滷肉飯一大碗 wrote:
同意樓主的看法，很多...(恕刪)
TLC容許寫入讓很大嗎？
至少我不這麼認為
之前某大品牌TLC 16G隨身碟，買兩隻
平均三個月寫壞一隻（連換三次新品，第三次換時我直接未拆封低價出掉）
而32G TLC 的大概我也寫壞兩隻了（約一年多）
反而是早年MLC的，都這麼多年了用到現在還好好的
所以你的算法最少都還要乘上4。
不過再怎麼算，那些在意的人還是不管。
人家在意的奇摩子…
他們在意的是花同樣的錢，為什麼人家拿的是mlc，我的是tlc?
有些人也是同樣是結婚，為什麼人家娶的是處女，我娶的是改嫁的?
奇摩子不爽，講再多道理都沒用。
Dennies wrote:
從三星寫手門事件之後...(恕刪)
您對Nand flash的認知似乎有點過時..幫您更新一下..
1.NAND Flash的耐受度及性能是會隨著物理製程演進而下降
耐受度(Endurance)一般是以寫入/擦除次數(P/E cycle)來衡量。一個寫入/擦除周期是指寫入數據到Flash然後在寫入新的數據前擦除。而性能則與所需ECC修正位元數多寡為負相關，過去SLC僅使用1bit ECC，P/E Cycles為100K，到了2xnm已下降到約60K，MLC從5xnm製程的P/E Cycles有10K、需4bit ECC，到3xnm製程C其P/E Cycles已下降到5K，且需要 8bit ECC；2xnm製程下降至3K、ECC修正位元提高到15～24bit。而TLC記憶體的P/E Cycles更已下降到1K以下，需72bit甚至上百位元的ECC。
2.flash的P/E Cycles與壽命，隨著其容量被佔用的百分比的增加而逐步降低
以MLC Flash為例當僅用到10%容量時，整體P/E Cycles可以100%達到3K，使用壽命達到5年；當Flash使用50%容量，此時P/E Cycles、使用壽命可能減半成為2年，在一個頻繁使用到近100%容量的環境下，其P/E Cycles數與使用壽命就會降到一年。
3.TLC的錯誤迷失
市場上TLC產品的出現.主要是出於成本考量.並非是TLC顆粒的性能或耐用度不佳的缺點.得到改善.而是藉控制晶片使用更先進的編碼技術.或更多的預留空間..彌補其先天結構上的弱點.但隨著製程演進.控制晶片的性能將越來越受到考驗.
關於apple這次的TLC風波..個人感覺實在有失厚道..從iphone6 plus系列手機訂價來看16g訂價25900,128g為32900.價差為7000.每gb單價相當於7000/108約65元左右.而市面上使用MLC顆粒容量為256g的SSD訂價最高的一款也低於5000...平均行情落在3500左右每gb單價為13.5.很明顯iphone6plus系列所搭配的記憶體.其單位成本遠高於市場行情..由於沒有提供外接記憶卡的介面..如果對系統記憶體有大容量的需求時...您只能接受aplle這不合理的單位成本...-而iphone6 plus 128g的訂價本就已經高得離譜.卻還使用更便宜的料件充數.這無論如何都說不過去.....
Dennies wrote:
從三星寫手門事件之後...(恕刪)
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