Howdy Mate wrote:基本上就是行銷手段瞄準多數不懂的一般消費者讓他們以為5=5,3=3 以此類推走歪了,真的,歪的讓人痛心 你這段是在罵三星和台積電嗎,本來就是晶圓代工廠先走歪的,Intel現在頂多是跟著一起歪而已,最終的效果就是希望5=5 3=3
kkk123kkk123kkk wrote:你這段是在罵三星和台(恕刪) 三星的行為歷史.. 我想不用多說了原本定義者是I家, I家的定義也是比較精確的(個人認為)但如你說, 現在反而不求精進, 想在行銷上能x就x而且, 話真的放太多了, 價格也不降一下一整個就是走歪到不行感覺上就是多年的行銷及管理放不下來無法痛定思痛的按部就班的面對及解決根本問題
真的改了。(引對岸文章)Intel 7:基於FinFET晶體管優化,Intel 7與Intel 10nm SuperFin相比,每瓦性能將提升約10%-15%。2021年即將推出的Alder Lake客戶端產品將會採Intel 7工藝,之後是面向數據中心的Sapphire Rapids預計將於2022年第一季度投產。Intel 4:完全採用EUV光刻技術,可使用超短波長的光,刻印極微小的圖樣。憑借每瓦性能約20%的提升以及晶元面積的改進,Intel 4將在2022年下半年投產,並於2023年出貨,這些產品包括面向客戶端的Meteor Lake和面向數據中心的Granite Rapids。Intel 3:憑借FinFET的進一步優化和在更多工序中增加對EUV使用,較之Intel 4將在每瓦性能上實現約18%的提升,在晶元面積上也會有額外改進。Intel 3將於2023年下半年開始用於相關產品生產。Intel 20A:憑借RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術開啟埃米時代。RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現,它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。該技術加快了晶體管開關速度,同時實現與多鰭結構相同的驅動電流,但占用的空間更小。PowerVia是Intel獨有的、業界首個背面電能傳輸網路,通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。Intel 20A預計將在2024年推出。Intel也很高興能在Intel 20A製程工藝技術上,與高通公司進行合作。2025年及更遠的未來:從Intel 20A更進一步的Intel 18A節點也已在研發中,將於2025年初推出,它將對RibbonFET進行改進,在晶體管性能上實現又一次重大飛躍。
除了改變製程稱呼,連功耗說法也改動了。Intel 在公佈第 12 代 Core 處理器時捨棄了大家平時看到用來形容熱設計功耗的名詞 TDP (Thermal Power Limit), 通常名為 PL1 (Power Limit 1),現在改為 PBP (Processor Base Power 處理器基礎功耗) ,PL2 (Power limit 2)改名為 MTP (Maximum Turbo Power 最高 Turbo 功耗) 。