pdpp wrote:
所謂的容量大,是以3D方式向上堆疊,屬於PRAM or RRAM一種,但無法做MLC,TLC...
和DRAM比當然容量大,但和MLC,TLC or 3D NAND比...有段距離.
這也不是新技術,10多年前就有了,那時只有DRAM可比,當然號稱大容量,只是當時關鍵技術未突破....(恕刪)
這裡是原文，麻煩自己看。
http://newsroom.intel.com/community/intel_newsroom/blog/2015/07/28/intel-and-micron-produce-breakthrough-memory-technology
1. 沒有transistor, 而是新的‘物質’，和什麼 MLC,TCL 完全無關。
2. 25年來的第一個跨 memory hierarchy 的創新，所以10年以前的恐怕不是這個。
3. 一個die 可以有128G，所以不只是快，而且可以很大！
4. 如果如press release 說的，這個的確是major game changer. 基本上打破傳統計算機運算/理論的假設：cpu -> cache -> ram -> disk/包括NAND 而直接變成 cpu -cache -3DX
5年以後回來看可能會笑現在的電腦架構。。。
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