A博 wrote:
不要怕別人賺錢,只要對方能為你賺得一塊錢
您都要自己來
我都覺得overhead建商拿有甚麼不可
Sinfield wrote:
您都要自己來我都覺得overhead...(恕刪)
這也是實質考慮到所有住戶利益後決定的方向,當然這方向對我來說是很累而且會引來人身攻擊問題,我們的住戶最小戶的得利只有千萬上下,這還是我以最大效益化能為其爭取到的,如果採用建商做法他能得到的更少,就失去了都更誘因了,如此一來這些小戶就很容易成為釘子戶,不像現在小戶都非常積極同意都更,能產生億元以上得利的戶數不超過30戶,因此這是經由分析後確認在初期最有效方法(人頭數遠遠過半,權重剛好過半),目前執行起來也算順利,而且這方法對大戶來說是影響更深遠,誰會想要白白最少3000萬去免費送建商?所以未來也不可能有建商可以染指住戶群來推翻既定的作法
KingDavid520 wrote:
這麼羅曼蒂克的燈光，(恕刪)
我看了一下很多YT博主在鬼扯蛋3nm製程
忍不住去吐槽一下,順便轉貼上來...
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3nm 也是FinFET, 所以不是甚麼量子穿隧的問題, FET的透過絕緣層來產生感應電荷,不也是廣義的量子穿隧問題?都是FinFET, 製成微縮只是平面上的尺度縮小但是導通面積可以靠拉高Fin的aspect ratio來達成~
一般製作這種視頻的,都沒有專業的半導體製程的經驗!
製程微縮,除了黃光製程外,接點的via aspect ratio也變大,也有填溝的問題
製程微縮,很多人都不知道,half-pitch變小, 景深DOF也變小,那就要更平坦的晶圓表面,所以CMP化學機械研磨的要求更高~
很多人不知道,黃光可以rework, CMP做不好就完了,所以從7nm開始的量產初期難產,有些是CMP的問題~偏偏YT博主都不知道CMP的重要性~
黃光製程微縮,填溝, CMP都常常在卡關,從7nm製程就開始了~
如果只講黃光效應,隨縮製程因為景深變小,光阻厚度也要變小, 現在的EUV製程會讓光阻照光產生二次電子卡在光阻上,造成隨機曝光,記得以前的論文說是無解,不知道GG怎麼克服~
很多人也不知道,最小線寬常常不是EUV製程,而是用SAQP自我對準四重曝光,這種方法的好處是拚線寬不用拼解析度,而是控制spacer沉積的厚度,所以才會容易地從7nm微調成6nm, 5nm為調至4nm, 3nm我覺得有一半的機率還是會用SAQP製程來製作fin~
3nm就嚇尿,那2nm問題更大, EUV曝光機的解析度不夠了,只能用EUV的雙重曝光,GG練EUV曝光已經搞得半死, 三星與Intel就不用說了, GG能拚出良率也是厲害,但是EUV的雙重曝光, GG應該很想哭, 爆肝爆不完~
2nm製程如果不要EUV雙重曝光,那就要等2025年ASML出的High NA曝光機,可以一次曝光,但GG這種保守的公司,一定EUV雙重曝光, High NA機種單次曝光一起練~
ASML好像已經把High NA曝光機的樣機做出來了, 現在的EUV光學系統才幾噸,High NA的光路系統是重達十幾噸, 現在的EUV曝光機已經一台一億多美金,十幾噸重的光路系統的新機型,要賣多少???一台賣3億美金都不算貴,反正三星會開空白支票給ASML填...
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每天選擇什麼都會永遠的失去這一天
所以不需要在爛人與爛事上浪費一秒鐘~
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