低軌衛星未來似乎會朝著利用現有4G 5G行動通訊頻段的衛星直連手機服務的方向發展,ASTS將率先在赤道附近場域推出這個服務,用戶在沙漠、高山等沒有基地台的地方,拿手機指向天空,就可以接收下傳100M、上傳20M的衛星通訊訊號,但因衛星收費遠比行動數據貴,因此只有在緊急的時候,才會用這項服務。
ASTS的天線做得面積特別大,SpaceX的下一代低軌衛星也會加大天線面積,所以似乎低軌衛星透過手機接收訊號,大家都不想改變現有的架構，低軌衛星專屬手機、iPhone內建衛星接收模組等場景大概不會實現吧!
4971英特磊10月12日國泰證券座談會有關DN-VCSEL整理
1. DN-VCSEL最重要的摻氮製程(發光層)，以形成量子井(Quantum well)，一定要用MBE長，GaAs、InP一個run需要6-10小時，只做Quantum well，一天可做5-10run，未來需求一旦起來，目前產能一定足夠。
2. DN-VCSEL未來包括手機、AR/VR、LiDar、生物量測等，但還有很多路要走，能否成功量產商品化目前尚言之過早，最先需驗證的是亮度。正在試驗能否透過多次退火以增加發光強度。
3. 目前先試做邊射型雷射驗證(不懂為何?)。客戶和客戶的客戶都很滿意目前進度。
4. 目前和客戶合作的方式，是英特磊只做發光層的代工，上下兩層DBR都是客戶自己的MOCVD磊晶，未來進入量產，公司會尋求成本效益最大化的方式(自己買MOCVD磊DBR或純代工?)。
5. i14 pro的屏下3D Sensing，據高博了解，Tx是用LED，不是用InP EEL。
6. Riber8000硬體問題解決，等待真空腔體到貨，原廠就可以來進行最後測試，希望年底前或明年第一季展開試產，以PHEMT和VCSEL為主(暗示Riber8000會是未來DN-VCSEL的生產主力)。
7. 高博評論公司在DN-VCSEL的進度：目前已經上一壘,離本壘得分還有一段距離
1. 用MBE在Si基板上二次生長GaN，可以讓接觸電阻少5倍，且減少漏電流，在RF應用上，可提供的效益是頻率可以擴大，但還是有一定的限度，也無法取代GaN-on-SiC在更高頻率、漏電率和散熱方面的優勢。
2. 目前已經掌握的客戶包括美國tier1、tier2各1家、歐洲1家、台灣1家共4家客戶,拚成本的GaN-on-Si for power目前尚不考慮投入。
3. GaN-on-Si尺寸愈大，翹曲的程度也愈大，MBE因成長溫度較低，缺陷比例比較小，未來往大尺寸發展，MBE就有競爭利基，公司也正在測試摻鋁、摻銦等技術。
4. MBE長GaN以前用氮氣加電漿做為N的來源，速度太慢，後來改用氨氣加電漿，速度至少提升一倍以上。所以用MBE成長GaN才有商業價值；高博說以前MBE長GaN的時間是MOCVD的5-10倍，現在已經縮小到1-2倍。
5. MOCVD因摻雜率無法很精確，做GaN二次生長有困難。
6. 目前初步規劃用2台機台做GaN，23年底可能增加到3台。
7. GaN二次生長的業績展望：22年以每季10萬美元為目標，23年預估成長30-50%，朝全年100萬美元目標邁進。
8. 有些美國政府的標案，指定用GaN二次生長技術，因此業績掌握度高。
9. 正是因為看到MBE在大尺寸GaN磊晶的潛力，所以和IVWorks合作開發8吋MBE機台，12吋的機台則是自己開發，未來可能會投入一次磊晶的業務。
10. 未來若一次生長、二次生長的業務量提高，可能會考慮在客戶集中地設一專業磊晶代工廠，或是以廠中廠的形式進到客戶的製程中，因GaN不含砷、鎵等毒化物，加上自動化程度高，不需太多人力，也許也可以用remote control的方式進行。
11. IQE用MOCVD製作GaN已經有10年以上經驗。
根據季報，公司22Q3的員工有84人，而去年同期21Q3的員工只有76人。1年增加了將近10%的人力。
相信公司是對未來的展望是樂觀的。過去財務長提到在2018-2020間，公司的成本與費用控制得相當樽節。
從2021年起公司營運出現轉機，到今年2022年更加的突破，公司沒有因此而滿足，反倒是利用獲利，投資未來。最好的證明就是人力與機台的擴增。相信公司是認為所耕耘的這個領域是不段在擴張的。
公司短期的看點就是InP，今年的總營收很有可能超過9億，其中超過55%是InP所貢獻的，原因當然是因為市場開始關注到這個材料，願意採用，而進一步量產。公司只能提供材料，選擇權會落在下游客戶與市場需求的手上，公司的定位是高階產品，因此會被採用與量產，幾乎就代表市場的走向已經往InP的需求在走了，一旦這種需求出現，趨勢是不會這麼容易結束的。
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