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https://www.anandtech.com/show/18960/samsung-foundry-s-3nm-and-4nm-yields-are-improving-report
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目前，只有兩家代工廠為其客戶提供 3 納米和 4 納米級工藝技術：台積電和三星代工廠。但商業媒體有時會將前沿節點的良率歸咎於三星代工，但這一點無法得到證實。但最近的一系列報告稱，三星現在正在向商業客戶交付首款基於 GAAFET 的 3 nm 芯片，並且三星 3 nm 和 4 nm 級節點的良率總體狀況良好。
三星代工的4納米級工藝技術良率現已高於75%。相比之下，據Kmib.co.kr報導，根據 DGB 金融集團成員 Hi Investment & Securities 的報告估計，SF3E（3nm 級、早期全柵）芯片的良率現已超過 60% 。同一份報告稱，台積電 N4 節點的良率接近 80%，但同樣，這是研究人員的估計。
一般來說，有關代工廠良率的信息無法得到驗證，因為合同晶圓廠幾乎從不公開談論良率。他們有時會公開披露與以前的節點相比的缺陷密度，但三星代工的 SF4E、SF4、SF4P 和 SF3E 的情況卻並非如此。
三星代工官方只表示其SF3E工藝技術已經量產，良率穩定（可能是為了回應去年年底有媒體報導SF在SF3E上良率不穩定的報導），精煉SF3的開發正在進行中。
三星在一份聲明中寫道：“我們正在批量生產第一代 3nm 工藝，產量穩定，並且基於這一經驗，我們正在開發第二代工藝，以確保更大的批量生產能力。 ”
與此同時， TechInsights 發現 首批採用三星 SF3E 工藝製造的芯片之一。這是神馬M56S++，顯然是中國開發商比特微的加密貨幣挖礦芯片。挖礦芯片是相對簡單的設備，具有大量規則結構和很少的 SRAM 位單元。此類芯片易於構建，可用於最新工藝技術的出色管道清潔器，因此三星代工廠在其 SF3E 上製造此類芯片而不是大型 ASIC 也就不足為奇了。不過提醒一下，較小的芯片本質上比大型 ASIC 具有更高的良率（任何給定芯片覆蓋晶圓上有缺陷的點的機率較低），因此 Whatsminer M56S++ 的商業可行性並不意味著相對較大的智能手機或 PC SoC此時會達到相同的產量或同樣可行。
間接證實三星 5 納米和 7 納米級製造工藝的良率正在提高。據DigiTimes 報導 ，三星代工廠 5 納米生產線的利用率已增至 80%，5 納米和 7 納米工廠的綜合利用率近期已從 2022 年的 60% 攀升至 90%。 經濟時報新聞。再次強調，該信息來自非官方來源。
通常，無晶圓廠芯片設計人員不傾向於使用高缺陷密度的節點，因此如果5納米級（三星的SF4源自SF5）的利用率變高，這可能表明它們現在被三星客戶更密集地使用。或者，這可能表明三星代工廠的客戶迫切希望提高產量，儘管由於需求高而導致產量較低。然而，考慮到當前的市場狀況，情況可能並非如此
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