sasamisami wrote:
我記得第二代Sand...(恕刪)
我就是因為這樣才買K版的XDDD
有時候玩玩超頻,不過只有試試而已,畢竟沒有用到啥吃CPU的
simonni wrote:
"解釋" 國語看得懂...(恕刪)
國語看的懂吧，你問圖哪裡是甚麼區我講了 我也把圖片畫紅框作註記了
為甚麼那個區域是這樣定義我也解釋了
你要的我都回答了 你到是甚麼時候要回答我的問題阿
G-S(B)偏壓低於Vth無法形成通道就是截止區 ID小到可忽略，G-S(B)偏壓高於Vth形成通道、mos導通 ID開始在ds之間流
動、此時ID大小與DSG三極偏壓有關所以叫他三極體區，ID-VDS為線性關係所以別明又叫歐姆區，這個前面我講歐姆接觸以經解釋過了
VDS>Vgs 也就是VD>VG後 通道靠近d極處開始PINCH OFF ID電流被侷限，不考慮通道長度調變效應的話，電流大小與D極電
壓無關開始進入飽和區也就是通道夾止
要畫那張i-v curve還不簡單，想知道圖怎麼畫出來的不會自己假設Vth、Vds、Vgs帶公式畫喔，好啦我知道我畫出來後你又要貓毛
問我id這個公式怎麼得到的
先回答完我的問題後再誠心誠意跟我道歉說你錯了不應該誤人子弟、並謝謝我不辭辛勞的教導你
我可以考慮把smith翻出來把id公式倒底怎麼生出來的從頭到尾推導一遍給你看喔，也不指望你看得懂啦 別人看得懂就好
lovesharepc wrote:
我講白話一點以 GS...(恕刪)
我逞強? 怎不說你硬凹? 以下場效體特性曲線 歐姆區 飽和區 夾
止區 運作情形:
Vgs=Ids=0 時閘極接面通道完全打開,N 型作用等於半導體電阻器
Id 隨著 Vd 線型上升電流升高,N 通道呈現歐姆位降使接面反偏,
通道部份受到擠壓本身長度產生歐姆位降,當 Vds 到達某一值時
通道會被 "夾止" ,Id 變成 0 時反偏歐姆位降就沒有了,特性曲
線 Vds 小地方都有 "歐姆區" 或稱 "飽和區" Id 與 Vds 是成正
比,當 Vgs=0 反偏電壓由 Vds 提供,若外加負的 Vgs 時任然會形
成空乏區造成通道縮小,在較小的 Vds 就會發生夾止情形,當 Vds=Vp
(夾止電壓)通道會完全擠掉因此 Id=0
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