天空一片雲 wrote:
INTEL這10年來...(恕刪)
假新聞，當初amd都沒賣，怎可能市佔超過5成的intel會賣...
股市都會超漲超跌，amd曾經只有4塊，都沒倒，現在...
大家都以為intel只有cpu，其實intel的網路晶片也賣得不錯。
i社 網路芯片對 AMD 系統不友善, AMD 的市占也會影響. i社 的 Fab 像燙手山芋般虧錢, 想賣的是這塊. 偏偏不會有人接, 所以才講得不清不楚. 有人要整包買, 當然賣
有人要出錢填洞, 誰不要!? 據說: Xeon 6 是 i社 自產, 這塊生意若崩盤, 有可能 i社 股價迎來另一波斷崖. 自產=競爭不過 AMD, NV 等, 資料中心很看耗電量滴~
說台積電的奈米製程確實贏過INTEL，但是奈米製程會碰到科技牆而卡到
再來就是堆疊的天下，就是晶片一層層疊上去，這技術INTEL很強
所以3-5年後會怎樣？？其實很難說！！
敢的人就趁低檔大買INTEL股票，也許幾年後會賺翻。
i社 沒有真正做出 3D IC 哦~ 目前只有 GG 產出 3D IC. 要不, 把那則影片 PO 出來聞香一下. i社 自產的單層晶片都不好用了, 堆疊多顆晶片, 能孝孤嗎?
這廣告強過 i社 發表時的! GG 大力幫助, i社 發表時連一句謝都無. 起碼, 這影片清楚標示出是 GG 3nm 製造. 不過, 第一個影片有誤, 那個不叫 3D 封裝.
不用逆天! 用 GG 3nm 已經是保證能用. 剩下的是有無需要換電腦問題. 但, i社 的命, 懸在 Xeon 6, 這是 i社 自產的. 有可能開始打不進超電市場.
CHIPLET :而Chiplet 技術便是通過先進封裝技術讓多個小晶片形成的SiP ， Chiplet主要是將大晶片化整為零，單顆晶片本質上是IP硬件化，Chiplet可視為是多顆硬件化的IP集合。
先進封裝技術可分為 2D 的 InFO（扇出型封裝）、2.5D 的 CoWoS（Chip on Wafer on Substrate），以及 3D 的 SoIC（System-on-Integrated-Chips）
TSV :直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via)封裝技術， 是一種能讓3D封裝遵循摩爾定律(Moore's Law)演進的互連技術，其設計概念是來自於印刷電路板(PCB)多層化的設計
TSV 主要使用在矽晶片上；而TGV 則使用在玻璃基板上
Info集成扇出型封裝 技術InFO (Integrated Fan-Out) 在堆疊過程中，利用半導體製程技術少使用了中間的導線載板，除了大大降低了封裝成本外，尺寸上可以做到更輕薄，更有利於散熱和降低晶片的功耗。
CoWoS指的就是把晶片堆疊起來
CoWoS 可以分成CoW和WoS兩個部分來看。CoW（Chip-on-Wafer）是晶片堆疊，WoS（Wafer-on-Substrate）
Cow 是將晶片堆疊在導線載板上
Wos 是將堆疊好的晶片封裝至基板上，最終堆疊完成後形成2.5D / 3D的型態，進而提升晶片成品的效能
CoWoS 可以分成『CoW（Chip-on-Wafer）』、『WoS（Wafer-on-Substrate）』，從最上面的平台來看，把將 CPU、 GPU 、 HBM 、電源IC 等晶片，利用矽中介版（Interposer）與矽穿孔（TSV）水平整合成晶片（CoW），再把他封裝基版上面（WoS），達到減少晶片的空間，同時還減少功耗和成本，此技術困難在於『異直整合
我們熟知的 CoWoS 技術是將晶片、記憶體等元件，在中間夾上矽仲介版（Interposer），透過 TSV 連結，封裝到下層基板上技術，不僅加快封裝效率，也增加晶片空間利用與效能，不過，卻缺少異質整合部分，對此，SoIC 能夠將不同節點、製程的晶片堆疊連接（利用 Hybrid bonding 技術），同時滿足單靠 CoWoS 無法滿足的空間利用效果，也大幅增加整體晶片功效。兩者較明顯的差異在於，SoIC為直接進行晶片與晶片連結，不僅接點介材與 CoWoS 的 Interposer 不同，也不需要依靠 TSV 串聯，也是因此，SoIC 才能在前期對晶片提供更多空間，也才能做出更小的晶片，並達成效能、算力的再提升。不過， SoIC 製程後續仍能透過 TSV 串聯其他基板，或與技術整合。
SOIC封裝 System-on-Integrated-Chips
要順利完成 SoIC 封裝，就要靠 Hybrid bonding（混合鍵合，又稱直接鍵合互連 ）關鍵技術的協助，與傳統3D IC 僅有的的矽穿孔（TSV）技術不同，簡單解釋，就是利用導電的介電材料，讓晶片間的小凸點（接點）接合間距更小，據悉，與傳統接合技術相比， 理想狀態下，Hybrid bonding 最多能使間距縮小至 1µm 以下。
HBM 高頻寬記憶體
高頻寬記憶體（英文：High Bandwidth Memory，縮寫HBM）是三星電子、超微半導體和SK海力士發起的一種基於3D堆疊工藝的高效能DRAM，適用於高記憶體頻寬需求的應用場合 ，目前幾乎所有HBM 系統都封裝在CoWoS 上，並且所有高級AI 加速器都使用HBM
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