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DRAM新發展！三星成功研發12層3D矽穿孔HBM

maya95

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樓主

2020-08-07 22:48

DRAM新發展！三星成功研發12層3D矽穿孔HBM！

台灣第一家 RISC-V 晶心科技 (Andes Technology) 發展現況！

2020-08-07 22:48 發佈

文章關鍵字 DRAM 三星發展 3D矽穿孔 12

Leo41113

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2樓

2020-08-08 2:04

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