天國一輝小寶寶 wrote:
好了啦我要一台幫忙做...(恕刪)
我可以斷言，以後人人能買得起這玩意，必定是中國出產的
報導是這樣說
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Information的報導指出，該中國企業所製造的是28奈米DUV，儘管有部分關鍵零組件仍需仰賴自日本進口，但絕大多數零件已成功實現國產化。
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何謂關鍵零組件呢？ 那道光與那台電腦，其他東西也不過就是螺桿， 轉盤， 水管， 氣管， 風扇， 馬達，螺絲，電源， 拆一台舊機器， 就樣樣都能取得， 要仿冒也不難
關鍵零組件是日本進口的， 還叫自製？
說穿了，其實就是買一台日本光刻機， 換中國的殼
ASML 曾說，就算所有零件擺桌上全部給中國， 中國也做不出EUV ，看來確實是如此，中國不懂怎麼弄
若理論與實作技術真的有搞懂，這台DUV就不會有日本來的關鍵零組件, 你連EUV都能搞懂了，不會操控不了DUV
就像汽車大部分零件是花錢買就有，唯獨引擎，底盤與車控要真的有弄懂且自製， 那才叫車廠， 買別人的引擎底盤車控， 那就只是組裝廠
lien291 wrote:
先進製程有一個特點落...(恕刪)
他們中國有一種病, 吹牛, 就是爛東西都能吹牛世界最好.
而且他們還有一種病, 就是寧可虧錢幹, 也要一直玩到弄臭你
而且他們還有一種病, 就是低價亂賣, 賣得多, 就能大面神的假裝他贏過你.
在他們的眼中, 中國28奈米就已經勝過2奈米. 因為他們可以不要臉的說, 28奈米夠用了, 幹嘛浪費錢做2奈米,
但是他們卻傻傻的不會打算盤,
世界上早就有28奈米了, 是低毛利的舊技術, 大家都不懂, 為什麼中國要白癡的浪費錢自己重新做一套呢?
大把的錢花在一個沒有利潤的舊技術上, 這算是聰明人會做的事嗎?
watching-guy wrote:
他們中國有一種病, ...(恕刪)
現在硬體差距這麼大，但是呢，AI 差距在縮小，之前的某美國巨頭最先進的閉源模型網路攻擊某美國公司被中國開源模型抓包且防禦成功!
意思就是，硬體每進步一點，落在美國 AI 巨頭上的鍘刀又落下了一些，很有趣吧! 前幾年的新聞看一看唄，美國多麼自豪美國 AI 將繼續統治全世界
至於為啥中國現在有這種病? 完全是美國自己一手造出來了，太過於害怕一個純黃種人的國家崛起! 一個美國無法控制的國家和民族完全可以防禦所有的美式攻擊手段，不論多麼骯髒?
反正這個歷史大週期美國是躲不掉的，看是要體面點認份退出還是被修理過再退出?和平一起賺大錢不買帳? 那就把美國現在唯一還有優勢的 AI 徹底連根抹殺! 安心退位吧
至於其他領域? 美國不要輸太多就要偷笑了
中國目前 DUV 5 台 , 能力還弱 , 雖說落後 ASML 22 年 . 畢竟ASML 2004 出 浸潤DUV曝光機. 但至少有開發出來了
, 當年 DUV 發展 , canon nikon asml 都有 , 但當年 asml 是小家 , 乾式DUV 193nm , 全球轉往157nm , 但碰上很多問題 , 另外 CANON NIKON 當年是全力賭 玩157nm , 最後 TSMC +ASML 搞浸潤曝光機 類似可弄到 134nm 解析能力 , 把 nikon canon 全打趴 , 後來 157nm 到 30nm 間沒能用 ,陰道及短光波長下 玻璃不是透明的 沒法用 , 被吸收很嚴重, 最後只找到 只有 13.5nm 錫低發射光最強 , 且反 鏡片這波段反射最好 才用 13.5nm .
中國廠商其實還買很多 ASML 先進曝光機 , 所以中國自產浸潤DUV曝光機就面子問題了 , 至於 EUV 何時會做出來 ? 還很難說 , 可能 2030~2031 吧 , 但對 ASML 來說是壓力 , canon 放棄 157nm 改 NIL , nikon 則守低階機台 .
EUV 1.5億美金
high NA 3~5 億美金 : TSMC 精打細算 EUV+ 多重曝光 比用 high NA 好
hyper NA 6~8億美金
標準 0.33 NA EUV : 曝光視場 26x33mm ,
high NA 0.55 : 曝光視場26x16.5mm => 這會很麻煩的
hyper NA EUV : 可能失敗
標準 0.33 NA EUV 系統如 ASML NXE 系列中，晶片曝光視場Field Size最大規格確實是 26 x 33 mm。 到 High-NA EUV（0.55 NA如 ASML EXE 系列） 時代，曝光視場縮小了一半，變成了 26 x16.5mm。
儘管 ASML 與研究機構（如 imec）正在評估其可行性，
但業界（包含台積電、Intel 等晶圓代工巨頭）對 Hyper-NA 抱持極度審慎、
甚至認為它「可能永遠無法進入商業量產（Failure/Abandonment）」的態度。
Hyper-NA 可能失敗或被放棄的核心原因可歸納為以下四大維度：
1. 光學與物理極限的嚴苛挑戰光線偏振效應（Polarization Effect）與對比度喪失：
當 NA 達到 0.75 時，光線入射與反射的角度非常大（超過 $40^\circ$）。在如此大角度下，光線會產生嚴重的偏振效應（TM 偏振光的對比度會急劇下降）。由於光的干涉圖樣會因為偏振化而變得模糊，
成像品質（Contrast）會嚴重破壞。焦深（Depth of Focus, DOF）幾近於零：焦深與 NA 的平方成反比（$\text{DOF} \propto \frac{\lambda}{\text{NA}^2}$）。到了 $0.75\text{ NA}$，焦點的可容許誤差厚度會縮小到只有幾奈米甚至次奈米級。只要晶圓表面有一絲微小的起伏，就會徹底失焦。阻劑（Photoresist）薄到無法進行蝕刻：為了配合極窄的焦深，光阻劑（Photoresist）塗層必須降到 $10\text{ nm}$ 以下。但這麼薄的光阻在後續的電漿蝕刻（Etching）過程中，還沒蝕刻完矽基板自己就先被消耗光了，會導致嚴重的孔洞（Pinhole）與線路斷裂缺陷。
2. 設備工程與光罩（Mask）的物理衝突
a.變形鏡頭與「曝光視場」再次減半：
b. 巨大化巨獸與機台微型化矛盾：
3. 昂貴到無法收回成本（經濟可行性崩潰）
經濟效益低於多重曝光（Multi-Patterning）：
4. 替代路線的快速崛起（Hyper-NA 的替代品）
晶圓代工廠會轉向其他技術來繼續推進摩爾定律，這會讓 Hyper-NA 失去市場需求：
a.先進封裝（Advanced Packaging & Chiplets）
b.新一代垂直結構（CFET）：
c. Directed Self-Assembly (DSA, 定向自組裝) 或 定向沉積（Selective Deposition）：
利用化學分子自我排列來輔助微縮線寬，減少光學設備的負擔。
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