Arcus0827 wrote:
如果高壓不傷電子元件...(恕刪)
電子元件用的物料不同,就可以支持高壓下運作..
如最初的硅SI, 只可支持1.1EV..
至現在中國國內流行的氮化鎵,可以支持3.4EV..
就和以往比可以高3倍多..
中國品牌的手電都支持50W以上快充,市場主流現在已經到80-120W快充..
而IPHONE 只有大約25W-40W快充.
主要是變電元件缺乏氮化鎵,而鎵現在美國,日本都依賴中國供應.
西方和G7還未有其他技術可以避開鎵而實現高電壓的功能..
佛羅里達大學和美國和韓國大學的海軍研究實驗室（NRL）對氧化鎵（Ga2O3）電子發展的現狀和潛在未來地位進行了全面審查[S. J.Pearton等人，J.Appl。 Phys。，vol124，p220901,2018]。該論文共有19頁，約有4頁參考文獻。
儘管Ga2O3半導體材料對高功率和可能的射頻性能具有許多潛在的好處（圖1），但該評論的作者看到了許多需要克服的障礙。最後，Ga2O3電子器件很可能為現有的矽（Si），碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）技術提供互補的能力。審查小組認為氧化鎵（Ga2O3）可能有助於低頻，高壓領域，如AC-DC轉換中的應用。
氧化鎵（Ga2O3）是寬帶隙半導體（~4.8eV，相比之下GaN的~3.4eV，SiC的3.3eV，Si的1.1eV），可以以可控的方式摻雜n型（電子）遷移率。寬帶隙與高臨界場相關聯，允許在擊穿發生之前處理更高的電壓和功率密度。對於氧化鎵（Ga2O3），已經報導了高達3kV的擊穿電壓。
氧化鎵（Ga2O3）的另一個吸引力是以相對低的商業成本獲得的天然基材材料。這是基於使用熔融氧化鎵生長以產生穩定β多型體的晶體材料的能力。它是矽熔體的晶體生長，可為主流電子產品提供高質量的基板。
Block Anti wrote:
主要是變電元件缺乏氮化鎵,而鎵現在美國,日本都依賴中國供應.
你說的都是供給端的充電樁，但大電池的三元鋰、磷酸鐵鋰在沒充電的冷車狀態下都能無預警自燃！
等哪天固態鋰量產大規模普及，800V以上的快充樁也普及且不再有自燃意外再來說吧～
大陸現在自己都對電動車產業轉向PHEV、HEV了，真不懂還在吹BEV的是在想什麼？
請接受我遲來真摯的祝福～
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