現在 finfet 那幾nm 都只稱呼

BULK (平面) cmos 28nm 是末代 , 再來 22n, 下面 finfet , 俗稱 2nm 會 GAA

現在 finfet 那幾nm 都只稱呼

現在 finfet 那幾nm 都只稱呼
「Intel 20A」則改採埃米(1nm = 10Å)進行命名,並導入我們先前介紹過的RibbonFET(Nanoribbon


現在 finfet 那幾nm 都只稱呼

現在 finfet 那幾nm 都只稱呼


現在 finfet 那幾nm 都只稱呼

EUV 也要 多次曝光 .

ASML hyper NA EUV 2030?

ASML hi NA 0.5 EUV tsmc intel 三星都有

ASML EUV na 0.33 很多家用 波長13.5奈米

DUV +浸潤 : 193奈米的波長,它到了水之後,因為水的那個折射率是1.44,普通在真空是1,所以到了水裡,波長從193掉到134奈米,光的波長減短了,那它的解析度也就會增加了

林本堅以浸潤式微影技術開創產業未來

DUV 中國目前做 DUV 是 248nm
2024-11-23 20:04 發佈
文章關鍵字 finFet nm
taiwan2008 wrote:
BULK (...(恕刪)


High NA EUV 目前三星應該沒有
NA值是0.55

其實TSMC會不想急著買是因為這一代的5000系列是剛出來
其實不用High NA EUV也可以做到2nm
所以台積電要的是後續的5500機種⋯
taiwan2008 wrote:
DUV 中國目前做 DUV 是 248nm
(...(恕刪)


一般量產型的DUV (Deep UV) 是用KrF光源的193nm波長, 浸潤式我們則是用193i (immersion lithography)表示

要用DUV做7nm製程四重曝光SAQP製程要用到193i

248做不到⋯
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