maya95 wrote:
英特爾之前表示，首套 High-NA EUV 曝光機將用於學習如何生產 Intel 18A 先進製程，有望使英特爾領先對手台積電和三星。
學習生產 VS 正式量產,
這是 地 VS 天 的差別.
英特爾是否正在壟斷 ASML 高 NA 工具市場？不想重複 EUV 錯誤
- 報告顯示英特爾將在 2024 年獲得 10 個 ASML 高 NA 工具中的 6 個
- 將使英特爾領先台積電和三星
- 這是一場豪賭，但可能帶來巨大的回報
- 這是否意味著 2024 年 ASML 的高 NA 工具銷售額將達到 40 億美元？
產業新聞來源 Trendforce 報導稱，英特爾將獲得可能於 2024 年發貨的 10 個高 NA ASML 工具中的多達 6 個。
文章還引用三星副董事長 Kyung Kye-hyun 的話說“三星已經獲得了高 NA 設備技術的優先權”
這似乎意味著英特爾獲得了最高 NA 工具，其次是三星，因為最近宣布與韓國 ASML 投資 7.55 億美元。
這將使台積電處於不同尋常的第三位，與目前在 EUV 領域的主導地位（佔全球 EUV 工具的 70%）形成鮮明對比。
Trendforce 關於高 NA 工具的文章
2024 年 ASML 北美銷售額將達到 35 至 40 億美元？
如果我們假設工具成本為 3.5 億至 4 億美元，並且 2024 年 10 個工具的高 NA 銷售額將在 35 億 至 40 億 美元之間，即使並非所有收入都可能在日曆年得到確認。
我們認為，ASML 的高NA 帶來的潛在上漲空間並未體現在股價中，因為對大多數人來說，十種工具聽起來有點誇張，但如果能做到這一點，那就意味著強勁的上漲空間。
我們在過去的文章中曾表示，中國制裁造成的任何弱點都可以透過其他銷售來彌補，這只是一個例子
2025 年有 15 個工具？…2026 年有 20 個工具？蔡司是看門人…
如果 ASML 確實在 2024 年交付了 10 個工具，那麼這種增長將意味著在 2025 年輕鬆增加到 15 個或更多工具，並可能在 2026 年增加到 20 個以上。與常規 EUV 工具一樣，蔡司的鏡頭可用性將再次成為限制因素，因為高 NA 鏡頭比目前已經很困難的 EUV 鏡頭複雜得多。
鑑於 EUV 光源將保持一定程度的不變，且階段增量實際上完全取決於鏡頭。
誰會得到它們？何時何地？
如果我們假設英特爾確實按照建議獲得了前 6 個高 NA 工具，我們可以想像英特爾波特蘭將獲得至少前兩個工具，其他工具將在 2024 年前往亞利桑那州和/或俄亥俄州。在其他四個工具中，三星可能至少有兩到三個工具，而台積電則獲得一到兩種工具。
我們猜測台積電可能會更加努力地推動當前 EUV 的多重圖案化，而不是立即跳到高 NA。
許多業界人士認為，與現有的多圖案 EUV 工具相比，高數值孔徑 EUV 工具將難以在成本上證明其合理性。這可能是台積電的明智之舉，也可能是錯誤……時間會證明一切。從英特爾的角度來看，他們別無選擇，只能大力推進，因為他們過去在 EUV 上的緩慢是台積電在摩爾定律中超越他們的原因之一。
很明顯，英特爾不希望重蹈最初的 EUV 工具的覆轍，因此很早就向 ASML 承諾獲得一年多前宣布的第一批高 NA 工具。
如果高 NA 確實成功，這將是英特爾需要迎頭趕上的「青蛙躍」。
如果我們對 2025 年 15 個工具的猜測接近的話，我們預計英特爾、三星和台積電之間的份額會更加均勻，而歐洲 IMEC 的一款工具與 ASML 密切合作，很可能也會獲得一款用於研發。
到 2026 年，三大晶圓代工/邏輯製造商之間可能會出現 20 個工具的情況，很可能會像最近宣布的那樣為紐約增加一款用於研發的高 NA 工具。
我們預計記憶體製造商在最初幾年不會採用高數值孔徑，因為他們現在才剛開始採用常規 EUV，並且仍落後於 EUV 光刻技術的代工/邏輯需求 4 到 6 年。
我們不會感到驚訝的是，經過 3 年的高 NA 出貨量，英特爾擁有大部分高 NA 工具，就像台積電擁有當前 EUV 技術的最大份額一樣。
對英特爾來說這是一個重大但必要的賭注
如果英特爾在 2024 年購買 6 個高 NA 工具，則意味著僅高 NA 工具資本支出將達到 21億至 24億 美元。這是一個相當大的賭注……但如果它有助於追趕台積電，那麼這筆錢花得值得。我們別無選擇，因為如果不這樣做，英特爾就會落後於台積電，如果幸運的話，最好的情況是與台積電處於同等地位。高數值孔徑將比標準 EUV 更快投入生產
儘管 EUV 和高數值孔徑 EUV 工具之間存在顯著差異，但基本概念是相同的。EUV 與 ARF 沉浸式技術相比並不是巨大的飛躍。每份工具的成本為 3.5 至 4 億美元，晶片製造商將需要盡快讓這些新工具投入使用。
他們還必須集中精力（請原諒這個雙關語）在單一圖案高 NA 與多圖案標準 EUV 上獲得經濟回報，這在一開始可能不是一個slam dunk (確定的事情)，就像 EUV 很難證明多圖案 ARF 沉浸一樣（關於你的成本優勢仍然有爭議）。
High NA最終會使中國落後嗎？
正如我們在 7NM 中所看到的，中國已經能夠使用多圖案 ARF 沉浸來獲得類似 EUV 的保真度。這項工作似乎可以擴展到 5NM。
我們對以任何可用/經濟可行的方式將 ARF 沉浸深度擴展到 3 nm表示懷疑。這往往表明，那些實施高數值孔徑 EUV 的技術將超出中國晶圓廠的能力範圍…至少在可預見的未來。
半導體製造, 不是只有黃光 曝光機 光刻機, 還有三個製程模組部門. 後面還有封裝模組部門. 全部加起來, 才是使淪陷區大落後的原因. 就好比刻出超跑的外型, 內在零件全不重要!?
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