warwickwang wrote:是啊,看了一下產品規...(恕刪) 我個人看法 現在的D類 需要再進步個至少兩倍 才可能跟大廠的 ab類 一拚高下 4倍應該就贏的涼涼了畢竟那個方波的聲音.....聽起來就是一個怪.
11moon wrote:我個人看法 現在的D...(恕刪) 1. 不是直接輸出PWM的方波,好比現在1 bit DAC 的 delta-sigma也是PWM,也不是方波。後面有濾波器產生原本音樂平滑曲線。2. 很多大廠旗艦也有做class D的,那種也不是一般class AB or A能隨便超越的。個人是覺得Class D有個天限dead-time,必須在high/low side 2顆MOS 開關之間隔開一個dea-time,防止同時導通。這會額外產生如下圖的一點失真。不過請教網上熟悉class D的一位高人,據說這聽不出來,影響不大。像TI TPA3255如果仔細閱讀datasheet,可以找到這顆IC裡內建adapted dead-time control去盡量消除。
luxor_w wrote:1. 不是直接輸出PWM...(恕刪) Deadtime在過去MOSFET需要用電路設計來減少,但是如今用GaN FET更有效有用,未來GaN應該就是D類的主流,同理規格漂亮也要聲音漂亮才會被市場接受,以下這個影片可以參考一下喔。The Impact of Deadtime on Motor Control Designs
Dead time 簡單說就是上下臂MOS開關的速度不會一樣快,半導體製多少會有差異。可以想像成在晶圓廠製造一批CPU,最後會有不同速度區分(有點爛的比喻)。半橋或全橋電路中,上下兩個開關元件同時導通,會導致直通,這會短路燒雞。因為Class D至少是半橋,在上臂MOS開關結束要切換到下臂,必須等待一個時間。dead time看各家datesheet大概都是ns(奈秒),太短則會短路,太長會出現像交越失真的狀況。不過請教過網友,他表示不會。https://www.mobile01.com/topicdetail.php?f=348&t=6338503&p=2#81343959GaN FET可以提高PWM頻率,目前很多「快充」訴求體積要小跟充電電流高,現在大廠TI, 英飛凌,STM及日本羅姆都進來玩,還有大陸一票本土的在「卷」這塊,所以市場上一票這種產品。其他還有SiC, IGBT....等功率元件,性能也無不及。順道一題,這裡容易有個誤區:1. 手機/筆電用的是「充電器」,跟「電源供應器」有一點小區別。快充訴求是電流要衝得高,而不是穩,快充在前面80%用高電壓電流充進手機/筆電,然後80%之後再放慢,QC or PPS協定的快充電壓電流本身就一直在變化,供電穩定對這種快充意義不大,網路上有很多測試可以自己多找找。本篇網友提到的明緯「電源」固定電壓定輸出,波紋雜訊的穩定性差異很大。音響要穩所以要找電源而不是筆電/手機的快充 (器材有鋰電要快充的例外)2. GaN FET用在D類是不是主流不敢說 (輪不到我講,且從不care主流為何),Si MOSFET夠應付音頻,但我想Chi-Fi會先推出一票,再來看Hi-End的分散模組(Ncore, ICEPwoer)採用之後市場狀況....。之前發文提過幾次,現在的工作在開發Low Ron的功率元件,不過是針對手機/電動車市場 (Hi-Fi市場很小),但是皮毛多懂一咪咪了
luxor_w wrote:1. 不是直接輸出PWM...(恕刪) 厲害 這就不是我們可以以解的專業了另外意思是 搭配氮化鎵電源就比較好嗎?其實我文中測試起來 差異不大 那一顆氮化鎵比較小 又重....不知道是品質問題 還是 我提高它的電壓48V 造成的聲音比較不好...印象中 TPA3255 好像是36V 音質好 是不是這個原因我就不清楚了.