華邦電 (2344) 轉型立基型DRAM有成，展望2011年營運，華邦電總經理詹東義表示，對今年市況謹慎樂觀，隨著3大產品積極製程提升，將與一線客戶維持長期合作關係，且透過製程微縮提升產品競爭力及擴展產品組合。
華邦電規劃，Mobile RAM將持續轉入65nm，並著手研發46nm Low power DRAM；NOR Flash將積極推廣產品線到3C領域，產品已開始出貨至手機市場，除58nm產品預計2011年下半年量產外，並與工研院合作研發RRAM。Specialty DRAM預計今年下半年將製程轉換至46nm，並將專注於高品質需求的應用領域以減緩產品價格競爭的壓力。
在資本支出上，華邦電今年將從去年的7.35億元降至4.96億元。
對於其他同業也積極搶進利基型DRAM部分，詹東義說，華邦電的產品與其他家有區隔，仍能保有競爭力。
在同業轉型將面對的困難上，他分析，由於標準型DRAM與利基型DRAM在價格上有很大的不同，標準型價格變動大，而立基型則較為穩定，因此在管理上要採取不同的策略，「腳踏兩條船，效率會有折扣，這條路蠻辛苦的」。
面對台幣升值所造成的匯損，詹東義表示，公司在面對匯損上，就是產業升級、客戶升級來因應，打進更多tier-1客戶。
DRAM沒虧錢的公司....不簡單
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