MeiyuHuang wrote:
想問2303聯電最...(恕刪)
https://technews.tw/2017/11/30/beyond-7nm-the-race-to-4nm-is-samsungs-to-lose/
4 奈米大戰，三星搶先用 EUV、擁抱 GAAFET
晶圓代工之戰，7 奈米製程預料由台積電勝出，4 奈米之戰仍在激烈廝殺。外媒稱，三星電子搶先使用極紫外光（EUV）微影設備，又投入研發能取代「鰭式場效電晶體」（FinFET）的新技術GAAFET，目前看來似乎較占上風。
Android Authority 報導，製程不斷微縮，傳統微影技術來到極限，無法解決更精密的曝光顯像需求，必須改用波長更短的 EUV，才能準確刻蝕電路圖。5 奈米以下製程，EUV 是必備工具。三星明年生產 7 奈米時，就會率先採用 EUV，這有如讓三星在 6 奈米以下的競賽搶先起跑，可望加快發展速度。
相較之下，台積電和格羅方德（GlobalFoundries）的第一代 7 奈米製程，仍會使用傳統的浸潤式微影技術，第二代才會使用 EUV。
製程微縮除了需擁抱 EUV，也需開發 FinFET 技術接班人。電晶體運作是靠閘極（gate）控制電流是否能夠通過，不過晶片越做越小，電流通道寬度不斷變窄，難以控制電流方向，未來 FinFET 恐怕不敷使用，不少人認為「閘極全環場效電晶體」（Gate-all-around FET，GAAFET）是最佳解決方案。
今年稍早，三星、格芯和 IBM 攜手，發布全球首見的 5 奈米晶圓技術，採用 EUV 和 GAAFET 技術。三星路徑圖也估計，FinFET 難以在 5 奈米之後使用，4 奈米將採用 GAAFET。儘管晶圓代工研發不易，容易遇上挫折延誤，不過目前看來三星進度最快。該公司的展望顯示，計劃最快在 2020 年生產 4 奈米，進度超乎同業，也許有望勝出。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）
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台積電通過 1,300 億元資本預算，啟動 5 奈米建廠計畫
格羅方德 7 奈米測試良率達 65%，未來將積極布局中國市場
三星傳擬買斷 EUV 機台，阻撓台積電 7 奈米製程
MeiyuHuang wrote:
想問2303聯電最...(恕刪)
美光控侵害營業秘密 聯電：無侵權
中央社26 分鐘前
（中央社記者張建中新竹2017年12月6日電）美光(Micron)在美國對聯電 (2303) 提起民事訴訟，控告聯電侵害動態隨機存取記憶體(DRAM)的營業秘密。聯電表示，絕無侵害他人權益，將委請律師處理。
美光爆發內賊案，原本擔任美光中科廠量產整合部課長的何男與品質工程部副理的王男，相繼跳槽聯電，無故持有美光所有的營業秘密，並意圖在中國大陸地區使用。
台中地檢署認為，聯電未積極採取防止員工侵害他人營業秘密，依妨害營業秘密罪將聯電與何男等人一併起訴。
美光進一步在美國加州控告聯電侵害DRAM營業秘密。聯電表示，向來尊重其他公司的智慧財產權，絕無任何侵害他人權益的情事。
聯電指出，多年來投入大量資源研發半導體製程技術，並擁有多項專利，將循法律途徑維護公司權益及商譽。
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