CPU上的電晶體FinFET其實本質上都是MOSFET，金屬氧化物半導體場效電晶體
從MOSFET EQUATION可求出特定電壓值的電流大小
https://inst.eecs.berkeley.edu/~ee105/fa05/handouts/discussions/Discussion5.pdf
然後根據DC POWER FORMULA P = VI
可見功耗和電壓VGS的2次方成正比(未飽和前)，以及和電壓VGS的3次方成正比(飽和後)
https://www.researchgate.net/figure/Current-Voltage-Characteristics-of-a-MOSFET-19_fig1_317007938
實際上的圖表是這樣
同時圖表也表達出另一個問題，VDS不能無限加大(及同理, VGS)，加壓到一定程度MOSFET就會直接被擊穿燒掉
實錘了。這兩張舊圖和新圖的willowcore分別用的是1165g7和1185g7的處理器的數據
這應該是無誤了。這樣就解釋了為什麼新圖比舊圖更強一些。
這兩顆的基礎頻率分別是2.8g和3g，然後15w的tdp指的就是在這個功耗下的頻率
(因為從本第一張3.2ghz 17w那裡看來，15w大概會落在3.0ghz這個位置)
兩張圖對下去的都是icelake2.15ghz時的電壓，對上去tigerlake舊圖到2.8ghz，新圖到3ghz
無論如何基本可以確定這兩張圖都是真實的比例。
兩張圖都準確了對比了1165g7和1185g7對比1065g7的能效表現
那麼從每一個相同電壓的對比下，可以看到，在最高電壓的位置1165g7比1065g7強21%， 1185g7比1065g7強22.5%
intel在發布會當天說單核提高24% 這個24%應該是指這一點。ipc可能有1-3%左右
如此看來在15w tdp限制時，
1185g7全核心頻率 : 1165g7 全核心頻率 ：1065g7 全核心頻率 分別為
3 ： 2.8：2.15
1.37：1.3： 1
假設ipc1-3的話，
那麼大概15w tdp時，1185g7多核效能大概會比1065g7強接近40%，1165g7則強1065g7 33%左右。
這個還算不錯。沒有之前我說的那麼誇張
至於25w或28w時這個就要看全核心時脈是多少了。
swift5 這台筆記本看起來是壓不住。等更出色散熱的筆記本出來後才知道
不過無論如何，這個差距會縮小就是了
不過可喜的是玩遊戲部分，因為玩遊戲時 cpu所能分配到的功耗肯定更少，那麼在更低頻時 1065g7跟1165g7/1185g7的差距肯定更大。可能單核差40%，多核差60%這樣，這樣的差距就能讓cpu為gpu帶來多額外15-20%的遊戲幀數。
這樣也就更好的解釋為什麼這代內顯能夠增強這麼多。
我想如果給renoir的apu用上tigerlake的cpu 遊戲幀數也會提高許多
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