ambitiously wrote:
https://www.google.com.tw/amp/s/kknews.cc/tech/p4ozeap.amp
FDSOI與finFET工藝對比,誰更優?..(恕刪)
其實SOI與FinFET是兩種不同的東西
SOI應是與bulk Si來對比
FinFET應與傳統的FET來對比
SOI是Silicon On Insulator, 就是一種三明治結構
上面是device layer, ,中間是burried oxide, 下面是handling wafer
好處是source與drain底下就是burried oxide, 可以減少寄生電容
以前學生時代就有買過法國廠的SOI
device layer可以挑阻值, 甚麼傳統的3-5 ohm-cm到0.0001 ohm-cm都有
不過就是貴
四吋的一片就八九千元台幣
後來有台灣廠商做出來,不過品質不好,不知現在還有在做否?
SOI的應用除了FET外
還可以用在微機電的高深寬比的懸浮微結構上
不用SCREAM製程那樣的側壁是三層結構(Si/Oxide/metal),還有底部等向蝕刻懸浮製程
直接用Bosch process用DRIE直接吃到底,然後用BOE/HF etch oxide就可以
然後用超臨界乾燥防止stiction


其實SOI也可以製作FinFET...
