https://technews.tw/2023/12/22/asml-delivers-first-set-of-high-na-euv-exposure-machine-to-intel/
曝光機大廠 ASML 21 日宣布,已運送業界首套數值孔徑為 0.55(High-NA)極紫外線(EUV)曝光機給英特爾。英特爾之前表示,首套 High-NA EUV 曝光機將用於學習如何生產 Intel 18A 先進製程,有望使英特爾領先對手台積電和三星。
ASML 發言人表示,已出貨第一套 High-NA EUV 曝光機給英特爾。如 9 月宣布,機器從荷蘭 ASML 總部運往英特爾俄勒岡州晶圓廠安裝。High-NA EUV 曝光機體積非常大,需 13 個大貨櫃才能裝完。每套 High-NA EU V 曝光機成本約 3 億至 4 億美元。
英特爾表示,會使用最新設備學習生產 Intel 18A 製程,2025 年量產。配備 0.55 NA 透鏡的高 High-NA EUV 曝光機達 8 奈米解析度,比 0.33 NA 透鏡、13 奈米解析度標準 EUV 曝光機顯著提升。High-NA 將在 2 奈米及更先進製程發揮重要作用。
因 High-NA EUV 曝光機與標準 EUV 曝光機差異不小,需大量修正基礎設施,故領先對手幾季部署對英特爾是很大優勢。英特爾有充足時間調整 Intel18A 製程,一方面調整 High-NA EUV 曝光機基礎設施。
3800E的帳面資料顯示初期產能大約195pcs/h,最大可到220pcs/h,比舊型號(3600D )大約提高30%,但有文章表示以生產成本看待沒有比較優勢,這個現象要到約1nm製程後才會發生逆轉


從ASML Dilemma: High-NA EUV is Worse vs Low-NA EUV Multi-Patterning
這篇跟相關文章看,High-NA 的生產成本與設計複雜度的挑戰比過往舊euv型號要高的多,這也能解釋各家裝機首年為何打算當作是練手,可以說2024~2025這兩年,各家對High-NA EUV的理解與生產最佳化進展有很多跟舊euv不同,必須重新摸索的地方
至於tsmc,由4月左右對2nm進展.良率等發言看,2nm初期生產主力應該也是手上持有的3600D等數量龐大的舊機型,3800E(或甚至是2025的4000F)大概會是邊學邊改的打醬油狀態


intel4的mtl 更新bios后的最新跑分。
和intel7的13700h相比,intel4的155h
45瓦下强19.4%
比7840u强8%
然后32瓦左右能实现13700h 45w的性能
32/45=0.71,同性能下需原来的71%功耗,或功耗降低29%
=
看后面还会不会有bios更新再进一步提高能耗比,
如果这个是最终值,那么intel4这能效表现只能一般,没有翻车,不靓眼也不算差。
=
如果intel4相比intel7功耗能降低40%的话,那么就能实现28瓦那里跑12900分,在7840u之上,35瓦能实现15000分,45瓦实现17000分
这也是官方宣称的降低40%功耗。目前并没达到目标值,只降低了29%功耗
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