michang wrote:
真的~~上個世紀末...(恕刪)
可惜記性不好都忘光了⋯⋯
混血眼睛 wrote:
想請教麵線大 台積...(恕刪)
應是3nm吧！
這真的不容易
一個公開的資料
ASML的曝光機的overlay精度
3400B是1.1nm
這都是人類的製造極限的挑戰
ASML FB官網資訊：
【熱浪來襲🔥ASML的微影設備如何度過酷暑🌬】
ASML微影設備是半導體製程中的重要關鍵，設備效能直接影響積體電路的「關鍵尺寸（CD）」和「疊對（Overlay）」。特別是在積體電路製程邁入關鍵尺寸7奈米、疊對精準度2奈米的今天，任何可能降低微影設備效能的因素都必須納入考量，溫度變化就是其中一環。
曝光能量會使「成像鏡頭（Projection Lens）」溫度升高導致「像差（Aberration）」，進而影響成像品質，而高劑量曝光會使「光罩（Reticle）」產生熱膨脹，加上晶圓平台的馬達線圈產生熱能，使「晶圓（Wafer）」膨脹變形，影響疊對精準度。因此我們必須將微影設備內部的成像鏡頭、晶圓、光罩的溫度控制在攝氏22度C正負0.005的範圍內。
那麼ASML微影設備採用的溫控方法有哪些？
✅介質式溫控
大部分零件都是利用介質式溫控，如：成像鏡頭、晶圓平台，以及各種馬達線圈。介質「超純水（UPW）」流過恆溫循環水槽（攝氏22度）與被控零件交換熱能，維持零件的溫度穩定。
✅直接式溫控
某些特殊零件由於空間狹小或特殊溫度要求，如：光罩周邊，則需採用直接式溫控來維持光罩浴塵（Air Shower）的溫度。
✅外部控溫
微影設備不僅內部零件需要控溫裝置，外部的工作環境，以及運送過程中的運輸工具（飛機、車輛等）也必須將溫度維持在攝氏20～24度之間。
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現在CMOS的Finfet的鰭片電晶體,其中的fin width約6nm寬,EUV的half pitch約13nm, overlay 2nm算誤差有點大了,可是機械精度要再往下真的不容易
—————
一位朋友以前接觸過日本不二精機株式會社，他們號稱溫控精度達萬分之一度C，是世界第一。今天才知道它的用途。
健人就是腳勤
CAMRY車主 wrote:
台積電已經公告5奈...(恕刪)
3nm製程是Finfet的魔改
如果用GAA架構，要成熟沒那麼快
台積電也只是個foundry
沒有IMEC，沒有設備商與材料商提出solution
台積電也變不出來
沒有設備與材料商想出辦法
Foundry也無法量產
沒有solution，就無法探討後續的量產與良率⋯⋯
如果IMEC在5nm發現一個問題與材料商死命的想克服目前還沒完全解決
那台積電哪有本事靠自己提升良率？
舉一個例子
日本卡韓國的光阻
但EUV的光阻卻在比利時生產不在日本本土
Why?
我只能說我有看到一些事罷了⋯⋯
台積電在7nm之前是兩個梯隊在輪流研發
7nm陣前換將
表示要靠外部資源⋯
健人就是腳勤
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