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英特爾7nm相當於台積電3nm?

恁爸昧爽 wrote:
IBM的14奈米比台積電的5奈米還強,當然功耗和發熱可能不好看就是了。

聊工艺密度?台积电的5nm在格罗方德的14nmSOI面前,哭得像个孩子

只有白癡才會相信這種農場標題農場文。GF的14nm跟三星買來的,然後GF其實也開發不下去7nm就宣布不開發了,三星14nm就密度來說是比TSMC 16nm高一點沒錯,但是功耗與溫度表現從iPhone 6S時大家都想用TSMC生產的A9就知道TSMC並沒有輸。結果這農場文拿GF 14nm來嗆TSMC 5nm,感覺就像中國的武術大師在嗆徐曉冬一樣好笑。
peggydoggy wrote:
只有白癡才會相信這種(恕刪)

什麼都是假的去嗆什麼都是真的
https://youtu.be/s6TYACQu8gA
peggydoggy wrote:
只有白癡才會相信這種(恕刪)


那張圖之所以出現ibm/gf 14nm edram得最主要原因,應該要追朔到2014年IEDM
那天下午有一場Session 3:Advanced CMOS Technology Platform

tsmc.intel.ibm等都有出席演講

tsmc應該是首先開講得,主要是16nm FinFET得改進版(第二代 FinFET),SRAM單元尺寸為0.07μm2

intel後續演講得也是自家定位第二代得14nm FinFET,SRAM單元尺寸為0.0588μm2

ibm則發表了基於SOI 得另類FinFET,可是舉例得卻不是SRAM,而是自家產品上使用得eDRAM,單元尺寸官方公佈為0.0174μm2

eDRAM與SRAM之間的優劣或專利其實還蠻複雜得,一般比較簡易得說明只有說eDRAM生產步驟較複雜,跟配置上需要相關配套,及生產成本較高,但有小體積跟其他得驅動優勢
eclair_lave wrote:


那張圖之所以出現...(恕刪)


一般來說電路設計layout不同,密度也不一樣,所以Intel習慣用SRAM來表示製程的進步

然後各家都用SRAM來比

不然張飛打岳飛,沒得比

不然的話,光Intel內部有HP與HD兩種設計,高效與高密度,兩種電晶體的密度就差很多~

SOI wafer貴的很, 所以Intel/台積電才會用FinFET加Bulk Si製程

我學生時代用過SOI
一片4吋wafer, prime級約1千台幣,SOI一片都一萬起跳⋯
老夫一拳可以直上太空將月球打碎.

可是, 還要練上幾年才行, 大家可以先膜拜膜拜, 屆時會有好果子給吃.
rgly wrote:
此外,全世界對中國禁運晶圓生產設備,中芯頂多只能做出具有中國特色的7nm。


太寫實 也太好笑了
peggydoggy wrote:
只有白癡才會相信這種(恕刪)


而且啦,為了打三星的14nm電晶體密度,gg後來還推出了12nm
12nm才算gg最初想做的14nm好嗎??

更別提當年iphone 6S,三星的14nm晶片實質效能跑分輸給gg 16nm的事情......
Nightmareseal wrote:
而且啦,為了打三星的14nm電晶體密度,gg後來還推出了12nm
12nm才算gg最初想做的14nm好嗎??

更別提當年iphone 6S,三星的14nm晶片實質效能跑分輸給gg 16nm的事情......

TSMC跟三星的A9跑分其實差不多,分數互有勝負,算是誤差值以內,但是溫度跟功耗就有差別了,有人放著不斷跑程式燒機,三星的就是比較早沒電,後來A10、A11、A12、A13蘋果就再也沒找過三星了。

而高通去找三星生產SoC除了賺到便宜,功耗表現也是不好,去年又回頭找TSMC了,除非三星或Intel找到什麼技術可以彎道超車,不然TSMC這五年肯定還是領先群雄啊!
群毅 wrote:
沒想到現在還有人在戰(恕刪)


是啊!intel 連10奈米至今都無法量產,還有甚麼好說的?
現在回頭看那些盲目挺intel 新製程的留言蠻可悲的。
明明就輸給台積電的先進製程。哈哈哈~
peggydoggy wrote:
TSMC跟三星的A9(恕刪)


其實Qualcomm/Nvidia一直想扶植三星,
除了便宜,答案最簡單:要有第二供貨來源制衡gg
但無奈三星一直不爭氣.......

尤其Nvidia,面對AMD全面靠向gg迎頭趕上的氣勢後,
再也不能靠老黃刀工慢慢戰蘇媽,
也決心走向7NM的RTX3xxx
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