Intel CEO Pat Gelsinger 在今年的 Computex 展上展示了由 Intel 3 製程製造的新一代 Xeon （Sierra Forest）處理器。
在持續宣示朝向 4 年 5 節點步伐邁進的 Intel，在今年的 Computex 展上展出了採用 Intel 3 製程製造的新一代 Xeon 處理器，這也是 Intel 在 FinFET 鰭式場效電晶體工藝下的最後一個製程節點，到了 20A 的部分，就會改用全柵極（GAA）RibbonFET 製程，而 Intel 也在Computex 結束後不久，於年度的 IEEE VLSI 研討會中公布了 Intel 3 製程的細節，並且於Intel Foundry blog 上公布，以龔固客戶的信心。
這次是由代工技術的研發副總裁 Walid Hafez 進行介紹，首先還是要來講古一下 Intel 在製程方面的發展：
Intel 3 將會是 FinFET 製程的最後一個節點。
目前 Intel 在製程部分在 4 年 5 節點的進度上推進中。
直接進入了 Intel 3 製程的部分，整個 Intel 3 製程節點將會有 4 個版本，包括基礎的 Intel 3／Intel 3-T，具備擴充功能的 Intel 3-E 以及提升性能版本的 Intel 3 -PT，就基礎的 Intel 3 製程來說，就已經比起去年的 Intel 4 在能效比上提升了 18%，另外在電晶體密度上也提升了 10%，主要會運用在伺服器以及終端裝置的晶片製造上。
在同樣功耗設定下，Intel 3 製程可提供的頻率比起 Intel 4 要提高 18%。
而擴充功能版本的 Intel 3-E 則是增加了用於外部介面、模擬和混合訊號功能的 IO 介面，提供給如晶片組或是儲存控制器使用。
最終的 Intel 3-PT 則是導入了 9 奈米的 TSV 矽穿孔封裝支援，可用以支援更高密度的 3D 堆疊設計，Intel 表示 Intel 3-PT 將提供兼具效能、靈活性以及成本考量的選擇，將會運用在包括 AI／HPC 應用或是通用運算的解決方案上，例如影像處理、高效能運算和人工智慧等，而 Intel 3-PT 節點也將會是未來數年內會與其他新技術合併運用的 Intel 製程主力。
至於在生產狀況部分，目前 Intel 3 製程已經在 Intel 俄勒岡州的研發基地開始進行量產作業，並且在愛爾蘭的 Leixlip 晶圓廠為代工客戶量產晶片（其中包括 Intel Xeon 6 處理器），Intel 表示這證明了 Intel 的製程技術已經重回正軌。
使用 Intel 3 製程的 Xeon 6 處理器已經進入大量製造階段。
而在接下來的 RibbonFET 製程的 Intel 20A 與 Intel 18A 節點部分，Walid Hafez 表示 Intel 正在兌現 4 年 5 節點的承諾，將在今年底與明年陸續推出，會運用在包括 Panther Lake 和 Clearwater Forest 等產品上，能否成功將會是 Intel 在晶圓製造這部分是否能趕上領先地位的最大挑戰。
因特爾覺醒了
