據報道,Rapidus 2HP 邏輯密度超越英特爾,競爭對手為台積電

https://www.trendforce.com/news/2025/09/01/news-rapidus-2hp-reportedly-surpasses-intel-18a-logic-density-impacted-by-bspdn-rivals-tsmc/

據Wccftech援引消息人士稱,Rapidus 正在準備其尖端 2nm 節點,名為“2HP”,預計該節點的邏輯密度將與台積電的 N2 相當,更值得注意的是,遠遠領先於英特爾的 18A。

據報導引用的消息人士稱,Rapidus 2HP 的邏輯密度將達到 237.31 MTr/mm²,幾乎與台積電 N2 的 236.17 MTr/mm² 持平。報告進一步強調,這兩個節點都採用了高密度 (HD) 單元庫——在 G45 間距上具有 138 個單元高度——旨在最大限度地提高邏輯密度的配置,這意味著晶體管數量相當。

至於英特爾,儘管其 18A 節點尺寸較小,但據報道其密度為 184.21 MTr/mm²,相對較低。該報告引述消息人士的話解釋道,英特爾使用 BSPDN 是造成這一結果的原因之一,因為它佔據了部分正面金屬層,並降低了 HD 庫中測得的密度。然而,該報告指出,英特爾更注重每瓦性能而非原始密度,因此更高的邏輯密度並非其主要目標,尤其是在 18A 節點主要用於內部使用的情況下。

Rapidus 2nm PDK 將於 2026 年第一季推出,預計 2027 年將實現量產

根據 Wccftech 報導,Rapidus 將於 2026 年第一季向客戶提供其 2nm PDK。這家日本公司一直在快速推進。根據TechPowerUp報道,Rapidus 已成功流片 2nm GAA 測試晶片,並計劃於 2027 年實現量產。該報告還補充稱,該晶片採用 ASML 的 EUV 設備製造,並且已經滿足了所有初始電氣要求。展望 2027 年的量產,Rapidus 執行長表示,IIM-1 晶圓廠預計每月將生產約 25,000 片晶圓。

TechPowerUp 也指出,到 2027 年,Rapidus 的製程可能會比台積電甚至英特爾落後一到兩個節點。報告還指出,為了實現差異化,該公司專注於敏捷性,並強調其專有的全單晶圓工藝,其周轉時間僅為 50 天,而標準批量單晶圓工藝的周轉時間約為 120 天。
2025-09-03 15:52 發佈
想知道, Rapidus 到底有無從台積電洩密案取得幫助其二奈米開發的技術
eclair_lave

另外從PDK的推出預告看應該仍是早期版本,如果2027要量產很難說EDA/IP支援來得及完善到位,慢慢看後續即可

2025-09-03 19:08
eclair_lave

Rapidus是用IBM製程方案,如果因為TSMC資料而提高良率,製程結構或相關會出現近似TSMC製程而非IBM原設計的情況,當初三星也是這樣被抓到證據的

2025-09-03 19:23
cruiseton wrote:
據報道,Rapidus 2HP 邏輯密度超越英特爾,競爭對手為台積電
https://www.trendforce.com/news/2025/09/01/news-rapidus-2hp-reportedly-surpasses-intel-18a-logic-density-impacted-by-bspdn-rivals-tsmc/
據Wccftech援引消息人士稱,Rapidus 正在準備其尖端 2nm 節點,名為“2HP”,預計該節點的邏輯密度將與台積電的 N2 相當,更值得注意的是,遠遠領先於英特爾的 18A。
據報導引用的消息人士稱,Rapidus 2HP 的邏輯密度將達到 237.31 MTr/mm²,幾乎與台積電 N2 的 236.17 MTr/mm² 持平。報告進一步強調,這兩個節點都採用了高密度 (HD) 單元庫——在 G45 間距上具有 138 個單元高度——旨在最大限度地提高邏輯密度的配置,這意味著晶體管數量相當。
至於英特爾,儘管其 18A 節點尺寸較小,但據報道其密度為 184.21 MTr/mm²,相對較低。該報告引述消息人士的話解釋道,英特爾使用 BSPDN 是造成這一結果的原因之一,因為它佔據了部分正面金屬層,並降低了 HD 庫中測得的密度。然而,該報告指出,英特爾更注重每瓦性能而非原始密度,因此更高的邏輯密度並非其主要目標,尤其是在 18A 節點主要用於內部使用的情況下。
Rapidus 2nm PDK 將於 2026 年第一季推出,預計 2027 年將實現量產
根據 Wccftech 報導,Rapidus 將於 2026 年第一季向客戶提供其 2nm PDK。這家日本公司一直在快速推進。根據TechPowerUp報道,Rapidus 已成功流片 2nm GAA 測試晶片,並計劃於 2027 年實現量產。該報告還補充稱,該晶片採用 ASML 的 EUV 設備製造,並且已經滿足了所有初始電氣要求。展望 2027 年的量產,Rapidus 執行長表示,IIM-1 晶圓廠預計每月將生產約 25,000 片晶圓。
TechPowerUp 也指出,到 2027 年,Rapidus 的製程可能會比台積電甚至英特爾落後一到兩個節點。報告還指出,為了實現差異化,該公司專注於敏捷性,並強調其專有的全單晶圓工藝,其周轉時間僅為 50 天,而標準批量單晶圓工藝的周轉時間約為 120 天。


看來 Rapidus 想 成為 地球 第 1.
Intel等效TSMC N2的節點是14A,不是18A,18A的筆記對象是N3。
呵呵呵...

又來 電晶體密度. 要電性優秀, 能孝孤才是好產品.

i社 在八代後, 本板不是一直有人鼓吹i社電晶體密度高嗎?
實則, 在每瓦算力上, 早已落後 GG 生產製造的.

至於, i社 下單 GG 3nm 還是不佳, 這只能顯示 i社 的設計,
還未能較佳互相配合 GG 工藝. Arrow Lake 已經比 14/13代,
在功耗上有大進展, 這就是正常工藝該有的水平.
算力不佳, 是設計架構問題. AMD 用 4nm 可以穩贏, 就是好例子.



這回, 我再強調一次: 密度做得愈大, 不一定能得到好結果.曝愈小反而有害.
要各項製程環環相扣, 完美搭配.
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