力晶的條件炙手可熱
(折舊完畢 10 萬片12吋產能 , 25nm Dram IP , 已量產瑞薩 Nand Flash 技術 , 小股本連續數年 EPS >5 ,聯貸將通過 ,大股東偏多..)
消息來源指出 : 大陸政府的重大投資案,力晶是上上之選 ,但是力晶更要待價而沽,等真正的大咖金主
股東們請放心
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大陸全力打造DRAM本土化方案
2015/3/24 電子時報
內容: 稍早傳出以武岳峰為首的大陸資本，約以6.4億美元買下在NASDAQ掛牌上市的芯成半導體(Integrated Silicon Solution；ISSI)，顯示大陸正全力進軍DRAM領域，期望透過技術引進建立本土DRAM產業。根據WatchStor報導，大陸正期望以技術輸入方式，建立屬於自己的DRAM代工製造產業。一旦大陸DRAM代工企業建立完成，接下來將瞄準NAND Flash展開另一波購併。 大陸正全力打造屬於自家的DRAM等半導體本土化方案。符世旻攝預覽列印1/1">放大
在長電科技以7.8億美元拿下新加坡星科金朋後，3月12日以武岳峰為首的大陸資本，宣布以每股19.25美元、總價約6.4億美元，購併在美上市的半導體設計公司芯成半導體。據了解，除了武岳峰之外，參與這項投資的還有eTownMemTek、清芯華創、華清基業資本管理以及上海市創業投資引導基金等，全是來自上海及北京的大陸大型國有資本。芯成半導體是家在美掛牌上市的非代工半導體企業，2014年營收約3.2億美元，專門負責DDR3、DDR2以及SDRAM相關產品的設計與行銷，產品製造則是外包給專業代工業者，像是台積電與聯電等。大陸曾在2013年宣布注資人民幣1,200億元到半導體產業，最近也開始逐步建立DRAM產業所需的各項技術，下一步將建立屬於自己的DRAM代工體系，目前傳出可能已有5個省在爭取這個機會。大陸全力推動半導體產業本土化，首先是形成完整的上游供應鏈，進而確保下游各大陸企業使用本土晶片，最終目的則是降低對南韓、美國及日本等半導體先進國的高度依賴，最近也不時傳出想透過政策，鼓勵大陸手機業者多採用本土晶片。2014年大陸DRAM消費量約102億美元，佔全球DRAM市場的2成，如果大陸以不斷成長的國內市場為基礎，成功打造出DRAM與NAND Flash本土製造生產體系，那麼目前以DRAM及NAND Flash為出口主力的國家及業者，勢必得小心因應。
力晶打造物聯網iRAM晶片 轉型之路避開台積電
2015/3/30 電子時報
內容: 力晶成功轉型為晶圓代工廠，更瞄準物聯網(IoT)商機推出iRAM解決方案，整合嵌入式快閃記憶體(eFlash)、ARM架構處理器晶片和通訊技術成為SoC整合型晶片，預計下半年出貨，全面擁抱物聯網時代來臨。力晶現在渾身上下都是「晶圓代工魂」，DRAM產品對力晶而言只是眾多布局的一小塊，除了繼續替台系IC設計公司晶豪、鈺創、力積等代工SDRAM晶片，以及協助記憶體模組大廠金士頓(Kingston)代工標準型DRAM晶片外，力晶旗下的12吋晶圓廠已經全面擁抱晶圓代工產品線。圖為力晶董事長陳瑞隆。李建樑攝預覽列印1/1">放大
有別於一般晶圓代工廠只專注於生產製造而不涉及設計，力晶比較像是整合元件廠(IDM)，同時有設計和製造兩個部分，旗下包括面板驅動晶片、電源管理晶片、影像感測器(CIS)、NFC晶片、車用記憶體、物聯網晶片等，可為客戶量身訂作客製化晶片，也可以直接提供整合型晶片給客戶採購。迎接物聯網時代，台積電、聯電、中芯國際半導體等陸續揭櫫布局計畫，從打造技術平台、製程完整度，到扮演伯樂物色具有潛力的新創公司都是目標。力晶也是默默鴨子滑水，集結旗下製程平台的技術優勢，為物聯網打造專用的iRAM晶片，成果有機會在2015年浮上檯面。所謂的iRAM晶片，是集合物聯網所需要的三大技術優勢，分別為低功耗的ARM架構處理器晶片、嵌入式快閃記憶體(eFlash)，以及Bluetooth 4.0/NFC/Wi-Fi通訊晶片，將這三種技術做成一顆整合型晶片，目前研發進度順利，傳出下半年會進入量產。物聯網相關晶片極重視低功耗，因此採用ARM架構處理器晶片，台積電、聯電、中芯國際等也打造超低功耗製程平台(Ultra-Low Power Platform)，但屬於特殊製程的eFlash技術的重要性，在物聯網時代，其實不亞於低功耗扮演的角色。半導體業者分析，多數半導體晶圓代工廠在eFlash技術上都不夠扎實，尤其是新崛起的大陸半導體廠eFlash技術實力都不夠，即使是授權自SST等IP業者以快速取得eFlash技術，也可能因為量產的晶圓片數不夠面臨技術瓶頸，未來需要更多的量產經驗來證明技術的可行性。力晶因為一直有NAND Flash晶片產品，因此在整合eFlash技術上已經有一定的基礎，在進入此技術領域上相當順利。力晶靠著從記憶體廠轉型為晶圓代工廠，2014年獲利超過新台幣100億元，2015年獲利達新台幣120億~130億元，2016年預計也將獲利超過百億元，創下獲利連續3年超過百億元的紀錄，日前向銀行團籌組新台幣150億元的貸款，藉此終結長期紓困。DRAM產業已經走向穩定期，價格起伏有限，經歷近期價格修正後，下半年DRAM價格會逐漸趨於穩定，尤其2015年預計有三星電子(Samsung Electronics)Galaxy S6和蘋果(Apple)的iPhone 6S系列新機問世，將會轉用3GB和2GB的Mobile DRAM晶片，也帶動許多標準型DRAM晶片產能轉到Mobile DRAM晶片上，帶動標準型DRAM晶片跌勢趨緩。另外，力晶的NAND Flash晶片持續出貨，台系記憶體廠陸續切入低容量的NAND Flash領域，力晶和華邦、旺宏三家台廠成為台灣NAND Flash晶片三劍客，力晶也提供NAND Flash晶片給客戶做成MCP晶片，主打智慧型手機市場。
rotagivan wrote:
2012年負債1100...(恕刪)
銀行欠款如下才對,實際還款速度比當年談的快很多
陳瑞隆背書 力晶紓困案過關
中時電子報作者： 記者朱漢崙╱台北報導 | 中時電子報 – 2012年12月7日 上午5:30
工商時報【記者朱漢崙╱台北報導】
DRAM大廠力晶的全體債權銀行團會議昨（6）日登場，據了解，由於接任力晶董座的前經濟部長陳瑞隆出面力挺，力晶總債權餘額高達447.8億元紓困案，在歷經近5小時協商後一舉過關，合計按期攤還及處份資產，銀行團5年內共可拿回295億元債權本金，提存警報可望解除。
依據銀行團提出版本，將以3年紓困搭配2年展延選擇權，來進行長達5年紓困計畫，債權銀行團會議召集人華銀昨日指出，希望各債權銀行在明年1月18日之前，完成內部程序，只要逾三分之二多數銀行過關，5年紓困計畫將正式上路。
銀行團會議也決議，將P3廠處分權將改委託新加坡二手設備買賣商EQUVO公司進行P3廠公開標售。
DRAM大廠力晶紓困案昨日三度過關，將以「3加2」進行5年紓困計畫，讓力晶分期攤還為數447.8億元的銀行團總債務，最大債權銀行華南銀行指出，希望各債權銀行在明年1月18日之前，完成各自董事會報送、通過等內部程序，只要逾三分之二的多數銀行過關，接下來的5年紓困計畫將隨即上路。
銀行團昨日在會中也提出預估，5年紓困方案之下，力晶大約可清償銀行團合計155億元債務，此外處份瑞晶股票的近100億元價金，銀行團約可拿回40億元，再加計P3廠的處份收入約介於80億至120億元之間，加計共可拿回295億元，以目前全體銀行對力晶的平均提存率已達50％來看，後續提存負擔完全免除，合計5年之後，力晶積欠銀行團債務大約剩152.8億元，不過由於屆時力晶已可正常營運，因此有能力繼續攤還。
昨日的全體債權銀行團會議共有41家銀行參加。與會銀行指出，力晶原本提出5年紓困計畫，除了明年還54億元之外，接下來從103年至106年底，每年再以36億元攤還債務，但多家銀行認為，不應該一口氣就同意5年的展延，因此才改成「3加2」的處理模式。
華銀進一步說明，該模式將先從今年12月14日開始至104年12月14日，給予3年展延期間，之後銀行團再視力晶期間的表現，決定是否行使「展延選擇權」繼續展延2年至106年底。
華銀指出，力晶必須在104年6月14日之前，再度向銀行團提出展期申請，屆時銀行團將同樣召開全體債權銀行團會議討論，以三分之二絕對多數門檻來決定是否通過再給予2年展延期間，屆時每月還本3億元，剩餘未清償的債權本金餘額應在106年12月14日到期日一次償還。
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