當年 pentium4 到4ghz 因漏電過熱那 i7 3770k 現在可上4.5ghz
是因為 3d gate 嗎 ??
到底和 pentium4 比
gate oxide 的漏電如何克服 ??
空冷下未來 intel cpu 會到多高 clock ??
amd 新cpu 打樁機 模組方式又是如何 ??
2012-05-22 23:35 發佈
fnf2000 wrote:現在也是原廠扇快壓不住了...........
P4喔原廠風扇還壓不...(恕刪)
不過22nm可以無散熱器開機進OS真的滿猛的.........
閒暇時歡迎來坐坐...(￣﹏￣) http://ppt.cc/e60i0
taiwan2008 wrote:
早期mos 也是 Metal Gate => POLY gate Pmos => nmos => CMOS => BCD
=> polysilicon gate => SOI => Low K => Hi K ?? metal gate
...(恕刪)
閘極的漏電問題在45nm的時候intel採用HKMG已經解決了
AMD的32nm也跟上HKMG了
早期gate用金屬,那為何他之後用多晶矽
原因很簡單,因為金屬閘極無法承受高溫退火
多晶矽閘極+二氧化矽介電層相對比較穩定
通道內的漏電喔
SOI製程的話上面的那層矽越薄
那閘極對通道內的影響就越大漏電越少
但是要做薄的技術上有問題
你要問就去問TSMC的製程工程師好了
相信你可以問到滿意
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