terry0713 wrote:
請問您的 COUPON...(恕刪)
aliexpress 8折頁面 . 他coupon會更新
結帳頁面還能再輸入
ASRDIS15
這是 3e audio給的 coupon , 可以同時使用 .
steventsao.tw 但是因為加了PFFB線路對於TPA3255而言Gain會降9.3dB，此時將R_op-fb 改為28k歐姆，意即OP的Gain變成2.8倍，就可以補回降低的這9.3dB。
steventsao.tw 這時輸入端的OP就不是只是作為Impedence buffer，而是實際有電壓放大的功能了。以上是TI TPA3255 的PFFB電路的原始參考設計。
terry0713 wrote:
您有2選1嗎？Thabamar...(恕刪)
SMSL PA200 這台使用GaN功放晶片，ASR今年1月有使用者分享使用經驗。
Impressions: SMSL PA200 GAN FET Class-D Power Amp
看來這位使用者相當滿意SMSL PA200的表現，認為它海放了 IOM Ultra (NC252MP). Fosi Audio V3 Mono. Topping B100(也是Mono amp)。
不過似乎沒有引起很大的漣漪就是了。
倒是好玩了是，在跟O-Noorus D1賣場的老闆討論的時候，他說的會的D1 Pro會有一個單XLR的輸入口，提供D1 Pro作為Mono模式的輸入。我一直搞不懂實際要怎麼配置這些輸出入口。直到看了SMSL PA200 的Mono模式輸入輸出說明，我終於搞懂D1 Pro未來會規畫的模式(應該是照抄這種設計)。
ghleu wrote:
PFFB就TPA3255...(恕刪)
TPA3255 看datasheet增益是21.5dB，換算電壓放大增益約為11.88倍。其設計有內部回授網路，TPA32xx的THD約為0.01%左右 (原廠說的)。增益比起一般OP-Amp 100dB當然小了非常多，因為TPA32xx不是OP-Amp是功率輸出。
TI說本身已經可以媲美Class AB的THD，而且可以再增加外部負回授，然後它們提出了參考設計大概灌了7.7dB的負回授，增益從21.5dB下降到12.2dB。但是只提出了THD% by 不同瓦數的的曲線，在0~100W以下有下降一點。
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目前市場上的Class D幾乎都有這種NFB loop。差別在回授點是在電感之前或之後。每家做法差異還蠻大的
英飛凌IRS2092: 跟TI TPA3255比較，MOSFET, filter, bootstrap等都是外設電路，回授點在電感之前
ICEpower: 全局負回授 (Global Negative Feedback, GNFB)，電感之後，從輸出端 (即揚聲器端) 取樣。
Hypex Ncore: 多環負回授 (Multiloop Feedback)，包括一個內部在 PWM 轉換之前的回授環路，以及一個外部在功率級 (但在輸出電感之前) 的回授環路。
terry0713 wrote:
A5,TPA3251的推力較弱，故直上 A7...(恕刪)
優惠卷好像是要搶的 , 每天有數量限制 , 搶一次就活動期間內都能用 .
之前就一直有在注意淘寶 3e的店 , 後來不知道為什麼那邊沒經營了 .
陸續有跟 3e audio 聊過幾次 , 其實本來也是注意A7 ,
這跟我一直以來被灌輸的音響玄學想法有關 , 寧可推力有盈餘也不要不足 .
根據他們的建議是 , 除非喇叭真的需要這麼大的推力 , 用不到的話功率大也不一定是好事 .
但我的喇叭 (皇太子SE) 也確實用不到這麼大的推力就是 哈.
他建議以實際情況去購買 , 他們對 3251的A5相當推崇.
因為我最多最多頂天就是把音量開到 1點位子 , 在大聲我自己會先受不了 .
ZD3 bypass 用 tube t1 到11點位子我就覺得很大聲了 .
後來我把我的喇叭跟視聽環境大概跟他說一下 , 他是極力推薦買A5就夠了.
他有提到一點就是在小音量聆聽的狀況下 A5會有明顯優勢 . 這我就不知道原理了..
我是有半開玩笑的跟他說我現在用的是 兩台ZA3 PBTL在使用 .
他居然跟我打包票如果A5不能 "一耳朵區別提升" , 他讓我退貨還包運費 .
畢竟我是業餘玩家 , 我相信專業也尊重專業 ,
他們能在 歐美日韓 紅成這樣想必有過人之處 .
僅供參考與分享 , 不代表任何立場的~~
聽音樂是很直觀且主觀的 , 開心~由心就好唷 , 祝大家聆聽愉快 :DD
ghleu wrote:SMSL PA200...(恕刪)
也蠻好奇GaN FET用在音響效果如何? 這個完全沒聽過，只聽過用IGBT元件(耐超高壓)做的，效果就普普一般班。
GaN FET就是電子在晶格中移動快，所以開關速度快，又耐壓。拿來做PWM的頻率又可以提得更高，讓變壓器做得更小顆又不發熱。
Class D用矽半導體MOSFET應付音頻KHz綽綽有餘，而且又易於製造。
看SMSL宣稱使用英飛凌GaN FET， PWM 頻率1MHz，比一般 class D的幾百KHz要高，後面那個電感器就可以用小一點，這樣受到電感影響小，動態響應跟低頻會漂亮。
Chi-Fi慣常抓個單一規格大書特書。聲音好得「各方調和」，必須得實聽過。
GaN FET還有Low Rds ON的特點，有低輸出阻抗的優勢 DF會高 (做成D類不會高，因為跟喇叭之間還有堆電感電容)。
近兩年接了Low Rds ON的功率元件開發，這種元件導通時的阻值非常低，比較不耗電。是現在電動車、手機的鋰電低能耗應用的主流，不過是Si製程，不久後GaN FET可能是競爭者?
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