在美國的軍用半導體供應商
要多注意喔~~~ 低點不多了
另外，其實公司過去有和大廠開發CdZnTe(CZT)基板的研磨技術，這東西可以拿來生長碲化汞鎘(mercury cadmium telluride, MCT)，屬於II-VI族的紅外感測技術，過去常用在飛彈追熱系統上，但不清楚這個技術目前有無導入量產，在標槍或刺針飛彈上很可能即是用這種紅外感測技術，可參考公司的介紹圖。
公司另外做的III-V紅外感測FPA，是用GaSb做的，意欲取代傳統II-VI的所有紅外應用(F35 DAS訂單就是這麼來的)，但並不清楚在飛彈追熱系統上是否也有III-V取代II-VI的趨勢，或許飛彈追熱使用的FPA的面積不大的話，III-V相對於II-VI的優勢即沒那麼顯著也說不定，這部分我還未有更進一步的想法。
楊瑞臨認為，需留意歐美中小型 IDM 廠在半導體等級混合氣體的安全庫存狀況，若俄烏戰事延長，不排除歐美中小型 IDM 廠採產能降載措施因應，恐影響物聯網（IoT）和車用電子晶片出現長短料市況，車用晶片荒是否更嚴峻、值得觀察。
穩懋在CS Mantech發布6吋磷化銦量產服務的論文，提到其開始提供6吋磷化銦HBT 量產代工服務，並且論文中使用的是MBE生長的InP HBT磊晶片。
雖然我沒有看到他使用的MBE磊晶片是自製或來自外部MBE磊晶廠，不過可以想像在可預見的將來InP HBT磊晶片用量超過穩懋內部自製能量時，勢必會需要外部MBE磊晶廠的供貨。
The InP Double HBT (DHBT) epi wafers were grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) and the structures consist of, from top to bottom, a highly-doped n-InGaAs emitter-cap layer, an n-InP emitter layer, a carbon-doped InGaAs base layer, an n-InP collector structure with an n-InGaAs/InAsGaAs grading transition layer between base and collector to eliminate electron blocking and an n-InP sub-collector layer. To provide optimum performance for specific applications, epi structures were designed to compromise the tradeoffs between cut-off frequency (Ft) and the collector-emitter breakdown (BVceo). Optical communication and digital circuits pursue higher operation frequency. In contrast, breakdown voltage is the dominating factor in RF power amplifiers (PA). Collector thickness is of great influence on BVceo[3]. Given that, two structures (EPI-1 and EPI-2) with different collector thickness were designed for these two purposes. Between them, EPI-1 has similar epi structure with EPI-2 but with thinner collector thickness.
Q4毛利率比Q3毛利率高出近2%，在直接人事成本增加、通膨運費上漲造成InP基板漲價的背景下，公司還能繳出毛利逆風增長的表現，是非常值得肯定的亮點。這也代表著，即使直接生產成本上升，公司的毛利率提升的首要看點，還是在於營收規模，次要則在於產品組合。
Q4營業利益率未隨毛利率增長，反而下降了1.4%，由於還未細看細項，估計是來自於人工上漲及研發費用增加兩大原因。
Q4的稅務計算的很高，並不確定是什麼考量，希望只是什麼一次性的調整。我會把關注重點放在毛利率及營業利益率上，尤其是毛利率的部分，只要公司的營收規模能不斷擴大，也必須不斷擴大。
另外現金流的部分，公司Q4營業現金流達到1.1億，投資現金流維持的非常良好並未增加，因此自由現金流達到0.9億，現金流的強勁也反映在配息，公司也直接提高股利至1.5元回饋股東。自由現金流表現強勁這點在我看來非常重要，因為公司未來無論是買機台，或進一步擴廠，必須仰賴公司自己儲備的現金、或向外貸款，第三選項就是向股東增資拿錢，不過最後一種是我們作為長期股東不樂見的，因此公司能有強勁的自由現金流，對於長期投資公司的股東將會是一大喜事。
以上是簡短對Q4財報的看法，我個人原先最擔心毛利下降，因為知道貴金屬上漲及基板廠商確實都有漲價，擔心公司無法很有效轉嫁這些成本的上揚，不過從結果看來，Q4的營收規模擴張以及產品定價能力足夠支撐毛利率在一定水準之上甚至持續增長。營業費用及稅率的部分詳細調整有待財務長明天法說說明，單看EPS的人可能會小失望，估計有0.25到0.5元的落差，不過實質內容上我給予肯定，剩下有待明日公司法說給出2022年的展望。
業績報告部分，王財務長提到公司營收以美金表達，2021年已和2015-2017這段營收高峰期相差無幾，換句話說2021年已經走出了2018中美貿易戰、Skyworks掉單的陰霾，即將挑戰新高，2022年的展望，財務長也說今年有望超越2017年的營收高點，總經理認為2022年公司成長率可維持在以美金計10-20%的成長率，並且有信心挑戰20%，即使保守來看也認為至少會有10%。
詳細的成長情況，從能見度看來，Q1-Q2的營運情況過去一般來說是淡季，但高總經理認為今年H1的接單狀況是延續和2021年的H2旺季類似。若從產品組合來看，高總估計2022的情況可能和2021類似：
GaAs 25% (VCSEL和GaAs車用防撞雷達磊晶片趨平)
InP 45% (大宗的HBT, PIN成長約20%，APD成長率大於20%)
GaSb 25% (成長率大於20%，機台出售還有1/3的訂單要持續交貨並收款)
GaN 5% (由0成長到5%，這部分可能是客戶需求最大的)
所以20%的成長性目標可推估來自於：
GaN (5%)+InP (45%*20%=9%)+GaSb (25%*20%=5%)=19%
2021年自由現金流若以EBITDA代表達到一億八千多萬，相較於2020年增加14%，此一自由現金流數字已經達到近年最高，反映在公司帳上現金達到2億5，公司的帳上現金累積速度開始顯著增長，機構法人會重視這個數字而不是EPS，這代表公司未來可持續性的增長過程中可以依靠內生性的現金流支撐而不用透過發行新股等資本市場籌資手段來獲取新機台的購置基金。
獲利能力部分：
之前有提過Q4的營業費用率偏高，但當時還不知是何緣故。法說會時財務長提供了良好的說明，公司2021年Q4的營業費用5369萬，是來自於第四季50萬股(500張)的庫藏股轉讓員工，庫藏股與交易現值的差價部分公司要認列員工薪資或員工福利費用1400多萬，我個人喜歡這樣的獎勵員工方式，因為這部分的費用不是實質的現金項目，相當於是公司把股票從股票市場中猶豫的人手中用低價買走並在股票高價時轉移給員工。費用率增加的另一部分原因則是Q4估列了較多的員工紅利費用，因為2021前三季估列保守(有雪災影響)，此外亦估列較多所得稅，理論上整年度應該是15%，所以也非現金項目，未來幾季會陸陸續續調整回來。
產品發展部分：
首先大家很關心的機台，今年公司最多會增加四部機台，MBE-18, MBE-19, MBE-20, MBE-1。
兩台閒置機台MBE-18, MBE-19，這兩台分別從2021年Q1和Q3列入固定資產開始計算折舊，其中MBE-18將用於GaSb，MBE-19則用於InP，兩台加上去後GaSb及InP的產能暫時能滿足客戶的需求。
而Riber 8000 (也就是MBE-20)，目前還缺一個乘載Epi的機械手臂由公司在協助訂製中，估計四月，最遲第二季有機會開始運轉，這個東西未來是要拿來做高均勻度的VCSEL。
另外，公司還有另外購置2個MBE不鏽鋼腔體，其中一個是出售給客戶的零組件，一個是公司要改裝MBE-1，裝給自己的GaN二次生長產品使用。MBE-1當初是從Soitec買來的，也就是做Phemt的機器，目前因應GaN訂單的快速增長，必須很快的改造出一台GaN機台。
GaAs的部分，聽起來VCSEL和Phemt都持平，沒甚麼太大的進展，希望今年下半年車用晶片市場復甦，車廠出貨量增加，公司的防撞雷達晶片可以恢復成長。
InP的部分，最大宗的HBT和PIN都被投資人追問了幾個問題，目前看來需求仍然很強，高總經理也指出從客戶拉貨速度跟下訂單的速度來看，熱度維持到暑假基本上都沒甚麼問題，這也是2022年要持續成長最重要的一塊需要關注的市場。
另外InP一些細節性的問題，公司也指出InP HBT確實已經有出貨6吋的大尺寸InP磊晶片給一些化合物半導體工廠，也肯認這個東西就是為了毫米波手機PA在做準備。手機PA外，很多投資人也很關心雷射的部分，我聽起來公司的雷射產品可以分成三類：
(1) 生物辨識、健康監控雷射：InP, GaSb兩種估計客戶是APPLE所以不能講。
(2) 長波長感測雷射：這部分有InP VCSEL及DN-VCSEL，兩個都會從EEL開始研發，VCSEL會是最終的產品，客戶目前對公司的均勻度表現很滿意。其實我認為這塊的間接客戶也是APPLE，不過初步研發仍然是Lumentum、OSRAM那類的光學模組公司。
(3) 高密度VCSEL陣列：用於國防客戶，用途不明猜測可能是光達或甚麼軍用雷射產品。
GaN的部分：
我認為這可能是今年最大亮點，首先在大小部分公司供應從2吋到8吋的GaN磊晶片，並且這次提高客戶來找公司做的已經不只是做高頻的射頻產品如基地台、航空太空等領域的射頻應用，同時也有高電壓轉換的功率應用，這代表公司的GaN客戶群快速擴張。從公司急於改造MBE-1的計劃來看，非常多客戶對公司的regrowth服務有興趣，由於二次生長的成長時間很短暫但對磊晶片的效能能有很大的提升，因此公司可以藉此服務很有效地和最多的GaN客戶接觸，並且最大化機台的利用率。聽負責的靳博士的說明，目前看起來訂單量非常大而且很客製化，也對於在這塊持續擴充機台的可能性抱持肯定的態度。
GaSb的部分，因為是以國防客戶為主，公司能談的細節不多，不過可以從高總經理講出的成長性超過20%看到這塊需求已經穩定，目前國防客戶超越商用客戶，商用客戶的進展停滯。
整體來說， 2022年有的成長有一定的能見度，公司只要能維持這樣的營運狀況，就能持續在財務上獲得良好的現金流，為下一階段的爆發性成長做好準備。
SMHLIN wrote:
三月營收7800萬，(恕刪)
三月營收公布後，Q1營收合計2.2億台幣，年增45%，和去年Q4相若。去年Q4有機台出貨的挹注，今年Q1當然也有剩餘的訂單要出，但主要的產品組合我相信已是以磊晶片為主，代表四大磊晶產品的需求仍強勁或正常。
更新一下目前公司的損益兩平狀況，公司去年費用約為1.7億，若扣除Q4的一次性庫藏股轉讓費用1千萬，則去年非一次性費用大約為1.6億元。然而，今年公司計畫發行300張限制型股票給員工，限制型股票費用化的部分會增加2022的費用，公司之前公告是以66.58元設算費用為800萬，然而我傾向嚴格一點使用每股價值120元去設算到時轉讓時的股價，則2022年費用會增加1400萬，意思是估計2022年費用估計會和2021年相當甚至略多，端看到時股價表現如何，也就是1.75億元(公司折舊逐年下降幫助不少)。
1.7億元的費用相當於單季4200萬的費用，單月費用1400萬，公司的毛利率用財務長給出的毛利率區間35-40%設算，每月的損益兩平點估計是在4400-4600萬之間，和過去相比其實變化不大，也可以說是略微增加。
大概了解公司現在的損平點後，由每月的營收可推估營業利益：
(單月營收-4500w) x 毛利率 = 單月營業利益
而營業利益率長期來看和稅後淨利因業外、稅等因素，大約和稅後淨利率相差1~5%，故再打個97-95折差不多就是每月的稅後淨利。
需要特別注意的是，由於300張(不到流通股份的1%)的股份發行案會在股東會通過後才發行，因此今年費用化的不利效應估計會集中反映在6-7月的股東會後，也就是H2，所以到時可以特別關注這點。
公司2021年Q4的自由現金流是9400萬是歷史最高，且今年Capex和Opex都維持相當良好，估計Q1自由現金流有機會維持單季9000萬以上流入的表現，只要這樣的自由現金流情況再多收幾季，公司帳上現金持續增加，未來買機台、發展新事業(收購Soitec的車用雷達事業)估計就不用像2014-15那樣透過發行可轉債籌集資金，也更有底氣在股價被錯殺時大力回購股票，對公司中長期發展會有莫大的幫助。
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