ponjiayulady wrote:
什麼時代了還在跳ju...(恕刪)
他講得應該是指OC失敗後的Clear CMOS Jumper
不過現在大家都直接拔電池比較快 不用在去看使用手冊
好點的版子也會做成快捷鍵(甚至會有Debug led)
也有版子可以設定成幾次開機失敗後
回復成預設值重開機
所以幾乎會有人去用Jumper
不過超頻扯到電子背景跟MOSFET真的是扯太遠了
28nm是不是極限我是不知道啦.
不過既然超不上去, 那也代表效能極限只能是那樣了
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以上正文
以下講古
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simonni wrote:
胡扯? 超頻是有本錢有時間的玩家在玩的,超頻會減短 CPU 的壽命
不知超頻過程亂改亂試,很容易壞掉,版上超頻介紹不一定對你適用
從這篇開始就歪題了
那我也來歪一下好了.
話說玩過 80386/387 , 80486 沒?
Pentium 家族 75Mhz (80502-75) , MMX 那年代的東西?
好吧也許太早了.
那超頻年頭, 紅極一時的 Celeron A 300 跟 333 玩過沒?
以前呀...
超頻玩家們的初衷, 是想辦法用最省的錢, 湊出最好的效能.
超頻, 最原初的動機就是能夠從處理器中獲得比付出更多的回報
使用者可以購買一顆相對便宜的處理器
並把它超頻到執行在貴得多的處理器的速度下
如果願意投入時間和努力的話, 超頻能夠省下大量的金錢
聽著, 超頻的重點在於最省錢狀態下的最高效能.
密密麻麻的跳腳帽. 針腳. 鉛筆線. 風扇強排. 大鐵塊.
一隻三千到五千的羊咩咩 A 300mhz / 333mhz,
超一下直達 450mhz+,
除了快取大小有點抱歉以外
直接把一萬五千大洋的奔騰醬做掉, 有沒有看過?
喔對了,
超過頭會是先過熱燒掉, 還是過電流燒掉
這就不知道了.
但我很肯定荷包一定會跟著燒掉!
超頻的極限值抓錯, 一次就燒掉一台
只好摸著鼻子再來一部電腦, 經歷過嗎?
相信我, 小羊300A 已經相對好超了但還是每個月都有機子超到燒掉
曾幾何時
Abit陞技玩出 Bios 超頻 (是陞技, 不是環茂
)後面一堆版商開始跟進.
超頻動到跳腳, 改電路, 甚至還要改焊時間振蕩器這種大工程早已不復見.
已經變成拿著計算機查著規格表, 從 Bios 設定時鐘頻率, 除頻啥伙的計算功力
以及挑選好體質的配件, 交流討論哪款記憶體好超的年頭.
接著版廠們為了再提升, 開始製作出能在 OS 底下直接操控超頻的軟體
(當然效果上什麼的就不是那麼的理想. 你懂的.
)一路玩到現在, 連 CPU 廠商都決定給消費者一個新選擇 :
把以前為了避免被不肖業者魚目混珠而鎖起來的倍頻打開, 給你超個夠
壞了判人損, 你還是得花錢再買一顆
連週邊廠商都推出一堆針對超頻的各種配件!
超頻搖身一變
從買顆便宜的低端處理器,
然後超得比貴死人不償命的高端處理器效能還強大
這樣的 省錢取向
變成買來不超白不超, 反正動個手指就比預設要強,
還能現一下自己"超頻功力"的精深
除此以外超頻配件一個都不能少
機殼散熱器電源供應器樣樣都要買超頻款
這樣的-有錢炫耀專用-別反白!沒禮貌!高級用戶取向
整個早就已經偏題偏到不知道去哪了
超頻, 這真的是時代的眼淚啊
..............所以.
這位simonni板友
超頻跟那些電子元件原理怎麼了嗎?
不用這麼激動吧?
-東扯西扯扯到很多東西, 把電子學課本翻開來就查得出是錯的-別反白!沒禮貌!
這一串後面的討論讓我還以為我在看電子學...
然後有些地方真的令不是本科生的我都覺得有點.
嗯? 怎麼說呢?
我資工, 不是電子, 我不知道. 不予置評
simonni wrote:
我確定是 Vgb 偏壓,游離電荷會吸附在 PN 障壁表面形成通道
電流是在 SG 極間流動,若想知道 是 + 或 - ,要看是 P-type
電流是在 DS 間移動好不好........
而且 FET 的工作原理才不是什麼 PN 障壁表面啥鬼的...
那個是 BJT
現在 IC 製成都是 FET CMOS
工作原理是當 G 加上電壓後會因為 +- 吸引電子/電洞
在 DS 形成通道
因為是靠吸引力
所以根本不耗電
順帶一題
現在說的 32nm 22nm
指的是這個通道的長度
-----------------------------
如果真的很愛超頻
ARM 也可以超阿XDDD
X86 的話
期待一下 VIA
simonni wrote:
你認為 場效體 是如...(恕刪)
我認為??我能認為什麼 我可不會去挑戰那些IEEE fellow權威
當然是循著他們的諄諄教誨
對這個NMOS而言，真正用來作為通道、讓載子通過的只有MOS電容正下方半導體的表面區域。當一個正電壓施加在閘極上，帶負電的電子就會被吸引至表面，形成通道，讓n-type半導體的多數載子—電子可以從源極流向汲極。如果這個電壓被移除，或是放上一個負電壓，那麼通道就無法形成，載子也無法在源極與汲極之間流動，也就是可以透過閘極的電壓控制通道的開關。 Wikipedia
倒是你可以提出一個完全不同的物理模型出來
電流在閘極源極間流動 Igs耶
你要不要解釋一下怎麼推翻這3-40年的電子學
超頻跟這些電子元件很有關
時脈就是這些元件衍生出的一些電容可以達倒多快的充放電速度
電壓增加電容充放電速度更快當然時脈可以更高
怪了 各個工作區早就解釋過了，在解釋一次給你聽
G-S(B)偏壓低於Vth無法形成通道就是截止區 ID小到可忽略，G-S(B)偏壓高於Vth形成通道、mos導通 ID開始在ds之間流
動、此時ID大小與DSG三極偏壓有關所以叫他三極體區，ID-VDS為線性關係所以別明又叫歐姆區，這個前面我講歐姆接觸以經解釋過了
VDS>Vgs 也就是VD>VG後 通道靠近d極處開始PINCH OFF ID電流被侷限，不考慮通道長度調變效應的話，電流大小與D極電
壓無關開始進入飽和區也就是通道夾止
上面這幾行我早就在之前下面原理提過了，自己半桶水看不懂怪誰
早就講得很清楚，自己看不懂怪東怪西，可以換你回答我下面那些問題了嗎
從頭到尾都是我在正確原理解釋，我只看到你誤人子弟
下面我標紅的問題完全沒看到你解釋阿，你跟我講一堆錯誤的東西做啥
想刪我文也沒用，文章我早就全備份完 ctrl+c ctrl+v 很簡單 一點都不費力
正解如下，無需硬凹
http://goo.gl/UPZNJW
http://goo.gl/d4h1S
你才胡扯，吹牛前也不google惡補一下
形成通道的原理根本不是你講的PN接面
是metal(閘極)-oxide氧化層-semiconductor(substrate)(閘極) 電容結構
前面第一張截面圖就貼給你看了G-B間這個結構哪來的PN接面，B-S或是B-D之間才是PN接面，ok?
metal-oxide-semiconductor(substrate)電容結構如何形成通道，讓我舉個例
NMOS為例，P semiconductor(substrate)多數載子為電洞，G-B間的偏壓大於Vth後，
P semiconductor(substrate)的少數載子電子被吸引至
oxide表面這個區域，才有辦法在P semiconductor(substrate)內形成反轉層也就是n通道
形成通道的原因完全就沒有甚麼你提到的PN障礙，got it???
substrate是獨立的半導體，上完光阻、黃光、蝕刻後D、S才長在substrate上面
你愛講的基極只是substrate拉出來的一隻腳
不是你講的甚麼鬼gsd共同使用基極，你有沒有學過製程阿、有沒有念過smith阿
mosfet元件符號原始模型就是四隻腳
為了降低body effect的影響，基極才跟源極相連，所以元件符號才會只畫3隻腳
Vb=Vs、Vgb=Vgs，所以一般不會有人講Vgb會直接講Vgs，understand? 聽過body effect嗎??
形成通道後D、S兩個high doping半導體內的多數載子才有辦法透過通道形成電流，
而且不管你是N通道電子流還是P通道電洞流都是在DS之間流動，D極偏壓大小決定通道是否pinch off
Id-Vds-Vgs三者關係以及要工作在甚麼區域上面都講得很清楚
另外G-S之間最好是會有電流流通，你沒看到氧化層嗎，學過半導體物理嗎??
不要再障壁哩那是diode半導體物理的東西原理跟mosfet不同，mosfet的Vth是threshold voltage不要再給人家亂改名了，
Smith、Razavi還是你高職老師是這樣教你的嗎
還自稱老師哩，你比半桶水更半桶水，路上隨便找個高職生都比你有概念
我還想問你高職有沒有畢業
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