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WD金標WD161KRYZ VS Ultrastar DC HC550

提升容量技術,增加磁區密度或增加碟片。
增加磁區密度會用到SMR或能量輔助磁記錄。
而這裡是指能量輔助磁記錄,不是SMR。

能量輔助磁記錄在寫的時候目的要改變磁性物質的頑磁性,大致上是加熱、局部小區域加熱。
使用超音波、光...,最後轉換成熱,達成加熱效果。
由於寫的時候增加一到工緒,結果會讓"寫入"變慢,如超音波更會讓磁頭震動,...

新技術加了元件,需要大量消費者的可靠度驗證,驗證設計。
不當新技術白老鼠的人;可以用raid來增容、增加安全性。
而他人因個人喜好購買HC550 16T/18T;我不能阻止他冒險犯難、協助廠商驗證設計。
jwan wrote:
第一,我猜Joseph Ju 大是要說 WD 16TB 或以上的硬碟是有 SMR 的。所以買WD 14 TB「可能」是個比較保險的方法。
Joseph Ju wrote:
提升容量技術,增加磁(恕刪)



確實目前看起來 WD DC HC530 14TB (CMR) 是兼具 "效能+穩定" 的最佳組合

目前主力資料碟是 Toshiba 14TB-企業級 (7200rpm / 256MB buffer / 氦氣封裝 / CMR / MTTF 250M hrs)

看看雙11時 HC530 有沒有好的價錢 ? 有的話要買一顆跟上面那顆的互相備份
jwan wrote:
(我一直以為WD 3. 5吋8TB以上都是 CMR,直到之前在網路上看到一篇新聞說WD 16TB 有SMR……)

第一,我猜Joseph Ju 大是要說 WD 16TB 或以上的硬碟是有 SMR 的。所以買WD 14 TB「可能」是個比較保險的方法。
另外,我google 了一下,Ultrastar DC HC550
根據這篇各品牌機械式硬碟採 CMR/PMR 或 SMR 官方資料 再到WD的官網,HC550 「目前2020/09/26」似乎還是CMR。
但是 Joseph Ju 大提到的「能量輔助磁記錄」,根據 WD英文官網裡的"The 18TB/16TB Ultrastar DC HC550 HDDs are the first commercial implementation of Energy-Assisted Magnetic Recording technology and utilize the industry’s first Triple Stage Actuator. ",加上這篇能量輔助碟碟面世 氦氣增磁碟密度 裡提到的 「Western Digital使用能量輔助磁記錄,實現高儲存面密度,通過新增的能量輔助記錄技術,加上HelioSeal和SMR技術、磁頭磁碟機三級尋道定位技術,加上9層磁碟平台,顯著提高了硬碟容量」。
我是個電腦白痴,所以不清楚使用能量輔助磁記錄的Ultrastar DC HC550 16TB 真的是一般消費者認為的傳統單純CMR/PMR 或是商人的SMR改???


目前官方的datasheet有明確標出HC550這系列仍是CMR,企業碟應該不敢太冒險:

Anandtech的分析:
ThomasRhin

我測Access time就是在打臉你吹的「耗能變熱」,這麼簡單的用意你也看不懂?6.5W就能讓你腦補變熱,我看十多年前消費級硬碟的一般功耗多少你也不知道。

2021-09-11 14:53
ThomasRhin

自己的串自己蓋,該回覆的早就回覆清楚,寫的東西與測試數據主要目的是要給別人判斷。你腦補的東西我沒興趣,什麼文獻或數據通通都沒有,是要別人看什麼?等你有讀點料再告訴我。

2021-09-11 14:58
WD金標WD161KRYZ 只支援512e
Ultrastar DC HC550 支援512e和4Kn
肯定是Ultrastar DC HC550 (HGST)比較好囉
發錯,自刪
Ultrastar DC HC550 16TB
PC限時特價有12990元
日台統一,百年和平
真會拗,這顆你一開始你就不知道是CMR,也不知是基於CMR基礎的EAMR,
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
需要討論CMR?這棟樓是討論HC550 16TB,我為何建議HC530 14TB?
所以由HC530 14TB到HC550 16TB加什麼、HC550與HC530差異在哪裡?自然需討論。
他們都是CMR。還需要討論CMR?
你現在倒過來說:"我不知道HC550是CMR",無言...。所以我最好的反證是,我哪裡說過HC550不是CMR。
ThomasRhin wrote: 2021-07-31 11:07 #13
目前官方的datasheet有明確標出HC550這系列仍是CMR,企業碟應該不敢太冒險:

我有反對說:"HC550不是CMR"這類的話嗎?
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看見隔壁串608樓別人說選非SMR硬碟,你也要跳進去糾正,顯然自己搞不懂。
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man59說:下一代就要改用更新的技術,
我問:到底是閃避SMR,還是閃避AMR。 是基於他說過"我避開HC550,是買前一代HC530。目前家用和公司買過幾十顆硬碟都選非SMR硬碟",
man59說:沒因AMR閃避的問題

是基於他說過"我避開HC550,是買前一代HC530。目前家用和公司買過幾十顆硬碟都選非SMR硬碟",而詢問,我有糾正嗎?
我釐清雙方的"下一代技術"是什麼、矛盾地方?與我想的AMR,我也認為他誤會;誤以為AMR就是SMR。SMR是新技術嗎?
之後就沒說什麼,尊重他決定。請指出哪裡有糾正
我有雙方對話紀錄,證據在下方。


man59 wrote: 2021-08-01 12:22 606樓
我是看到下一代就要改用更新的技術,有點擔心還是先避開
man59 wrote: 2021-08-02 10:53 #608
我避開HC550,是買前一代HC530
目前家用和公司買過幾十顆硬碟都選非SMR硬碟

Joseph Ju wrote:
"我避開HC550,是買前一代HC530。目前家用和公司買過幾十顆硬碟都選非SMR硬碟"
>>>到底是閃避SMR,還是閃避AMR
2021-08-02 12:06

man59 wrote:
都幾年了買幾十顆,當然指避SMR選PMR,HC550 部分是看到這下一代會換新EAMR,AMR部分不知道沒注意這個東西所以沒因AMR閃避的問題
2021-08-02 22:56
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我測Access time就是在打臉你吹的「耗能變熱」,這麼簡單的用意你也看不懂?
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讀寫臂採用雙階解決方案,藉由機構機械完成,也是輔助紀錄立場。弭補償移動精準度問題。
弭補移動精準度後的Access time、與你說的EAMR、與飽和傳輸事無關。
EAMR發熱 + 讀寫臂採用雙階耗電不是AMR產生?且是HC550技術特有的,HC530沒有的。難道不算在HC550身上。

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自己的串自己蓋,該回覆的早就回覆清楚,你腦補的東西我沒興趣,什麼文獻或數據通通都沒有,是要別人看什麼?等你有讀點料再告訴我。
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
你提出HC550是CMR。這是不用說、我也從未反對。
你卻說什麼文獻或數據通通都沒有,沒看到飽和傳輸都有資料。
補償移動精準度後的Access time與飽和傳輸事無關。
你要拿HC550用正常的讀寫臂;讀寫臂採不用雙階。再證明EAMR是無影響Access time與飽和傳輸。
你拿錯誤實驗、數據,會害了你!因為出發點就錯的。

ThomasRhin wrote:
多出來的0.5W也不是全因有能量輔助的關係,新加入的Triple Stage Actuator機械結構也不同於以往,推估這些都可能與功耗的改變有關係。
評估硬碟整體效能好壞「讀、寫、隨機存取」這三者影響最直接,一起談沒什麼不對,HC550本來就是CMR碟,EAMR只是輔助性技術,消費者的使用者體驗是看整體的。前面也提到acess time雖不直接影響循序讀寫,但也能提供側面的評估,HD Tune不論讀取或寫入測試裡,access time的項目都是在連續讀完與寫完才測acess time的,尤其寫入測試是整顆硬碟寫入,費時也長,除去寫入數據的部分,如果要看EAMR發熱對後續讀寫頭整體綜合表現的影響,這種時機最佳,如果因使用EAMR技術容易因發熱而連帶影響讀寫頭移動精準度的話,那也可以證明整個設計屬於負面設計,如果連access time也沒影響,那又何必去批判?

ThomasRhin wrote:
真會拗,這顆你一開始你就不知道是CMR,也不知是基於CMR基礎的EAMR,看見隔壁串608樓別人說選非SMR硬碟,你也要跳進去糾正,顯然自己搞不懂。
2021-09-11 14:50

ThomasRhin wrote:
我測Access time就是在打臉你吹的「耗能變熱」,這麼簡單的用意你也看不懂?6.5W就能讓你腦補變熱,我看十多年前消費級硬碟的一般功耗多少你也不知道。
2021-09-11 14:53

ThomasRhin wrote:
自己的串自己蓋,該回覆的早就回覆清楚,你腦補的東西我沒興趣,什麼文獻或數據通通都沒有,是要別人看什麼?等你有讀點料再告訴我。
2021-09-11 14:58
喜歡Ultrastar DC HC550 16TB目前CNY1888,距漲價前CNY1838前差CNY50。
有需要趕快買,不要客氣。
Joseph Ju wrote:
我有反對說:"HC550不是CMR"這類的話嗎?
是基於他說過"我避開HC550,是買前一代HC530。目前家用和公司買過幾十顆硬碟都選非SMR硬碟",而詢問,我有糾正嗎?我釐清雙方的"下一代技術"是什麼、矛盾地方?與我想的AMR,我也認為他誤會;誤以為AMR就是SMR。SMR是新技術嗎?

別人沒誤會啦,是你自己又在腦補別人不懂,你亂入他的樓亂糾正是你自己沒搞懂別人本來就在討論CMR/SMR,外加腦補講到HC550就只能講EAMR,明顯就你自己搞不懂這顆就是CMR。別人都講了「都幾年了買幾十顆,當然指避SMR選PMR」,該怎麼選別人心裡都有底,你採購經驗沒人多你就發問就好,沒人笑你。就跟你亂入這串我的13樓一樣,連我回文的引用內容在講啥,回文對象是誰也沒看懂就要開始就糾正。

讀寫臂採用雙階解決方案,藉由機構機械完成,也是輔助紀錄立場。弭補償移動精準度問題。弭補移動精準度後的Access time、與你說的EAMR、與飽和傳輸事無關。EAMR發熱 + 讀寫臂採用雙階耗電不是AMR產生?且是HC550技術特有的,HC530沒有的。難道不算在HC550身上。

你另一串中文自己沒讀懂,機械硬碟發熱到一定程度整體效能往往會下降,我測出的整顆寫入效能數據就擺在那邊明顯沒問題,也貼給大家看,當作參考,強調了這顆就是中規中矩的CMR表現,沒TDMR機種快而已。附加貼寫入access time數據給大家看就是指出測完整顆寫入之後,根本沒所謂發熱的問題影響後續測試access time成績(就是打你臉一直講變熱啦),工作溫度也才30幾度而已,HC550的EAMR operation就是6.5W而已,所以你一直黑「耗能變熱」到底是在糾結什麼?上面不是提示你該去看看十多年前消費級硬碟功耗?到底是以前的人耐受性高到離譜,還是現在有人亂吹毛求疵?



希捷EXOS 18TB 9.4W/6.4W(Random)怎麼不順便嘴一下功耗變熱?

你提出HC550是CMR。這是不用說、我也從未反對。你卻說什麼文獻或數據通通都沒有,沒看到飽和傳輸都有資料。補償移動精準度後的Access time與飽和傳輸事無關。你要拿HC550用正常的讀寫臂;讀寫臂採不用雙階。再證明EAMR是無影響Access time與飽和傳輸。你拿錯誤實驗、數據,會害了你!因為出發點就錯的。

原廠datasheet還有anandtech review都說了這顆就是血統純正的CMR,外加EAMR輔助,弄不清楚是你自己的問題,是要怎麼反對?什麼叫『我提出的』?? 說的好像我發明的一樣?? 資料都是現成的,自己通通沒在讀??你會這樣說還不是證明你打從一開始就搞不清楚HC550就是CMR,才會到處給別人留言糾正。

我測的Access time何時跟你強調是跟sustained transfer綁在一起?什麼叫做錯誤的實驗?親自實測數據叫做錯誤的實驗?難道要像你一樣拿不出任何統計數據就在到處黑HC550會「早期失效」?看到6.5W就喊「耗能變熱」、「寫入變慢」?什麼災難都涵蓋了,只差你沒寫它哪天會進化成SMR吧。

另一串請你找出review文獻,或直接找Backblaze資料,結果也沒年度或季度HC550「早期失效」報告,你也一直裝死,乾脆灰說這是你的電子學"磚"有名詞,現在乾脆把datasheet裡的數字當你提出的資料?嘖~嘖~嘖.......

你點下面連結看看什麼叫做早期失效好了,沒年度季度failure報告你是怎麼宣傳早期失效?是要基於什麼憑據?
早期失效

你如果有認真看完電子學早期失效的定義(第一張圖)的話,就應該知道你直接扣HC550這型號就是有元件瑕疵(第二張圖分析早期失效主因)


失效就叫failure(第一張圖),硬碟失效就叫掛點,目前在HC550明顯就是沒有發生的事情,所以另一串我曾提問於你根據在哪,請你提供數據,現在你卻反過來黑我是業代,如果這棵硬碟真的已經發生普遍性災難,那麼你在做的事情(到處黑)理所當然叫做功德,若沒發生的事情卻一直宣傳,叫做腦補,買HC550的人被你叫做冒險犯難,請問你『險』在哪?『(災)難』在哪?Review在哪?數據在哪?

還有別再一直拿Sustained transfer來嘴,datasheet就有的東西是要別人回你什麼?不想回你是因為你自己查不是比較快?同樣18TB型號讀寫就是差1MB/1MB,這樣就讓你受不了?



你拿錯誤實驗、數據,會害了你!因為出發點就錯的。

原來在mobile01分享入手的硬碟實測數據會害了我........實測數據比對原廠做驗證被叫做「出發點就是錯的」
請提出隔壁串608樓,對man59糾正事實。請提出證明。
別再亂說。
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ThomasRhin wrote: 2021-09-12 14:03 #19
別人沒誤會啦,是你自己又在腦補別人不懂,你亂入他的樓亂糾正是你自己沒搞懂別人本來就在討論CMR/SMR,外加腦補講到HC550就只能講EAMR,明顯就你自己搞不懂這顆就是CMR。別人都講了「都幾年了買幾十顆,當然指避SMR選PMR」,該怎麼選別人心裡都有底,你採購經驗沒人多你就發問就好,沒人笑你。就跟你亂入這串我的13樓一樣,連我回文的引用內容在講啥,回文對象是誰也沒看懂就要開始就糾正。
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
整棟樓是是我先提出AMR問題,後jwan提出誤以為我說的AMR是SMR。
你那串回jwan涉及我內容,我不能說話?你提出都是CMR。我一併回覆"這裡"(我說的東西)是不是CMR問題,HC550使用AMR問題,
避SMR選PMR,又是後話。

jwan wrote:
第一,我猜Joseph Ju 大是要說 WD 16TB 或以上的硬碟是有 SMR 的。所以買WD 14 TB「可能」是個比較保險的方法。
ThomasRhin wrote:
目前官方的datasheet有明確標出HC550這系列仍是CMR,企業碟應該不敢太冒險:
Joseph Ju wrote:
已經講過HC550使用AMR,未使用SMR。而這裡討論能量輔助磁記錄(AMR),不是SMR。
----------------------
ThomasRhin wrote:
你另一串中文自己沒讀懂,機械硬碟發熱到一定程度整體效能往往會下降,我測出的整顆寫入效能數據就擺在那邊明顯沒問題,
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
機械硬碟發熱>>>是長時間、常態,這是成立。
EAMR>>>暫態、局部區域發熱,。
拿長時間模型,解釋暫態問題。
暫態的EAMR發熱會影響磁頭穩定度,寫臂採用雙階解決暫態問題。
你的實驗硬碟(是EAMR + 讀寫臂採用雙階),弭補移動精準度後的Access time,去解釋與你說的純EAMR。與飽和傳輸事無關。
---------------------
工作溫度也才30幾度而已,HC550的EAMR operation就是6.5W而已,所以你一直黑「耗能變熱」到底是在糾結什麼?
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
你的工作溫度也才30幾度,你的環境溫度、機殼散熱良好嗎?
你的實驗組(6.5W)與對照組(6.0W),溫差多少。這裡產生壽命與溫度關係。壽命減短無所謂的人我不會阻止。
---------------------
上面不是提示你該去看看十多年前消費級硬碟功耗?到底是以前的人耐受性高到離譜,還是現在有人亂吹毛求疵?
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
十多年前消費級硬碟與現在比,要有相同MTBF時,十多年前消費級硬碟內元件(處於高溫、元件的工作溫度)最短命元件,選用要更嚴謹、更好。
---------------------
Joseph Ju wrote:
你提出HC550是CMR。這是不用說、我也從未反對。你卻說什麼文獻或數據通通都沒有,沒看到飽和傳輸都有資料。補償移動精準度後的Access time與飽和傳輸事無關。你要拿HC550用正常的讀寫臂;讀寫臂採不用雙階。再證明EAMR是無影響Access time與飽和傳輸。你拿錯誤實驗、數據,會害了你!因為出發點就錯的。
ThomasRhin wrote:
原廠datasheet還有anandtech review都說了這顆就是血統純正的CMR,外加EAMR輔助,弄不清楚是你自己的問題,是要怎麼反對?什麼叫『我提出的』??
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
HC550是CMR在網路上有資料,你提出來我也從未反對。
有問題點,要貼出出在我錯的地方文字、文句(沒按時間點貼出來,例如你說我有"糾正"事實)、實驗要有實驗組與對照組去證明你的理論。
---------------------
Joseph Ju wrote:
你拿錯誤實驗、數據,會害了你!因為出發點就錯的。
ThomasRhin wrote:
原來在mobile01分享入手的硬碟實測數據會害了我........實測數據做科學驗證被叫做「出發點就是錯的」
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
正確的理論為基礎,正確設計實驗(實驗組與對照組),才會有正確數據。
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Joseph Ju wrote:
是因為你買了,所以你相信廠商。還是因為你是業務,所以為AMR說話。更不用說你分不清早期失效與保固意義。輔佐資料寫了,變慢(飽和傳輸)你也裝看不懂。(這棟樓5F)
ThomasRhin wrote:
失效就叫failure(第一張圖),硬碟失效就叫掛點,目前在HC550明顯就是沒有發生的事情,所以另一串我曾提問於你根據在哪,請你提供數據,現在你卻反過來黑我是業代,
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
"早期失效與保固意義"是說什麼?你把無早期失效與保固到五年劃上等號了,這是你錯誤認知。
"所以為AMR說話",我提出AMR(EAMR + 讀寫臂採用雙階)問題只有早期失效問題嗎?
--------------------
Backblaze資料,結果也沒年度或季度HC550「早期失效」報告,你也一直裝死,
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
是我看錯資料數據。HC550 16TB在相對14TB數量非常少,上機時間短,尚未有失效。有早期失效應處於尚未定論、推論階段。
Backblaze的硬碟處於有UPS保護,難以測試出在寫過程斷電資料錯誤。但可測出多HC550出來AMR(EAMR + 讀寫臂採用雙階)

ThomasRhin wrote:
ThomasRhin 2021-09-12 14:03 19樓
別人沒誤會啦,是你自己又在腦補別人不懂,你亂入他的樓亂糾正是你自己沒搞懂別人本來就在討論CMR/SMR,外加腦補講到HC550就只能講EAMR,明顯就你自己搞不懂這顆就是CMR。別人都講了「都幾年了買幾十顆,當然指避SMR選PMR」,該怎麼選別人心裡都有底,你採購經驗沒人多你就發問就好,沒人笑你。就跟你亂入這串我的13樓一樣,連我回文的引用內容在講啥,回文對象是誰也沒看懂就要開始就糾正。


你另一串中文自己沒讀懂,機械硬碟發熱到一定程度整體效能往往會下降,我測出的整顆寫入效能數據就擺在那邊明顯沒問題,也貼給大家看,當作參考,強調了這顆就是中規中矩的CMR表現,沒TDMR機種快而已。附加貼寫入access time數據給大家看就是指出測完整顆寫入之後,根本沒所謂發熱的問題影響後續測試access time成績(就是打你臉一直講變熱啦),工作溫度也才30幾度而已,HC550的EAMR operation就是6.5W而已,所以你一直黑「耗能變熱」到底是在糾結什麼?上面不是提示你該去看看十多年前消費級硬碟功耗?到底是以前的人耐受性高到離譜,還是現在有人亂吹毛求疵?



希捷EXO 18TB 9.4W/6.4W(Random)怎麼不順便嘴一下功耗變熱?


原廠datasheet還有anandtech review都說了這顆就是血統純正的CMR,外加EAMR輔助,弄不清楚是你自己的問題,是要怎麼反對?什麼叫『我提出的』?? 說的好像我發明的一樣?? 資料都是現成的,自己通通沒在讀??你會這樣說還不是證明你打從一開始就搞不清楚HC550就是CMR,才會到處給別人留言糾正。

我測的Access time何時跟你強調是跟sustained transfer綁在一起?什麼叫做錯誤的實驗?親自實測數據叫做錯誤的實驗?難道要像你一樣拿不出任何統計數據就在到處黑HC550會「早期失效」?看到6.5W就喊「耗能變熱」、「寫入變慢」?什麼災難都涵蓋了,只差你沒寫它哪天會進化成SMR吧。

另一串請你找出review文獻,或直接找Backblaze資料,結果也沒年度或季度HC550「早期失效」報告,你也一直裝死,乾脆灰說這是你的電子學"磚"有名詞,現在乾脆把datasheet裡的數字當你提出的資料?嘖~嘖~嘖.......

你點下面連結看看什麼叫做早期失效好了,沒年度季度failure報告你是怎麼宣傳早期失效?是要基於什麼憑據?
早期失效

你如果有認真看完電子學早期失效的定義(第一張圖)的話,就應該知道你直接扣HC550這型號就是有元件瑕疵(第二張圖分析早期失效主因)


失效就叫failure(第一張圖),硬碟失效就叫掛點,目前在HC550明顯就是沒有發生的事情,所以另一串我曾提問於你根據在哪,請你提供數據,現在你卻反過來黑我是業代,如果這棵硬碟真的已經發生普遍性災難,那麼你在做的事情(到處黑)理所當然叫做功德,若沒發生的事情卻一直宣傳,叫做腦補,買HC550的人被你叫做冒險犯難,請問你『險』在哪?『(災)難』在哪?Review在哪?數據在哪?

還有別再一直拿Sustained transfer來嘴,datasheet就有的東西是要別人回你什麼?不想回你是因為你自己查不是比較快?同樣18TB型號讀寫就是差1MB/1MB,這樣就讓你受不了?




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