https://www.trendforce.com/news/2025/09/01/news-rapidus-2hp-reportedly-surpasses-intel-18a-logic-density-impacted-by-bspdn-rivals-tsmc/
據Wccftech援引消息人士稱,Rapidus 正在準備其尖端 2nm 節點,名為“2HP”,預計該節點的邏輯密度將與台積電的 N2 相當,更值得注意的是,遠遠領先於英特爾的 18A。
據報導引用的消息人士稱,Rapidus 2HP 的邏輯密度將達到 237.31 MTr/mm²,幾乎與台積電 N2 的 236.17 MTr/mm² 持平。報告進一步強調,這兩個節點都採用了高密度 (HD) 單元庫——在 G45 間距上具有 138 個單元高度——旨在最大限度地提高邏輯密度的配置,這意味著晶體管數量相當。
至於英特爾,儘管其 18A 節點尺寸較小,但據報道其密度為 184.21 MTr/mm²,相對較低。該報告引述消息人士的話解釋道,英特爾使用 BSPDN 是造成這一結果的原因之一,因為它佔據了部分正面金屬層,並降低了 HD 庫中測得的密度。然而,該報告指出,英特爾更注重每瓦性能而非原始密度,因此更高的邏輯密度並非其主要目標,尤其是在 18A 節點主要用於內部使用的情況下。
Rapidus 2nm PDK 將於 2026 年第一季推出,預計 2027 年將實現量產
根據 Wccftech 報導,Rapidus 將於 2026 年第一季向客戶提供其 2nm PDK。這家日本公司一直在快速推進。根據TechPowerUp報道,Rapidus 已成功流片 2nm GAA 測試晶片,並計劃於 2027 年實現量產。該報告還補充稱,該晶片採用 ASML 的 EUV 設備製造,並且已經滿足了所有初始電氣要求。展望 2027 年的量產,Rapidus 執行長表示,IIM-1 晶圓廠預計每月將生產約 25,000 片晶圓。
TechPowerUp 也指出,到 2027 年,Rapidus 的製程可能會比台積電甚至英特爾落後一到兩個節點。報告還指出,為了實現差異化,該公司專注於敏捷性,並強調其專有的全單晶圓工藝,其周轉時間僅為 50 天,而標準批量單晶圓工藝的周轉時間約為 120 天。
cruiseton wrote:
據報道,Rapidus 2HP 邏輯密度超越英特爾,競爭對手為台積電
https://www.trendforce.com/news/2025/09/01/news-rapidus-2hp-reportedly-surpasses-intel-18a-logic-density-impacted-by-bspdn-rivals-tsmc/
據Wccftech援引消息人士稱,Rapidus 正在準備其尖端 2nm 節點,名為“2HP”,預計該節點的邏輯密度將與台積電的 N2 相當,更值得注意的是,遠遠領先於英特爾的 18A。
據報導引用的消息人士稱,Rapidus 2HP 的邏輯密度將達到 237.31 MTr/mm²,幾乎與台積電 N2 的 236.17 MTr/mm² 持平。報告進一步強調,這兩個節點都採用了高密度 (HD) 單元庫——在 G45 間距上具有 138 個單元高度——旨在最大限度地提高邏輯密度的配置,這意味著晶體管數量相當。
至於英特爾,儘管其 18A 節點尺寸較小,但據報道其密度為 184.21 MTr/mm²,相對較低。該報告引述消息人士的話解釋道,英特爾使用 BSPDN 是造成這一結果的原因之一,因為它佔據了部分正面金屬層,並降低了 HD 庫中測得的密度。然而,該報告指出,英特爾更注重每瓦性能而非原始密度,因此更高的邏輯密度並非其主要目標,尤其是在 18A 節點主要用於內部使用的情況下。
Rapidus 2nm PDK 將於 2026 年第一季推出,預計 2027 年將實現量產
根據 Wccftech 報導,Rapidus 將於 2026 年第一季向客戶提供其 2nm PDK。這家日本公司一直在快速推進。根據TechPowerUp報道,Rapidus 已成功流片 2nm GAA 測試晶片,並計劃於 2027 年實現量產。該報告還補充稱,該晶片採用 ASML 的 EUV 設備製造,並且已經滿足了所有初始電氣要求。展望 2027 年的量產,Rapidus 執行長表示,IIM-1 晶圓廠預計每月將生產約 25,000 片晶圓。
TechPowerUp 也指出,到 2027 年,Rapidus 的製程可能會比台積電甚至英特爾落後一到兩個節點。報告還指出,為了實現差異化,該公司專注於敏捷性,並強調其專有的全單晶圓工藝,其周轉時間僅為 50 天,而標準批量單晶圓工藝的周轉時間約為 120 天。
看來 Rapidus 想 成為 地球 第 1.

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