看這一兩天新聞
看來1.4奈米依然使用製造2奈米的機器
有點當年做7奈米的味道
在省錢的情況下 這樣的做法
相對用新機器是省錢的
然而隔壁棚的18a就直接用最新的機器
看來兩者的商業策略不太一樣
感覺這波操作要持續到2032年
才會進入1奈米的時代
報導指出，台積電計畫於今年底在台中動工興建1.4奈米新廠，預計2028年下半年實現量產，與先前外界推測的時程一致，同時A14製程也可望讓晶片功耗再降低30%。目前台中廠已開始招募人力，3棟廠房的建照也已於8月核發，初期投資金額可能高達490億美元（1.5兆新台幣），其中有相當一部分，將用於在2027年採購約30台EUV曝光機。
報導提到，科技分析師Dan Nystedt在X透露，台積電不會購買ASML的High-NA EUV曝光機，原因在於這些機台售價昂貴，單價高達4億美元。台積電日前也曾表示，現有EUV設備已足以支援1.4奈米量產。
報導分析，台積電可能會採用複雜的多重曝光（multi-patterning）技術，來達成1.4奈米的製程目標，不過這種替代方案的缺點在於製程複雜、耗時且初期良率較低，讓台積電可能需要不斷透過「試錯法」，來逐步改善A14製程。
報導表示，這種方法與中芯開發5奈米製程採用的方式類似，但台積電與中芯不同的是，台積電擁有成熟的EUV設備與技術經驗，且距離量產仍有數年的準備時間，可望持續優化製程，鞏固其在全球半導體產業的領先地位
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不算卡關, 只是台積決定這麽做
決策是否正確, 有待時間證明
當初英特爾也曾決策錯誤
希望台積評估正確
esthetica wrote:
然而隔壁棚的18a就直接用最新的機器...(恕刪)
High-NA EUVHigh-NA EUV太昂貴 英特爾CFO：14A製造成本高於18A太昂貴 英特爾CFO：14A製造成本高於18A
李佳翰／綜合報導
2025/09/09 11:23
更新時間：2025/09/09 12:45
美國晶片大廠英特爾（Intel）財務長David Zinsner日前坦言，次世代14A製程生產成本將高於18A製程節點。理由在於14A將首次全面導入ASML的高數值孔徑極紫外光曝光設備（High-NA EUV）Twinscan EXE:5200B。
18A量產沒用High-NA EUV吧？
intel現有的三台裡有兩台是低產能速率的開發原型（部署好像也不是放量產工廠而是開發廠區），另一台真正量產型還是最近才剛交貨而已
之前Pat說過只會在18A上先用做參數試驗
之後14A是否會導入也還有變數，製程介紹上是寫提供兩種設計給客戶選擇，可以用一般EUV也可以選用High-NA EUV
還是最近又有新的報導還是資料說法又翻盤了？
另一個不採進的誘因還有一旦開始使用High-NA EUV，單次曝光尺寸會腰斬到剩420mm2左右
這對以往設計生產大於400以上~800mm2的大型晶片來說是個噩耗
因為不得不設計較小的晶片然後用中介層去連結這些過往一顆die就可以搞定的規模，變成會有額外的先進封裝支出更不利於大尺寸die的產品其成本控制
esthetica wrote：
看這一兩天新聞
看來1.4奈米依然使用製造2奈米的機器
有點當年做7奈米的味道
在省錢的情況下 這樣的做法
相對用新機器是省錢的
然而隔壁棚的18a就直接用最新的機器
看來兩者的商業策略不太一樣
感覺這波操作要持續到2032年
才會進入1奈米的時代
esthetica wrote:
因為台積電還沒有這台機器
而intel 已經放到他們廠區了
我只想強調這個區別
可能14a這階段intel 會反超
14a出發點不同的意思
一堆錯誤資訊
調研機構BOFA 9月剛公佈的2021到2025年為止的EUV光刻機數量
御三家，從7nm都開始導入EUV
由此可以評估實際產能
High-NA EUV我記得全世界就5台左右
英特爾3、台積電1、三星1
Intel 18A前幾天剛宣布量產，
ASML今天剛公佈第三季財報…
數值孔徑從0.33 增加至0.55
你真的知道這兩者實際差異嗎？
chanp wrote:
一堆錯誤資訊調研機構BOFA...(恕刪)
改良與進化：N7P與N7+
N7可以說是台積電7nm的初代方案。去年台積電推出N7P，或稱作第二代7nm。這是N7初代方案的改良版，仍然採用DUV，相同的設計準則，而且和N7是完全IP相容的。
N7P在前段工序(FEOL)、中段工序(MOL)進行了最佳化，在相同功耗條件下提升了7%的性能，相同速度下降低10%的功耗。iPhone 11系列的蘋果(Apple) A13 SoC即採用N7P方案，今年即將量產的Snapdragon 865也用此製程——似乎有許多人對於865未採用極紫外光(EUV)表示不解。
而N7+與N7P又是不同的，它在某些關鍵層真正開始採用EUV微影技術，並從2019年第二季開始大規模量產。N7+按照台積電所說有著1.2倍的電晶體密度提升，相同功耗下提升10%性能，相同性能下降低15%功耗——所以在整體表現上會優於N7P。台積電當時就宣佈N7+製程製造良率和N7基本上差不多。
自己看吧 初版的就是duv做的
這是專業人士寫的文章
很明瞭吧
資料來源：https://www.eettaiwan.com/20200115nt61-7nm-comparision/
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