楚
2.給台灣人用次等貨? A:這是只揭露部分事實的講法，大部分地區都跟著換，只留少數LTE開台地區一定要用S4才支援LTE沒換
我真心覺得ONE S換心事件是當時的三星寫手渲染出的抹黑議題
很多人會拿來跟這次IP6比較，代表很多人腦中對那次事件的印象還是"偷"換心
但明明HTC規格表就有標明CPU型號
Ken213 wrote:
不是喔，請看看香港專...(恕刪)
你貼的跟你說的不一樣啊
樓主是說TLC因原理關係比MLC慢很多
你裡面貼的也是說TLC比MLC慢很多，但APPLE有給TLC機種用記憶體去做快取
所以小檔案傳輸速度的實際表現反而因有快取而大幅領先，但又因拿記憶體去作快取，
變成容易記憶體不足閃退，傳輸大檔案讓記憶體不夠作快取時，速度又會變成極慢
TLC 本身的需要控制器進行資料校正。
現在最新的作法TLC
校正法
最新QLC 就是用硬碟常與資料校正處理來進行資料品質管理
舉例寫入三個區塊， A B 兩個4KB資料區， C為4KB 校正碼區。
A B C 如果任何一個產生錯誤， 可用 任何兩個去補回正確資料內容。
但是這些都需要控制器與去配合演算。 QLC時代快來的
ssschkuo wrote:
4. 所謂的記憶體寫入，就是對記憶單位的"充、放電"。
記憶體讀取，就是依據記憶體電位，判斷是0或是1。
5. 0、1兩種電位，很單純，充飽了就是"1"，放電放光了，就是"0"。
01234567 八種電位，就很麻煩，怎麼控制這八種電位，讓人頭大。
6. NAND FLASH 的設計概念是，所有的記憶單位，都先充電到飽，通通都變成"1"。要寫"1"的就不動，維持在"1"，要寫"0"的，就放電到"0"。
7. 不管是0、1兩種電位，或是01234567 八種電位，怎麼知道它寫完了? 很簡單，就是不斷讀回來，跟你預期的資料比對檢查。比不對就再放電、再比、再放電、再比、再放電、再比......
8. 很蠢，對不對? 沒辦法，你要大容量，又要便宜，就是要多浪費一些時間。
所以 NAND FLASH 設計來，就期望你寫一次就好，可以讀好幾次沒關係，就算要寫，我也找別的空的地方讓你寫。
9. 讀就沒問題嗎? 01234567 八種電位還真難判斷。製程又一直縮小，隔壁的資料互相影響。怎麼辦? 反正容量很大，就放入更多更多的修正碼，錯得多沒關係，修正得回來就好。
我不知道你是真的有做過非揮發性記憶體還是自己憑空想像,我不能說你的概念錯,但是這些讀寫的物理機制錯得一蹋糊塗...
就SLC Flash而言,注入電子到floating gate我們稱為program,形成電場將通道截止讀不到電流稱為"0",反之把電子抽出稱為Erase,讀到電流稱為"1",跟你講得相反,這些在大學電子學課本裡都有.
就MLC/TLC而言,當Program無法一次到達想要的threshold,會用trim(小量注入)來修正.速度比較慢是真的,每個cell的讀寫次數也不如SLC,但不是你所講得那樣. 而控制晶片會有一些機制來修正或延長記憶體壽命,例如Error correction code 或者 wear leveling等演算法.
製程微縮下Cell遇到最大的挑戰就是leakage,這個我在2006年英飛凌發表22nm cell時,問過當時在交大演講的TSMC研發處長,相信今天flash的瓶頸還是一樣.
在安裝大約百個apps下有重開機或不明當機的情形，還有 delete app 會有延遲或暫時無反應；
但還不清楚實際使用上遇到問題的用戶比例多寡：
http://9to5mac.com/2014/11/04/debunk-128gb-iphone-6-plus-recall-false-crashing-bug-rare/
https://discussions.apple.com/thread/6550902?start=0&tstart=0
https://www.youtube.com/watch?v=JvzA-lHWHTo
http://www.technobuffalo.com/2014/11/04/apple-may-have-a-huge-iphone-6-plus-recall-on-its-hands/
http://www.phonearena.com/news/The-cheaper-problematic-TLC-flash-in-some-new-iPhones-is-also-a-worse-performer-benchmarks-show_id62991
GaryROC wrote:+1
TLC因原理關係比MLC慢...(恕刪)
不知道蘋果採取用 RAM , CPU 或控制晶片以快取或運算來提升 TLC 效能與壽命﹝降低損耗﹞的方式，能不能逐漸解決 TLC 的 issues;
這種 TLC 記憶體處理方式有可能源自于蘋果在2011年收購的記憶體公司 :
http://news.phonesltd.co.uk/phones/apple/apple-reportedly-to-stop-using-tlc-nand-flash-on-iphone-6-64gb-and-iphone-6-plus-128gb-due-to-high-reports-of-crash/
MLC TLC就是有壽命速度價格差別
很多人就是不太能接受花2萬多也Cost Down的事實
TLC壽命只有2年好了...保固期也過了,原廠只負責保固內維修就好了
這下連iPhone也Cost Down用TLC...會不會帶動其他廠商跟進,機會很高
反正我只買3千多的Android機子,就算給我Cost Down也用TLC,用1年多過保後掛掉
我也認了...才3千多不太痛...
iPhone 2萬多就非常痛了...
至於SSD部份...早期SSD貴大多用MLC,後來SLC的SSD能見度越來越低,大部份都是MLC的SSD
現在很多SSD價格降下來了,會不會出現用TLC的SSD,跟傳統HD來拼價格
1TB SSD也賣2000元,但是是用TLC...有可能,因為要便宜...
比照iPhone一樣1年保固內維修就好了,過保你家的事...
那這樣的SSD有市場嗎..Yes
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