電子大頭 wrote:樓主的機台修得怎樣...(恕刪) 結果實在太瞎了應該是之前檢查靶材時裝反了廠商這次來細部分解後才看到PT字樣是反的因為我沒拆到那個地方過,所以一直沒發現但照片沒仔細看還真的不知道哪面要朝上這個結果應該令你很失望
空白鍵II wrote:結果實在太瞎了應該...(恕刪) 你那個PT是有黏銅背靶嗎,還真厚。照理說PT不需要黏銅背靶直接就可以打的說,裝反你不就之前打的都是銅膜?還有拿靶材要戴手套,人體手上多少有水份和油脂,沾染會影響真空度喔,到時侯要用砂紙磨靶材和清潔會很麻煩,玩真空只要碰到腔內的我都戴拋棄式手套去拿取。你的靶材也挺黑的,該不會是散熱不好吧?
空白鍵II wrote:兩位大大我手碰的地...(恕刪) 你圖是MASK遮罩的部份,它只是避免濺鍍擴散,把濺鍍控制到你製品範圍內,如果脫落或過厚也是要清掉避免短路,貴重金屬作回收。用手直接拿沒什麼問題,只是組合時再用酒精全部清理一次就好,弄好預打一兩次,再正式上即可。
你圖是MASK遮罩...(恕刪)其實那個遮罩不是控制濺鍍範圍主要因素,算是控制濺鍍範圍間接的因素而已,那個遮罩也有人很有趣的叫它做(煙囪)。真空大致上可分粗分為五種,低真空、中真空、高真空、超高真空、極高真空,氣體分子在低真空的狀態下微黏滯流狀態,中真空時為過度流狀態,也就是氣體流動逐漸從黏滯流狀態過度到分子流狀態,此時腔內氣體對流現象明顯的消失,高真空、超高真空、極高真空為分子流狀態,容器中氣體分子數很少,分子相互碰撞次數也相對減少,氣體分子平均自由徑已經大於腔體容器的限度,使得靶材與殘餘氣體分子的化合作用變得十分微弱,這時若要把電漿點起來是不容易的,除非增加反應氣體的莫耳數使分子與靶材碰撞的機率增加,但相對的反應氣體過多在腔體內亂竄時,腔體內真空度也會下降,會使turbo轉速上升,為了使轉速下降,勢必又要將細抽的turbo pump閥門開度增加,閥門一大開,氣體分子在腔內停留時間過短,一下子就被抽掉,氣體分子與靶材表面碰撞機率下降,還會影響濺鍍速率及鍍膜品質,這是一個雙面刃的方法,裝了煙囪(遮罩)的好處就是可以把氣體分子侷限於靠近靶材表面,靶材與殘餘氣體分子間的平均自由徑會減少,就容易點燃電漿,而且氣體分子在濺鍍時更容易被收集來碰撞靶材表面分子,可以增加濺鍍的效率和成功率,一來相對你的濺鍍時的反饋電壓和電流也會大大降低,二來反應氣體也不用開大大,腔內真空度也會提高和穩定,這是裝遮罩的好處。當然遮罩必須要常常清潔,如同你說的裡面很容易會有薄膜鍍在遮罩內側,這些薄膜都會累積電荷,很容易造成arcing的現象,一來對濺鍍時的反饋電壓和電流都會產生不穩定的跳動,二來產生的電弧對靶材表面也是種傷害,最後還會使靶材表面的溫度異常上升,熱應力不好的靶材就會破裂,或是造成濺鍍槍的磁鐵消磁,最糟糕的就是有些脆性金屬、介金屬、陶磁這些靶材的散熱不好,通常都會bonding在銅背靶上增加散熱和與濺鍍槍的接觸性良好,中間會都會用銦(ln)來做貼合材料,溫度一旦過高超過銦的融點流出來,你的靶材就再見了,連同整個腔體都被汙染,不可不慎另外在真空系統裡面濺鍍的區域範圍有幾個重要的控制因素:1. sputter gun的角度2. sputter gun上面靶材表面與你的基座(基板)高度3. 基座(基板)的與靶材間的導通是否良好.......等許多因素棒流爪貴虧 wrote:濺鍍?不就冷卻系統...(恕刪)
那只是個遮罩阿那我PO的圖實在太丟臉了...因為廠商檢查有沒有靶材都是看那個地方我才以為內層那是PT說到電弧每次電鍍時,我從玻璃上看真空腔體內都有紫光有同事叫我不要靠近,說什麼有輻射也有同事說不要直視,會傷眼睛這是真的嗎
空白鍵II wrote:那只是個遮罩阿那我PO...(恕刪) 那是Pt沒錯,是靶材打出的Pt,只是你們是非生產的,一塊靶可以使用3~6萬次左右(當然也要看你們設的條件),消耗很慢,原廠都是由最簡單的方式查起,他們是看遮罩的對面,那塊靶材,看罩上的濺鍍狀況。是不宜直視太久沒錯,不然就像你頭像那樣。