"台積電持續提升EUV光刻效率，6年晶圓產量增加了30倍" -- 原文及翻譯有語意錯誤. 重新改了標題及內文
原意應是 光罩保護膜 而非晶園 產量增加了30倍, 其中 一塊 EUV 光罩護膜的價格約為 7.5 萬美元
9月19日消息，據Tom's hardware報道，台積電作爲全球最大的先進製程晶圓代工廠，不僅擁有着全球最先進的製程工藝，也擁有着數量最多的ASML EUV光刻機。自2019年以來，台積電通過自身的系統級優化及自研EUV光罩保護膜（Pellicle，保護光罩的薄膜）材料，EUV
自2019年第二代7nm技術量產之時，台積電就率先引入了ASML EUV光刻機進行量產，隨後台積電持續控制着全球超過42%~56%的EUV光刻機裝機量，經過多年的積累，台積電目前已經累積了約200多臺EUV光刻機，在2024~2025年還新增了60多臺，以支撐先進製程擴產需要。
台積電核心優勢來自硬體設備及材料供應鏈掌控力，因此台積電還持續投資製程工藝優化，包括曝光劑量微調、曝光材料改良及預測性維護，這也大幅提升每日機臺利用率與生產效率。
據Digitimes報道，台積電甚至計劃改造一座200毫米工廠來專門生產自研EUV光罩保護膜，性能甚至超過了ASML原廠供應的EUV光罩保護膜，展現台積電製程與材料整合實力。
設備業者指出，EUV光刻機相較傳統的深紫外（DUV）光刻機，光罩及保護膜等都須進一步調整，保護膜一直是半導體制程中防止塵粒污染的關鍵保護機制。
而且，進入EUV光刻時代後，過去廣泛使用的有機Pellicle，因無法兼具透光率與穩定性，已不再適用。目前EUV製程大多采用「無pellicle」的光罩，導致必須頻繁進行圖樣檢查。 一旦發現缺陷，不僅需修復或重製光罩，生產成本也大增並降低速度。因此，包括ASML等半導體業者近年也投入EUV光罩保護膜的研發，但由於技術難度高，尚未實現量產。
而台積電研發EUV光罩保護膜已有多年，這主要是因爲評估EUV光罩保護膜對於7nm以下製程生產效率與成本降低極爲重要，因此近期決定正式加速自研計劃。
近期，台積電宣佈退出GaN市場，凸顯大陸GaN廠商的低價戰已對其造成極大競爭壓力，台積電原有的6英寸GaN廠也將改建爲先進封裝廠，暫以CoPoS爲主。而最受關注的就是竹科8英寸晶圓廠大幅調整，其中，竹科Fab 3將有望正式投入台積電自研EUV光罩保護膜的生產，以減少對ASML相關供應鏈的依賴。台積電希望以自身研發與生產能力，全面提升EUV先進製程良率，創造最低成本、最高效益的製程和產品。
數據顯示，台積電EUV光罩保護膜壽命增加了4倍，單片晶圓生產效率提升了4.5倍，瑕疵品大幅降低。
熟悉半導體制程技術人士認爲，相較於競爭對手仍高度依賴ASML的EUV光刻機和EUV光罩保護膜推進先進製程技術，台積電自制EUV光罩保護膜，可將現有EUV製程再優化，拉升了生產良率與擴大產能，在成本結構上取得優勢，且提升獲利，進一步擴大與競爭對手的差距。
