三星晶圓代工廠斥資 7.73 億美元購買兩台 ASML 高數值孔徑 EUV 掃描儀

2025年10月16日

三星晶圓代工廠將進行高數值孔徑 EUV 微影製程的全面升級，併購置了總價值 7.73 億美元的 ASML Twinscan EXE:5200B 雙級微影系統。這項投資將確保三星擁有兩台先進的高數值孔徑 EUV 微影機。每台光刻機每小時可處理超過 175 片晶圓（英特爾 14A 晶圓廠每小時可處理約 200 片晶圓），在最佳條件下，每月可處理數萬片 300 毫米晶圓。三星計劃今年安裝一台高數值孔徑 EUV 光刻機，可能在未來幾週內安裝，第二台光刻機計劃於 2026 年初安裝。 ASML 光刻機可以列印小至 8 奈米的電晶體，這比目前的「2 奈米」節點（閘極間距超過 40 奈米、金屬間距為 20 奈米）小得多。電晶體的實際尺寸與節點名稱中的標稱尺寸有所不同。

三星代工廠將主要使用這些先進的高 NA 掃描器來生產邏輯和 SRAM，預計稍後將生產高 NA 的 DRAM。 ASML預計，到 2027 年，它將根據現有訂單和需求交付 56 台低 NA EUV 掃描器。這其中包括英特爾 5 台、三星 7 台和 SK 海力士最多 20 台。根據韓國媒體報道，SK 海力士計劃在未來兩年內安裝 20 台低 NA EUV 裝置，專注於 HBM 記憶體和先進的儲存解決方案。對於高 NA，ASML 的目標是到 2027 年交付 10 台高 NA EUV 掃描儀，每台成本約為 3.8 億美元。英特爾將使用這些掃描器用於其 14A 節點製造，而 SK 海力士預計將在其記憶體操作中使用兩台。為了保持競爭力，三星也在進行大量投資。

Intel has reported processing over 30,000 wafers in a single quarter using High-NA EUV exposure, achieving simplified manufacturing by reducing the required steps for a particular layer from 40 to fewer than 10, which has led to faster cycle times. Similarly, Samsung has documented a 60% reduction in cycle time for one of its specific applications, demonstrating impressive results in its operations.

英特爾報告稱，其單季使用高數值孔徑 EUV 曝光技術處理了超過 3 萬片晶圓，透過將特定層所需的步驟從 40 個減少到 10 個以下，簡化了製造流程，從而縮短了生產週期。同樣，三星也記錄了其某一特定應用的生產週期縮短了 60%，展現了其在營運中取得的顯著成效。

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英特爾, 三星 都已經使用 高數值孔徑 EUV 曝光機

台積剛用較低價格引進