artdink0105 wrote:
華為非常密切的新凱來EUV的珠穆朗瑪峰專案
華為非常密切的新凱來EUV的珠穆朗瑪峰專案
=> EUV 難度更大 . 因 EUV 光 會被吸收 只能靠反射 , 蔡司特別反射鏡 一次 損失 30% . 相當於每面鏡子5千瓦的功耗 , ASML EUV 用 「雷射產生等離子體」（LPP） , 能量轉成光 效率 ?? . 新凱來EUV聽說改 LDP 效率 2%
，
哈工大使用是的則是DPP技術 放電等離子體
新凱來 LDP（雷射誘導放電等離子體）
SSMB-EUV
ASML LPP : 會使用雷射來轟擊熔融的錫球，使其汽化並產生高溫、高能的等離子體，進而產生波長為13.5奈米的極紫外光，用於在晶圓上描繪微小的電路圖案
DPP EUV 是指透過 放電等離子體(DPP, Discharge-produced plasma) 產生極紫外光（EUV）的技術，其中錫（Tin）作為靶材，透過高壓放電生成等離子體並發出波長約13.5 奈米的EUV 光。 與另一種 雷射誘導等離子體(LPP, Laser-produced plasma) 方案不同，DPP 方案的優點是光源結構相對簡單，但其主要的挑戰在於轉換效率低，並且可能產生影響光學元件的碎屑，同時也帶來高熱負載的問題
LDP（雷射誘導放電等離子體） : DPP +LPP 混合
日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍
