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討論一下有關BJT+MOSFET 電源開關的問題,請各位幫幫忙

BJT的Vbe偏壓不是要大於0.7V?
這樣算起來你的偏壓只有0.67V, 應該是介於要開不開的時候吧!
Why use 39.2K, 有什麼目的嗎?
那個10K不是問題, 讓pin不浮動,
如果是這樣的話, 39.2K應該改小才對吧!
畢竟BT_EN high的時候, 可以視為直流分壓.
關於第一個問題,電源hi-low轉換我懷疑是BT-3v3的負載過重才有可能造成,不然不至於。
看來是雞同鴨講了。
誰在問你bt_vcc3有沒有加電容啦,昏倒.......

你先去請教公司的資深同事,什麼叫作soft start?
再去好好想想看。

你現在的問題,就是沒有作soft start啦,就是這麼簡單而已。

電路原則上,就像amdmorgen講的那樣,但是容值跟r193的阻值,要根據開關的波形來決定。
重點就是mos開關要慢慢開,系統vcc3不能發生drop。

但是也不能拖太久,不然可能會出現挑device的可能。
一般切換在10到100us,應該不是問題。
但是還是要看藍牙對電源有沒有什麼要求。

我跟你説應該用不到choke,頂多用個bead。
你還糾正我是inductor啦,我真的不知道該哭還該笑?

你是真的不知道,ferrite bead是什麼東西?
你analog線路都沒加過這東西?


辛苦的打字,只是為了充實資源回收桶的容量~~

ken510kimo wrote:
to 謝謝指教大大確...(恕刪)


1. R56不能省. R192和R56的值原則上要讓BJT只能處於截止區(Off)或飽和區(ON). R192太小可能會讓BJT進入順向主動區, Vce會增加導致MOS的gate端處於要開不開的狀態

2. 如果不是要求快速反應的開關 把BJT換成NMOS, 如果要防誤動作R56可以留著不然可以拿掉, R192可以直接短路

3. soft start的電容是加在gate端, 用意是讓MOSFET緩慢的開啟(降低Vgs的斜率)來降低Inrush Current
沒有做 Soft start 無誤。

你調那個 R192 不過是在調整 BJT 的 V_Base (R192 和 R56 分壓)而已。事實上,如果 BJT 開關的時間更短,你這個 Inrush current 會更慘,藍牙一開動,系統電源就被強力擾動了,就像你貼的那張圖一樣。

先朝 Soft start 方面努力吧!
不知道要簽什麼的說‧‧‧

ken510kimo wrote:
下圖就是電路的另一個部份,我確實是有加電容在MOS的部份...(恕刪)


有點三條線.
C22高達47uF, 再加上你的LDO只有350mA的能力,
所以當mosfet導通瞬間,你覺得會發生什麼事?
有留C22是對的,但更重要的是在 3V3和Q9間要預留一顆夠大的電容,
預留的這顆可以把它想像成是水庫, 當mosfet導通瞬間,
可以提供Q9後端電路(尤其是C22)的瞬間電流, 這樣inrush current就能壓制下來.

說真的,不知道這電路誰設計的?
你都有一顆MCU可以拿來做控制了,幹嘛還浪費那麼多零件兜這樣的線路?
mosfet就讓MCU串一顆電阻直接去控制就好,也可以很輕鬆的加上soft start的線路.

google 一下吧,可以找到你要的.

另外,提醒你,這些電容也不是線路加上去就好,
如果 layout 時沒走好線,預留的電容會形同廢物一般無作用,
記得一個小秘訣:電流是走最短路徑.

ken510kimo wrote:
注意一下藍芽有沒有power 跟 enable的sequence。
(沒有這些腳位)...(恕刪)


就順便再提這個吧.
香酥雞 巴比Q 是在提醒你, 藍芽(因為你用bt, 所以這樣猜測) 不管是 module ,
還是你們真的自己拿ic來兜, 多多少少都會遇到 power sequence 上的要求,
原因是如果 soft start 太久, 很有可能導致 ic 動作不正常. 所以也不是無限制
的拉長 soft start 的時間. 還是必需依照datasheet去確認有沒有這個要求,
沒寫,就跟原廠FAE作確認. 很多鐵板都是在這種地方遇上.

另外, 如果真的是藍芽(其實可以推類到其它上),那不會只有power 就好,
還會有通訊的介面(走usb,uart,spi,mdio等等).

提醒你, 要確定當 BT 在 power off 狀態, 相關的介面腳位是需在 low 的狀態,
否則很容易發生雖然你把電關掉了,結果這些介面因為還在高電位,
再加上可能ic或module設計時未考量到,就產生漏電流了...

當然,軟體如果配合的好,是可以很輕鬆的解決的.但前提是配合的好
我想您的問題就兩個
1. R192的變化所造成的影響
前面大家都說得很清楚了, 我那個算式應該是正確的, 就推動此電晶體, 當作開關使用的話, 是看Vbe電壓, 要查datasheet 才知道, 看看Vbe是到多少才會達到電晶體飽和工作區
另外你說的當R192變小, 你的系統會開關開關的, 我在猜想如果把 R193 從collector 改到emitter應該會好, 就看你要不要試驗一下了.

2. inrush 問題, 前面已經有某大說了, 要在mos 的gate 上作 soft-star, 一般來說 soft-star 就是利用RC 充電讓你的GATE 慢慢的升高, RC的關係就是 Vth= V_BT * e^(-t/RC)
Vth 就是你的 mos 的門檻電壓, 還是要查詢datasheet, 不過先別急著查詢, 你這個線路看來是不太有機會作了, 就算強加一個延遲 enable 上去也只是調整輸出的前後時間 delay or 超前, 無法調整soft-star.

如果可以的話, 我建議把LDO, MOS, BJT 整合成 PWM, 就很好解了
另外PWM 有的帶 EN, 有的帶SS, EN 是調整輸出的超前或是落後時間, 對於調整 POWER SEQUENCE 很有幫助, 另外有SS角位的 就可以調整緩啟動解決Inrush 過大問題.


題外話, inductor 不是放在 PWM後面的嗎, 你放一個這麼大一顆的inductor在這邊不覺得浪費空間跟成本嗎...
BJT 開開關關可能跟 microchip 的輸出能力有關係

BJT 的突波電流應該跟 FET Ciss有關係

可以試試看把Q10換成 2N7002,R192換1k,R56並聯102p

因為電晶體要拉FET要先看beta*Ib,如果太小還真的會拉不下來
你好~
偶然看到你的發文,只是時間已隔了很久,不知這個問題是否已經解決?我也有使用這個電路.....
若以解決的話是否可以分享你的解決方式?
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