成急思汗 wrote:韓媒：三星考慮解散 1c DRAM 專案小組，良率未過半仍推進 HBM4 量產
三星此次採用...(恕刪)
October 15, 2025
根據朝鮮日報報導，三星電子內部正討論解散負責 1c DRAM 良率優化的專案小組（TF），將人力與資源全面轉向 HBM4 量產準備，力拚在年底前打入 NVIDIA 供應鏈，重奪高階記憶體市場的主導權。
三星此次採用更先進的 1c DRAM 做為 HBM4 的核心晶片（Core Die），理論上可實現更高頻寬與能源效率。不過外界報導指出，其在「冷測」（Cold Test）階段的良率僅約 35% 至 50%，仍低於量產標準。由於 1c 製程線寬進一步縮小，製程控制誤差的容忍度低於 1b 世代，微影與蝕刻難度大幅提升。
相較之下，根據先前韓媒報導，SK 海力士完成 HBM4 量產準備，採用成熟的 1b 製程與 MR-MUF 封裝方案，良率據估超過 70%，已達量產獲利門檻。
TF 團隊成立於副會長全永鉉上任後，集合記憶體事業部的核心工程師，原本專注於 1c 製程的穩定性與良率提升。但在新時程壓力下，三星似乎決定跳過內部量產批准（PRA）程序，直接投入 HBM4 量產體系的建構。
業界分析指出，即使良率未達理想，三星也要憑藉世代差與性能優勢突圍。熟悉內情人士透露，三星內部寧可犧牲短期效率，也要在 HBM4 成為新標準前搶回技術主導權。
根據 Counterpoint Research 統計，今年第二季全球 HBM 市占率為 SK 海力士 62%、美光 21%、三星僅 17%。這是三星首次落居第三。分析認為，若無法在短期內穩定 HBM4 量產良率，市占差距恐進一步擴大。
隨著 AI 訓練需求推升 HBM 需求量倍增，業界普遍預期 HBM4 將成為 2025 之後最具關鍵的記憶體戰場。能否率先掌握量產節奏，將決定全球記憶體格局的重新洗牌。
三星的老問題
